Europäische Union

Delegierte Verordnung (EU) 2023/2616 der Kommission vom 15. September 2023 zur Änderung der Verordnung (EU) 2021/821 des Europäischen Parlaments und des Rates in Bezug auf die Liste der Güter mit doppeltem Verwendungszweck

Amtliche Ursprungsfassung

Quellenkennung: 32023R2616. Spätere Änderungen sind nicht automatisch in dieser Fassung enthalten.

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kung : Für integrierte Schaltungen, bei denen anwenderprogrammierbare Logikschaltkreise mit einem Analog-Digital-Wandler kombiniert sind, siehe Unternummer 3A001a14. Technische Anmerkungen: Im Sinne der Unternummer 3A001a7 gilt: 1. Die maximale Anzahl der digitalen Ein-/Ausgänge in Unternummer 3A001a7a wird auch als die maximale Anzahl der Benutzer-Ein-/Ausgänge oder der verfügbaren Ein-/Ausgänge bezeichnet, unabhängig davon, ob der integrierte Schaltkreis gehäust ist oder als Chip vorliegt. 2. Die 'aggregierte serielle Spitzendatenrate des Transceivers bei Einwegübertragung' ist das Produkt der seriellen Datenübertragungsrate des Transceivers bei Einwegübertragung multipliziert mit der Anzahl der Transceiver auf dem FPGA. 8. nicht belegt; 9. integrierte Schaltungen für neuronale Netze, 10. kundenspezifische integrierte Schaltungen, deren Funktion unbekannt ist oder deren Erfassungsstatus in Bezug auf die Endbenutzergeräte dem Hersteller nicht bekannt ist, mit einer der folgenden Eigenschaften: a. mehr als 1 500 Anschlüsse, b. typische "Signallaufzeit des Grundgatters" (basic gate propagation delay time) kleiner als 0,02 ns oder c. Betriebsfrequenz größer als 3 GHz, 11. andere als die in den Unternummern 3A001a3 bis 3A001a10 oder 3A001a12 beschriebenen digitalen, integrierten Schaltungen, die auf einem Verbindungshalbleiter basieren und eine der folgenden Eigenschaften aufweisen: a. Gatteräquivalent (equivalent gate count) größer als 3 000 (Gatter mit zwei Eingängen) oder b. Umschalt-Frequenz (toggle frequency) größer als 1,2 GHz; 12. FFT-Prozessoren (Fast Fourier Transform), ausgelegt für eine komplexe FFT mit n Punkten in weniger als (n log2n)/20 480 ms; Technische Anmerkung: Im Sinne der Unternummer 3A001a12 ergibt die Formel bei n gleich 1 024 eine Berechnungszeit von 500 μs. 13. Integrierte Schaltungen für Direct Digital Synthesizer (DDS) mit einer der folgenden Eigenschaften: a. Digital-Analog-Wandler-(DAC)-Taktfrequenz größer/gleich 3,5 GHz und eine DAC-Auflösung größer/gleich 10 bit, aber kleiner als 12 bit oder b. DAC-Taktfrequenz größer/gleich 1,25 GHz und eine DAC-Auflösung größer/gleich 12 bit; Technische Anmerkung: Im Sinne der Unternummer 3A001a13 kann die DAC-Taktfrequenz als die Taktgeberfrequenz oder die Eingangstaktfrequenz spezifiziert werden. 14. Integrierte Schaltungen, die folgende Operationen ausführen können oder so programmierbar sind, dass sie folgende Operationen ausführen: a. Analog-Digital-Umwandlungen mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Auflösung größer/gleich 8 bit, aber kleiner als 10 bit, mit einer "Abtastrate" größer als 1,3 Gigasamples pro Sekunde (GSPS), 2. Auflösung größer/gleich 10 bit, aber kleiner als 12 bit, mit einer "Abtastrate" größer als 1,0 GSPS, 3. Auflösung größer/gleich 12 bit, aber kleiner als 14 bit, mit einer "Abtastrate" größer als 1,0 GSPS, 4. Auflösung größer/gleich 14 bit, aber kleiner als 16 bit, mit einer "Abtastrate" größer als 400 Megasamples pro Sekunde (MSPS), oder 5. Auflösung größer/gleich 16 bit und mit einer "Abtastrate" größer als 180 MSPS und b. mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Speicherung digitalisierter Daten oder 2. Verarbeitung digitalisierter Daten; Anmerkung 1 : Für integrierte Analog-Digital-Wandlerschaltungen siehe Unternummer 3A001a5a. Anmerkung 2 : Für anwenderprogrammierbare Logikschaltkreise siehe Unternummer 3A001a7. Technische Anmerkungen: Im Sinne der Unternummer 3A001a14 gilt: 1. Eine Auflösung von n Bit entspricht einer Quantisierung von 2n Zuständen. 2. Die Auflösung des ADC ist die Anzahl der Bits in der digitalen Ausgabe des ADC, die der gemessenen analogen Eingabe entspricht. Die effektive Anzahl von Bits (effective number of bits — ENOB) wird für die Ermittlung der Auflösung des ADC nicht verwendet. 3. Bei integrierten Schaltungen mit nichtüberlappenden (non-interleaving) "Mehrkanal-ADCs" wird die "Abtastrate" nicht zusammengefasst (aggregated). Die "Abtastrate" ist die maximale Rate jedes einzelnen Kanals. 4. Bei "Interleaved-ADCs" oder bei "Mehrkanal-ADCs", die auch für den Interleaved-Modus spezifiziert sind, werden die "Abtastraten" zusammengefasst (aggregated). Die "Abtastrate" ist die maximale Gesamtrate (maximum combined total rate) aller Interleaved-Kanäle. b. Mikro- oder Millimeterwellenbauelemente (items) wie folgt: Technische Anmerkung: Im Sinne der Unternummer 3A001b kann der Parameter Spitzensättigungsausgangsleistung auf Produktdatenblättern auch als Ausgangsleistung, Sättigungsausgangsleistung, Höchstausgangsleistung, Spitzenausgangsleistung oder Hüllkurvenspitzenleistung bezeichnet werden. 1. "elektronische Vakuumbauelemente" und Kathoden wie folgt: Anmerkung 1 : Unternummer 3A001b1 erfasst nicht "elektronische Vakuumbauelemente", entwickelt oder ausgelegt für den Betrieb in einem Frequenzband mit allen folgenden Eigenschaften: a. Das Frequenzband überschreitet nicht 31,8 GHz und b. ist "von der ITU zugewiesen" für Funkdienste, jedoch nicht für Ortungsfunkdienste. Anmerkung 2 : Unternummer 3A001b1 erfasst keine nicht "weltraumgeeigneten" "elektronischen Vakuumbauelemente" mit allen folgenden Eigenschaften: a. mittlere Ausgangsleistung kleiner/gleich 50 W und b. entwickelt oder ausgelegt für den Betrieb in einem Frequenzband mit allen folgenden Eigenschaften: 1. Das Frequenzband überschreitet 31,8 GHz, aber nicht 43,5 GHz und 2. ist "von der ITU zugewiesen" für Funkdienste, jedoch nicht für Ortungsfunkdienste. a. "elektronische Vakuumbauelemente" mit Wanderfeld, für Impuls- oder Dauerstrichbetrieb, wie folgt: 1. Geräte, betrieben bei Frequenzen oberhalb 31,8 GHz, 2. Geräte mit einer Kathodenheizung, die eine Einschaltzeit von weniger als 3 Sekunden bis zum Erreichen der HF-Nennleistung ermöglicht, 3. hohlraumgekoppelte oder davon abgeleitete Geräte, mit einer "normierten Bandbreite" größer als 7 % oder einer Spitzenleistung größer als 2,5 kW, 4. Geräte, die auf Schaltungen mit Wendelwellenleitern, gefalteten Wellenleitern oder schlangenlinienförmigen Wellenleitern basieren, oder davon abgeleitete Geräte mit einer der folgenden Eigenschaften: a. "Momentan-Bandbreite" größer als eine Oktave und Produkt der mittleren Leistung (in Kilowatt) und der Frequenz (in Gigahertz) größer als 0,5, b. "Momentan-Bandbreite" kleiner/gleich eine Oktave und Produkt der mittleren Leistung (in Kilowatt) und der Frequenz (in Gigahertz) größer als 1, c. "weltraumgeeignet"oder d. mit einer Elektronenkanone mit Gitterelektroden, 5. Geräte, mit einer "normierten Bandbreite" größer/gleich 10 % mit einer der folgenden Eigenschaften: a. einem ringförmigen Elektronenstrahl, b. einem nicht rotationssymmetrischen Elektronenstrahl oder c. Mehrfach-Elektronenstrahlen, b. verstärkende "elektronische Vakuumbauelemente" mit Cross-Field und einem Verstärkungsfaktor größer als 17 dB, c. thermionische Kathoden, entwickelt für "elektronische Vakuumbauelemente", zur Erzeugung einer Emissionsstromdichte größer als 5 A/cm2 bei Nenn-Betriebsbedingungen oder einer Impulsstromdichte (kein Dauerstrom) größer als 10 A/cm2 bei Nenn-Betriebsbedingungen, d. "elektronische Vakuumbauelemente", die im 'Dualmodus' betrieben werden können, Technische Anmerkung: Im Sinne der Unternummer 3A001b1d bedeutet 'Dualmodus', dass beim Strahlstrom des "elektronischen Vakuumbauelements" mithilfe eines Gitters wahlweise zwischen Dauerstrichbetrieb und Pulsbetrieb gewechselt werden kann, wobei die Puls-Spitzenausgangsleistung größer ist als die Dauerstrich-Spitzenausgangsleistung. 2. "monolithisch integrierte Mikrowellen"verstärker"schaltungen" ("MMIC"-Verstärker) mit einer der folgenden Eigenschaften: Anmerkung : Für "MMIC"-Verstärker mit integriertem Phasenschieber siehe Unternummer 3A001b12. a. ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer als 2,7 GHz bis einschließlich 6,8 GHz, bei einer "normierten Bandbreite" (fractional bandwidth) größer als 15 % und mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 75 W (48,75 dBm) bei einer Frequenz größer als 2,7 GHz bis einschließlich 2,9 GHz, 2. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 55 W (47,4 dBm) bei einer Frequenz größer als 2,9 GHz bis einschließlich 3,2 GHz; 3. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 40 W (46 dBm) bei einer Frequenz größer als 3,2 GHz bis einschließlich 3,7 GHz oder 4. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 20 W (43 dBm) bei einer Frequenz größer als 3,7 GHz bis einschließlich 6,8 GHz; b. ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer als 6,8 GHz bis einschließlich 16 GHz, bei einer "normierten Bandbreite" (fractional bandwidth) größer als 10 % und mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 10 W (40 dBm) bei einer Frequenz größer als 6,8 GHz bis einschließlich 8,5 GHz oder 2. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 5 W (37 dBm) bei einer Frequenz größer als 8,5 GHz bis einschließlich 16 GHz; c. ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 3 W (34,77 dBm) bei einer Frequenz größer als 16 GHz bis einschließlich 31,8 GHz und einer "normierten Bandbreite" (fractional bandwidth) größer als 10 %; d. ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 0,1 nW (-70 dBm) bei einer Frequenz größer als 31,8 GHz bis einschließlich 37 GHz; e. ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 1 W (30 dBm) bei einer Frequenz größer als 37 GHz bis einschließlich 43,5 GHz und einer "normierten Bandbreite" (fractional bandwidth) größer als 10 %; f. ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 31,62 mW (15 dBm) bei einer Frequenz größer als 43,5 GHz bis einschließlich 75 GHz und einer "normierten Bandbreite" (fractional bandwidth) größer als 10 %; g. ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 10 mW (10 dBm) bei einer Frequenz größer als 75 GHz bis einschließlich 90 GHz und einer "normierten Bandbreite" (fractional bandwidth) größer als 5 % oder h. ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 0,1 nW (-70 dBm) bei einer Frequenz größer als 90 GHz; Anmerkung 1 : nicht belegt, Anmerkung 2 : Der Erfassungsstatus von "MMIC", deren Betriebsfrequenzbereich Frequenzen in mehr als einem der in Unternummer 3A001b2a bis 3A001b2h definierten Frequenzbereiche überstreicht, richtet sich nach dem niedrigsten Grenzwert für die Spitzensättigungsausgangsleistung. Anmerkung 3 : Die Anmerkungen 1 und 2 in Nummer 3A bedeuten, dass die Unternummer 3A001b2 keine "MMIC" erfasst, die für andere Anwendungen besonders konstruiert sind, wie z. B. Telekommunikation, Radar, Kraftfahrzeuge. 3. diskrete Mikrowellentransistoren mit einer der folgenden Eigenschaften: a. ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer als 2,7 GHz bis einschließlich 6,8 GHz mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 400 W (56 dBm) bei einer Frequenz größer als 2,7 GHz bis einschließlich 2,9 GHz, 2. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 205 W (53,12 dBm) bei einer Frequenz größer als 2,9 GHz bis einschließlich 3,2 GHz; 3. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 115 W (50,61 dBm) bei einer Frequenz größer als 3,2 GHz bis einschließlich 3,7 GHz oder 4. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 60 W (47,78 dBm) bei einer Frequenz größer als 3,7 GHz bis einschließlich 6,8 GHz; b. ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer als 6,8 GHz bis einschließlich 31,8 GHz mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 50 W (47 dBm) bei einer Frequenz größer als 6,8 GHz bis einschließlich 8,5 GHz 2. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 15 W (41,76 dBm) bei einer Frequenz größer als 8,5 GHz bis einschließlich 12 GHz; 3. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 40 W (46 dBm) bei einer Frequenz größer als 12 GHz bis einschließlich 16 GHz oder 4. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 7 W (38,45 dBm) bei einer Frequenz größer als 16 GHz bis einschließlich 31,8 GHz; c. ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 0,5 W (27 dBm) bei einer Frequenz größer als 31,8 GHz bis einschließlich 37 GHz; d. ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 1 W (30 dBm) bei einer Frequenz größer als 37 GHz bis einschließlich 43,5 GHz; e. ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 0,1 nW (-70 dBm) bei einer Frequenz größer als 43,5 GHz; oder f. nicht von Unternummer 3A001b3a bis 3A001b3e erfasst und ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 5 W (37,0 dBm) bei allen Frequenzen größer als 8,5 GHz bis einschließlich 31,8 GHz; Anmerkung 1 : Der Erfassungsstatus von Transistoren in Unternummern 3A001b3a bis 3A001b3e, deren Betriebsfrequenzbereich Frequenzen in mehr als einem der in Unternummer 3A001b3a bis 3A001b3e definierten Frequenzbereiche überstreicht, richtet sich nach dem niedrigsten Grenzwert für die Spitzensättigungsausgangsleistung. Anmerkung 2 : Unternummer 3A001b3 erfasst gehäuste und ungehäuste Chips sowie auf Träger montierte Chips. Bestimmte diskrete Transistoren können auch als Leistungsverstärker bezeichnet werden, doch der Status dieser diskreten Transistoren richtet sich nach Unternummer 3A001b3. 4. Halbleitermikrowellenverstärker, Mikrowellenbaugruppen, die Mikrowellenhalbleiterverstärker enthalten, und Mikrowellenmodule, die Mikrowellenhalbleiterverstärker enthalten, mit einer der folgenden Eigenschaften: a. ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer als 2,7 GHz bis einschließlich 6,8 GHz, bei einer "normierten Bandbreite" (fractional bandwidth) größer als 15 % und mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 500 W (57 dBm) bei einer Frequenz größer als 2,7 GHz bis einschließlich 2,9 GHz, 2. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 270 W (54,3 dBm) bei einer Frequenz größer als 2,9 GHz bis einschließlich 3,2 GHz; 3. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 200 W (53 dBm) bei einer Frequenz größer als 3,2 GHz bis einschließlich 3,7 GHz oder 4. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 90 W (49,54 dBm) bei einer Frequenz größer als 3,7 GHz bis einschließlich 6,8 GHz; b. ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer als 6,8 GHz bis einschließlich 31,8 GHz, bei einer "normierten Bandbreite" (fractional bandwidth) größer als 10 % und mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 70 W (48,45 dBm) bei einer Frequenz größer als 6,8 GHz bis einschließlich 8,5 GHz 2. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 50 W (47 dBm) bei einer Frequenz größer als 8,5 GHz bis einschließlich 12 GHz; 3. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 30 W (44,77 dBm) bei einer Frequenz größer als 12 GHz bis einschließlich 16 GHz; oder 4. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 20 W (43 dBm) bei einer Frequenz größer als 16 GHz bis einschließlich 31,8 GHz; c. ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 0,5 W (27 dBm) bei einer Frequenz größer als 31,8 GHz bis einschließlich 37 GHz; d. ausgelegt für den Betrieb mit einer Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 2 W (33 dBm) bei einer Frequenz größer als 37 GHz bis einschließlich 43,5 GHz und einer "normierten Bandbreite" (fractional bandwidth) größer als 10 %; e. ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer als 43,5 GHz und mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 0,2 W (23 dBm) bei einer Frequenz größer als 43,5 GHz bis einschließlich 75 GHz und einer "normierten Bandbreite" (fractional bandwidth) größer als 10 %, 2. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 20 mW (13 dBm) bei einer Frequenz größer als 75 GHz bis einschließlich 90 GHz und einer "normierten Bandbreite" (fractional bandwidth) größer als 5 %, oder 3. Spitzensättigungsausgangsleistung größer als 0,1 nW (-70 dBm) bei einer Frequenz größer als 90 GHz oder f. Nicht belegt. Anmerkung 1 : Für "MMIC"-Verstärker siehe Unternummer 3A001b2. Anmerkung 2 : Für 'Sende-/Empfangsmodule' und 'Sendemodule' siehe Unternummer 3A001b12. Anmerkung 3. Für Umsetzer und Oberwellenmischer, konstruiert zur Erweiterung des Betriebsfrequenzbereichs von Signalanalysatoren, Signalgeneratoren, Netzwerkanalysatoren und Mikrowellentestempfängern, siehe Unternummer 3A001b7. Anmerkung 1 : nicht belegt, Anmerkung 2 : Der Erfassungsstatus von Gütern, deren Betriebsfrequenzbereich Frequenzen in mehr als einem der in Unternummer 3A001b4a bis 3A001b4e definierten Frequenzbereiche überstreicht, richtet sich nach dem niedrigsten Grenzwert für die Spitzensättigungsausgangsleistung. 5. elektronisch oder magnetisch abstimmbare Bandpassfilter oder Bandsperrfilter mit mehr als fünf abstimmbaren Resonatoren, die in weniger als 10 μs über einen Frequenzbereich im Verhältnis 1,5:1 (fmax/fmin) abgestimmt werden können, und mit einer der folgenden Eigenschaften: a. mit einer Durchlassbandbreite größer als 0,5 % der Mittenfrequenz oder b. mit einer Sperrbandbreite kleiner als 0,5 % der Mittenfrequenz; 6. nicht belegt; 7. Umsetzer und Oberwellenmischer mit einer der folgenden Eigenschaften: a. konstruiert, um den Frequenzbereich von "Signalanalysatoren" über 90 GHz hinaus zu erweitern, b. konstruiert, um den Betriebsfrequenzbereich von Signalgeneratoren wie folgt zu erweitern: 1. über 90 GHz hinaus, 2. auf eine Ausgangsleistung größer als 100 mW (20 dBm) innerhalb des Frequenzbereichs größer als 43,5 GHz und kleiner/gleich 90 GHz, c. konstruiert, um den Betriebsfrequenzbereich von Netzwerkanalysatoren wie folgt zu erweitern: 1. über 110 GHz hinaus, 2. auf eine Ausgangsleistung größer als 31,62 mW (15 dBm) innerhalb des Frequenzbereichs größer als 43,5 GHz und kleiner/gleich 90 GHz, 3. auf eine Ausgangsleistung größer als 1 mW (0 dBm) innerhalb des Frequenzbereichs größer als 90 GHz und kleiner/gleich 110 GHz, oder d. konstruiert, um den Frequenzbereich von Mikrowellentestempfängern über 110 GHz hinaus zu erweitern, 8. Mikrowellenleistungsverstärker mit von Unternummer 3A001b1 erfassten "elektronischen Vakuumbauelementen" und mit allen folgenden Eigenschaften: a. Betriebsfrequenz größer als 3 GHz, b. mittleres Verhältnis von Ausgangsleistung zu Masse größer als 80 W/kg und c. Volumen kleiner als 400 cm3. Anmerkung : Unternummer 3A001b8 erfasst nicht Ausrüstung

Quellenbestand vom 5. Oktober 2026. Die Sammlung wird schrittweise erweitert. Dokumentfassungen sind nicht mit der Zahl eigenständiger Gesetze gleichzusetzen.