Delegierte Verordnung (EU) 2023/2616 der Kommission vom 15. September 2023 zur Änderung der Verordnung (EU) 2021/821 des Europäischen Parlaments und des Rates in Bezug auf die Liste der Güter mit doppeltem Verwendungszweck

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, konstruiert oder ausgelegt für den Einsatz in einem Frequenzband, das für Funkdienste, jedoch nicht für Ortungsfunkdienste, "von der ITU zugewiesen" ist. 9. Mikrowellenleistungsmodule (microwave power modules, MPM), bestehend aus mindestens einem "elektronischen Vakuumbauelement" mit Wanderfeld, einer "monolithisch integrierten Mikrowellenschaltung" ("MMIC") und einer integrierten elektronischen Regelung der Stromversorgung und mit allen folgenden Eigenschaften: a. 'Hochlaufzeit' bis auf Nennleistung kleiner als 10 Sekunden, b. Volumen kleiner als die maximale spezifizierte Leistung in Watt multipliziert mit 10 cm3/W und c. "Momentanbandbreite" größer als 1 Oktave (fmax > 2fmin) und mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. HF-Ausgangsleistung größer als 100 W im Frequenzbereich kleiner/gleich 18 GHz oder 2. Frequenzbereich größer als 18 GHz, Technische Anmerkungen: Im Sinne der Unternummer 3A001b9 gilt: 1. Die Berechnung des Volumens in Unternummer 3A001b9b wird durch folgendes Beispiel erläutert: Für eine maximale spezifizierte Leistung von 20 W ergibt sich: 20 W× 10 cm3/W = 200 cm3. 2. Die 'Hochlaufzeit' in Unternummer 3A001b9a bezieht sich auf die Zeit vom Zustand des vollständigen Ausgeschaltetseins bis zum Zustand der vollständigen Betriebsfähigkeit, d. h. die Aufwärmzeit des Moduls ist eingeschlossen. 10. Oszillatoren oder Oszillator-Baugruppen, spezifiziert für den Betrieb mit einem Phasenrauschen im Einseitenband (SSB) in dBc/Hz kleiner (besser) als -(126 + 20log10F — 20log10f) im Bereich 10 Hz ≤ F ≤ 10 kHz; Technische Anmerkung: Im Sinne der Unternummer 3A001b10 bezeichnet F den Abstand von der Betriebsfrequenz (in Hertz) und f die Betriebsfrequenz (in Megahertz). 11. "elektronische 'Frequenz-Synthesizer'-Baugruppen" mit einer "Frequenzumschaltzeit" gemäß einer der folgenden Spezifikationen: a. kleiner als 143 ps, b. kleiner als 100 μs für jeden Frequenzwechsel größer als 2,2 GHz innerhalb des synthetisierten Frequenzbereiches größer als 4,8 GHz bis kleiner/gleich 31,8 GHz, c. nicht belegt; d. kleiner als 500 μs für jeden Frequenzwechsel größer als 550 MHz innerhalb des synthetisierten Frequenzbereiches größer als 31,8 GHz bis kleiner/gleich 37 GHz, e. kleiner als 100 μs für jeden Frequenzwechsel größer als 2,2 GHz innerhalb des synthetisierten Frequenzbereiches größer als 37 GHz bis kleiner/gleich 75 GHz, f. kleiner als 100 μs für jeden Frequenzwechsel größer als 5,0 GHz innerhalb des synthetisierten Frequenzbereiches größer als 75 GHz bis kleiner/gleich 90 GHz, oder g. kleiner als 1 ms innerhalb des synthetisierten Frequenzbereichs größer als 90 GHz; Technische Anmerkung: Im Sinne der Unternummer 3A001b11 ist ein 'Frequenz-Synthesizer' (frequency synthesiser), ungeachtet der im Einzelfall benutzten Technik, jede Art von Frequenzquelle, die an einem oder mehreren Ausgängen eine Vielfalt gleichzeitig oder abwechselnd vorhandener Ausgangsfrequenzen liefert, die durch eine kleinere Anzahl von Normal- oder Steuerfrequenzen geregelt, von ihr abgeleitet oder von ihr gesteuert sind. Anmerkung : Für allgemein verwendbare "Signalanalysatoren", Signalgeneratoren, Netzwerkanalysatoren und Mikrowellentestempfänger siehe Unternummern 3A002c, 3A002d, 3A002e und 3A002f. 12. 'Sende-/Empfangsmodule', 'Sende-/Empfangs-MMICs', 'Sendemodule' und 'Sende-MMICs', ausgelegt für den Betrieb bei Frequenzen größer als 2,7 GHz und mit allen folgenden Eigenschaften: a. Spitzensättigungsausgangsleistung (in Watt), Psat, größer als 505,62 geteilt durch das Quadrat der maximalen Betriebsfrequenz (in GHz) [Psat> 505,62 W*GHz2/fGHz 2] für jeden Kanal, b. "normierte Bandbreite" größer/gleich 5 % für jeden Kanal, c. eine der planaren Seiten mit der Länge d (in cm) kleiner/gleich 15 geteilt durch die kleinste Betriebsfrequenz in GHz [d ≤ 15cm*GHz*n/fGHz], wobei n für die Anzahl der Sende- oder Sende-/Empfangskanäle steht, und d. einem elektronisch regelbaren Phasenschieber pro Kanal. Technische Anmerkungen: Im Sinne der Unternummer 3A001b12 gilt: 1. Ein 'Sende-/Empfangsmodul' ist eine multifunktionale "elektronische Baugruppe", die bidirektionale Amplitude und Phasenregelung für das Senden und Empfangen von Signalen aufweist. 2. Ein 'Sendemodul' ist eine "elektronische Baugruppe", die Amplitude und Phasenregelung für das Senden von Signalen aufweist. 3. Eine 'Sende-/Empfangs-MMIC' ist eine multifunktionale "MMIC", die bidirektionale Amplitude und Phasenregelung für das Senden und Empfangen von Signalen aufweist. 4. Eine 'Sende-MMIC' ist eine "MMIC", die Amplitude und Phasenregelung für das Senden von Signalen aufweist. 5. Bei Sende-/Empfangs- oder Sendemodulen, deren spezifizierter Betriebsfrequenzbereich 2,7 GHz unterschreitet, soll in der Berechnungsformel nach Unternummer 3A001b12c als unterer Grenzwert (fGHz) 2,7 GHz verwendet werden [d≤ 15cm*GHz*n/2,7 GHz]. 6. Unternummer 3A001b12 gilt für 'Sende-/Empfangsmodule' oder Sendemodule‘ mit oder ohne Wärmesenke. Anteile des 'Sende-/Empfangsmoduls' oder Sendemoduls‘, die als Wärmesenke dienen, werden für den Wert für d in Unternummer 3A001b12c nicht berücksichtigt. 7. 'Sende-/Empfangsmodule', Sendemodule‘' Sende-/Empfangs-MMICs' oder 'Sende-MMICs' können n integrierte abstrahlende Antennenelemente enthalten, wobei n für die Anzahl der Sende- oder Sende-/Empfangskanäle steht. c. Akustikwellenvorrichtungen wie folgt und besonders konstruierte Bestandteile hierfür: 1. Vorrichtungen mit akustischen Oberflächenwellen (surface acoustic waves) und mit akustischen, oberflächennahen Volumenwellen (surface skimming [shallow bulk] acoustic waves), mit einer der folgenden Eigenschaften: a. Trägerfrequenz größer als 6 GHz, b. Trägerfrequenz größer als 1 GHz und kleiner/gleich 6 GHz und mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. 'Frequenz-Nebenkeulendämpfung' größer als 65 dB, 2. Produkt aus maximaler Verzögerungszeit (in Mikrosekunden) und Bandbreite (in Megahertz) größer als 100, 3. Bandbreite größer als 250 MHz oder 4. dispergierende Verzögerung größer als 10 μs oder c. Trägerfrequenz kleiner/gleich 1 GHz und mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Produkt aus maximaler Verzögerungszeit (in Mikrosekunden) und Bandbreite (in Megahertz) größer als 100, 2. dispergierende Verzögerung größer als 10 μs oder 3. 'Frequenz-Nebenkeulendämpfung' größer als 65 dB und Bandbreite größer als 100 MHz, Technische Anmerkung: Im Sinne der Unternummer 3A001c1 ist die 'Frequenz- Nebenkeulendämpfung' der im Datenblatt angegebene Dämpfungshöchstwert. 2. akustische Volumenwellenvorrichtungen, mit denen die unmittelbare Aufbereitung von Signalen bei einer Frequenz größer als 6 GHz möglich ist, 3. akustisch-optische "Signaldatenverarbeitungs"-Vorrichtungen, die die Wechselwirkung zwischen Schallwellen (Volumen- oder Oberflächenwellen) und Lichtwellen ausnutzen und die eine unmittelbare Aufbereitung von Signalen oder Bildern ermöglichen einschließlich Spektralanalyse, Korrelation oder Konvolution (Faltung); Anmerkung : Unternummer 3A001c erfasst nicht Akustikwellenvorrichtungen mit lediglich einem Bandpass-, Tiefpass-, Hochpass- oder Kerbfilter oder einer Resonanzfunktion. d. elektronische Bauelemente oder Schaltungen, die Bauteile aus "supraleitenden" Werkstoffen oder Materialien enthalten, besonders konstruiert für den Betrieb bei Temperaturen unter der "kritischen Temperatur" von wenigstens einem ihrer "supraleitenden" Bestandteile und mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Stromschalter für digitale Schaltungen mit "supraleitenden" Gattern mit einem Produkt aus Laufzeit pro Gatter (in Sekunden) und Verlustleistung je Gatter (in Watt) kleiner als 10-14 J oder 2. Frequenzselektion bei allen Frequenzen mit Resonanzkreisen, die Gütefaktoren von mehr als 10 000 aufweisen; e. hochenergietechnische Geräte wie folgt: 1. 'Zellen' wie folgt: a. 'Primärzellen' mit einer der folgenden Eigenschaften bei 20 °C: 1. 'Energiedichte' größer als 550 Wh/kg und 'Dauerleistungsdichte' größer als 50 W/kg oder 2. 'Energiedichte' größer als 50 Wh/kg und 'Dauerleistungsdichte' größer als 350 W/kg oder b. 'Sekundärzellen' mit einer 'Energiedichte' größer als 350 Wh/kg bei 20 °C, Technische Anmerkungen: 1. Im Sinne der Unternummer 3A001e1 wird die 'Energiedichte' (Wh/kg) berechnet aus der Nominalspannung multipliziert mit der nominellen Kapazität (in Amperestunden (Ah)) geteilt durch die Masse (in Kilogramm). Falls die nominelle Kapazität nicht angegeben ist, wird die Energiedichte berechnet aus der quadrierten Nominalspannung multipliziert mit der Entladedauer (in Stunden), dividiert durch die Entladelast (in Ohm) und die Masse (in Kilogramm). 2. Im Sinne der Unternummer 3A001e1 wird 'Zelle' definiert als ein elektrochemisches Bauelement, das über positive und negative Elektroden sowie über einen Elektrolyten verfügt und eine Quelle für elektrische Energie ist. Sie ist die Grundeinheit einer Batterie. 3. Im Sinne der Unternummer 3A001e1a wird 'Primärzelle' definiert als eine 'Zelle', die nicht durch irgendeine andere Quelle aufgeladen werden kann. 4. Im Sinne der Unternummer 3A001e1b wird 'Sekundärzelle' definiert als eine 'Zelle', die durch eine externe elektrische Quelle aufgeladen werden kann. 5. Im Sinne der Unternummer 3A001e1a wird die 'Dauerleistungsdichte' (W/kg) berechnet aus der Nominalspannung multipliziert mit dem angegebenen Dauerentladungshöchststrom (in Ampere (A)) geteilt durch die Masse (in Kilogramm). Die 'Dauerleistungsdichte' wird auch als spezifische Leistung bezeichnet. Anmerkung : Unternummer 3A001e1 erfasst nicht Batterien; dies schließt auch Batterien, die aus einzelnen Zellen bestehen (single cell batteries), ein. 2. Hochenergie-Speicherkondensatoren wie folgt: Anmerkung : SIEHE AUCH UNTERNUMMER 3A201a und Liste für Waffen, Munition und Rüstungsmaterial. a. Kondensatoren mit einer Folgefrequenz kleiner als 10 Hz (single shot capacitors) und mit allen folgenden Eigenschaften: 1. Nennspannung größer/gleich 5 kV, 2. Energiedichte größer/gleich 250 J/kg, und 3. Gesamtenergie größer/gleich 25 kJ, b. Kondensatoren mit einer Folgefrequenz größer/gleich 10 Hz (repetition rated capacitors) und mit allen folgenden Eigenschaften: 1. Nennspannung größer/gleich 5 kV, 2. Energiedichte größer/gleich 50 J/kg, 3. Gesamtenergie größer/gleich 100 J, und 4. Lebensdauer größer/gleich 10 000 Ladungs-/Entladungszyklen, 3. "supraleitende" Elektromagnete oder Zylinderspulen, besonders konstruiert, um in weniger als einer Sekunde vollständig geladen oder entladen zu werden, und mit allen folgenden Eigenschaften: Anmerkung : SIEHE AUCH UNTERNUMMER 3A201b. Anmerkung : Unternummer 3A001e3 erfasst nicht "supraleitende" Elektromagnete oder Zylinderspulen, besonders konstruiert für medizinisches Gerät für Magnetresonanzbilderzeugung (Magnetic Resonance Imaging). a. Energieabgabe während der ersten Sekunde der Entladung größer als 10 kJ, b. innerer Durchmesser der Strom führenden Windungen größer als 250 mm und c. spezifiziert für eine magnetische Induktion größer als 8 T oder eine "Gesamtstromdichte" (overall current density) in der Windung größer als 300 A/mm2; 4. "weltraumgeeignete" Solarzellen, CIC-Baugruppen (cell-interconnect-coverglass assemblies), Solarpaneele und Solararrays, mit einem minimalen mittleren Wirkungsgrad größer als 20 % gemessen bei einer Betriebstemperatur von 301 K (28 °C) und einer simulierten 'AM0'-Beleuchtung mit einer Strahlungsleistung von 1 367 Watt pro Quadratmeter (W/m2), Technische Anmerkung: Im Sinne der Unternummer 3A001e4 bezieht sich 'AM0' oder 'Air Mass Zero' auf die spektrale Verteilung der Strahlungsleistung des Sonnenlichts in der äußeren Erdatmosphäre, wenn der Abstand zwischen Erde und Sonne eine Astronomische Einheit (1 AU) beträgt. f. Absolut-Drehwinkelgeber mit einer "Genauigkeit" kleiner/gleich 1,0 Bogensekunden und dafür besonders konstruierte Encoderringe, -scheiben oder -skalen; g. Thyristoren und 'Thyristormodule' für den Impulsbetrieb, die elektrisch, optisch oder durch Elektronenstrahl (electron radiation) geschaltet werden, und mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Maximale Einschalt-Stromsteilheit (di/dt) größer als 30 000 A/μs und Sperrspannung größer als 1 100 V oder 2. maximale Einschalt-Stromsteilheit (di/dt) größer als 2 000 A/μs und mit allen folgenden Eigenschaften: a. Spitzensperrspannung größer/gleich 3 000 V und b. Stoßstromgrenzwert (peak (surge) current) größer/gleich 3 000 A, Anmerkung 1 : Unternummer 3A001g schließt ein: — SCRs (Silicon Controlled Rectifiers) — ETTs (Electrical Triggering Thyristors) — LTTs (Light Triggering Thyristors) — IGCTs (Integrated Gate Commutated Thyristors) — GTOs (Gate Turn-off Thyristors) — MCTs (MOS Controlled Thyristors) — Solidtrons Anmerkung 2 : Unternummer 3A001g erfasst nicht Thyristoren und 'Thyristormodule', die eingebaut sind in Ausrüstung, die für Anwendungen in zivilen Schienenfahrzeugen oder "zivilen Luftfahrzeugen" entworfen ist. Technische Anmerkung: Im Sinne der Unternummer 3A001g enthält ein 'Thyristormodul' einen oder mehrere Thyristoren. h. Halbleiter-Leistungsschalter, Leistungsdioden oder 'Module' mit allen folgenden Eigenschaften: 1. ausgelegt für eine maximale Betriebstemperatur des pn-Übergangs größer als 488 K (215 °C), 2. periodische Spitzenspannung im ausgeschalteten Zustand (blocking voltage) größer als 300 V und 3. Dauerstrom größer als 1 A. Anmerkung 1 : Periodische Spitzenspannung im ausgeschalteten Zustand in Unternummer 3A001h schließt ein: Drain-Source-Spannung, Kollektor-Emitter-Spannung, periodische Spitzensperrspannung und periodische Spitzenblockierspannung im ausgeschalteten Zustand. Anmerkung 2 : Unternummer 3A001h schließt ein: — JFETs (Junction Field Effect Transistors) — VJFETs (Vertical Junction Field Effect Transistors) — MOSFETs (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors) — DMOSFETs (Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistors) — IGBTs (Insulated Gate Bipolar Transistors) — HEMTs (High Electron Mobility Transistors) — BJTs (Bipolar Junction Transistors) — SCRs (Thyristors and Silicon Controlled Rectifiers) — GTOs (Gate Turn-Off Thyristoren) — ETOs (Emitter Turn-Off Thyristoren) — PiN-Dioden — Schottky-Dioden Anmerkung 3 : Unternummer 3A001h erfasst nicht Schalter, Dioden oder 'Module'; die enthalten sind in Ausrüstung, welche entwickelt wurde für Anwendungen in zivilen Automobilen, zivilen Eisenbahnen oder "zivilen Flugzeugen". Technische Anmerkung: Im Sinne der Unternummer 3A001h enthält ein 'Modul' einen oder mehrere Halbleiter-Leistungsschalter oder Leistungsdioden. i. Elektrooptische Modulatoren für Stärke, Amplitude oder Phase, konstruiert für analoge Signale und mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. mit maximaler Betriebsfrequenz von mehr als 10 GHz, jedoch weniger als 20 GHz, und optischer Dämpfung kleiner/gleich 3 dB und mit einer der folgenden Eigenschaften: a. einer 'Halbwellenspannung' ('Vπ') unter 2,7 V, gemessen bei einer Frequenz von 1 GHz oder weniger; oder b. einer 'Vπ' unter 4 V, gemessen bei einer Frequenz über 1 GHz; oder 2. mit maximaler Betriebsfrequenz größer/gleich 20 GHz und optischer Dämpfung kleiner/gleich 3 dB und mit einer der folgenden Eigenschaften: a. einer 'Vπ' unter 3,3 V, gemessen bei einer Frequenz von 1 GHz oder weniger; oder b. einer 'Vπ' unter 5 V, gemessen bei einer Frequenz von mehr als 1 GHz; Anmerkung : Unternummer 3A001i schließt elektrooptische Modulatoren mit optischen Ein- und Ausgabeanschlüssen (z. B. fiberoptische Pigtails) ein. Technische Anmerkung: Im Sinne der Unternummer 3A001i ist eine 'Halbwellenspannung' ('Vπ') die angelegte Spannung, die benötigt wird, um einen Phasenwechsel von 180 Grad in der Wellenlänge des Lichts zu bewirken, das sich durch den optischen Modulator fortpflanzt. 3A002 "Elektronische Baugruppen", Module und Ausrüstung für allgemeine Zwecke wie folgt: a. Aufzeichnungsgeräte und Oszilloskope wie folgt: 1. nicht belegt; 2. nicht belegt; 3. nicht belegt; 4. nicht belegt; 5. nicht belegt; 6. digitale Datenrekorder mit allen folgenden Eigenschaften: a. dauerhafter 'kontinuierlicher Datendurchsatz' größer als 6,4 Gbit/s auf eine Festplatte oder auf ein Halbleiterlaufwerk und b. "Signaldatenverarbeitung" der Funkfrequenz-Signaldaten während diese aufgezeichnet werden; Technische Anmerkungen: Im Sinne der Unternummer 3A002a6 gilt: 1. Für Rekorder mit einer parallelen Bus-Architektur ist der 'kontinuierliche Datendurchsatz' die höchste Wortrate (word rate) multipliziert mit der Anzahl der Bit pro Wort. 2. 'Kontinuierlicher Datendurchsatz' ist die schnellste Datenrate (data rate), die das Gerät auf Festplatte oder Halbleiterlaufwerk aufzeichnen kann, während die Eingangsdatenrate oder die Digitalisierer-Wandlungsrate aufrechterhalten wird, ohne dass es zu Informationsverlust kommt. 7. Echtzeit-Oszilloskope mit einer Rauschspannung (quadratischer Mittelwert, vertikale Achse), von weniger als 2 % des vollen Skalenwerts bei der Skaleneinstellung für die vertikale Achse, bei der sich der geringste Rauschwert für Inputs mit einer 3-dB-Bandbreite von 60 GHz oder größer pro Kanal ergibt, Anmerkung : Unternummer 3A002a7 erfasst nicht Äquivalenzzeitoszilloskope. b. nicht belegt; c. "Signalanalysatoren" wie folgt: 1. "Signalanalysatoren", mit einer 3 dB-Auflösebandbreite (resolution bandwidth, RBW) größer als 40 MHz im Frequenzbereich größer als 31,8 GHz und kleiner/gleich 37 GHz, 2. "Signalanalysatoren", mit einem Displayed Average Noise Level (DANL) kleiner (besser) als -150 dBm/Hz innerhalb des Frequenzbereichs größe