Delegierte Verordnung (EU) 2023/2616 der Kommission vom 15. September 2023 zur Änderung der Verordnung (EU) 2021/821 des Europäischen Parlaments und des Rates in Bezug auf die Liste der Güter mit doppeltem Verwendungszweck

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rikum/Metall-"Verbundwerkstoff"lagen. 16. 'Gesintertes Wolframcarbid' bezieht sich nicht auf Werkstoffe oder Materialien für Schneid- und Formwerkzeuge aus Wolframcarbid/(Cobalt, Nickel), Titancarbid/(Cobalt, Nickel), Chromcarbid/Nickel-Chrom und Chromcarbid/Nickel. 17. "Technologie" für das Abscheiden von diamantartigem Kohlenstoff auf den folgenden Gegenständen, unterliegt nicht der Ausfuhrgenehmigungspflicht: Festplatten und Festplattenköpfe, Ausrüstung für die Herstellung von Einwegartikeln, Ventile für Wasserhähne, Lautsprechermembranen, Teile für Automobilmotoren, spangebende Werkzeuge, Stanz- und Presswerkzeuge, Ausrüstung für Büroautomation, Mikrofone, medizinische Geräte oder Formen für das Gießen oder Spritzen von Plastik, wenn sie aus Legierungen hergestellt sind, die weniger als 5 % Beryllium enthalten. 18. 'Siliziumcarbid' schließt nicht Materialien für spanende und umformende Werkzeuge ein. 19. Keramiksubstrate, wie sie in dieser Position benutzt werden, beinhalten nicht Keramikmaterialien mit einem Anteil größer/gleich 5 Gew.-% an Lehm oder Bindemittel als separater Bestandteil oder als Kombination. TECHNISCHE ANMERKUNGEN ZUR TABELLE — ABSCHEIDUNGSVERFAHREN Die in Spalte 1 der Tabelle angegebenen Verfahren sind wie folgt definiert: a. Chemische Beschichtung aus der Gasphase (CVD-Beschichten) ist ein Verfahren zum Aufbringen von Auflageschichten oder oberflächenverändernden Schichten, bei dem ein Metall, eine Legierung, ein "Verbundwerkstoff", ein Dielektrikum oder Keramik auf einem erhitzten Substrat abgeschieden wird. Gasförmige Reaktanten werden im oberflächennahen Bereich eines Substrats zersetzt oder verbunden, wobei der gewünschte Schichtstoff als Element, Legierung oder Verbindung auf dem Substrat abgeschieden wird. Die für die Zersetzung oder chemische Reaktion benötigte Energie wird entweder durch die Hitze des Substrats, durch die elektrische Entladung in einem Glimmlichtplasma oder durch "Laser"strahlen geliefert. Anmerkung 1 : Das CVD-Beschichten schließt folgende Verfahren ein: Abscheidung mittels gerichtetem Gasfluss ohne direkten Pulverkontakt des Substrats (out of pack), CVD-Beschichten mit pulsierendem Druck, thermische Zersetzung mit geregelter Keimbildung (CNTD), plasmaverstärktes oder -unterstütztes CVD-Beschichten. Anmerkung 2 : Pack-Beschichten bedeutet, dass ein Substrat in ein Pulvergemisch eingebettet wird. Anmerkung 3. Die beim Out-of-Pack-Verfahren verwendeten gasförmigen Reaktanten werden mit denselben Hauptreaktionen und Parametern erzeugt wie beim Pack-Beschichten, mit der Ausnahme, dass das zu beschichtende Substrat keinen Kontakt mit dem Pulvergemisch hat. b. Physikalische Beschichtung aus der Gasphase durch thermisches Verdampfen (TE-PVD = thermal evaporation physical vapour deposition) ist ein Beschichtungsverfahren zur Herstellung von Auflageschichten in einem Vakuum bei einem Druck von weniger als 0,1 Pa, wobei Wärmeenergie zum Verdampfen des Schichtwerkstoffes eingesetzt wird. Bei diesem Verfahren wird das dampfförmige Beschichtungsmaterial durch Kondensation oder Abscheidung auf entsprechend positionierten Substraten aufgebracht. Die Zufuhr von Gasen in die Vakuumkammer während des Beschichtungsvorgangs zum Zwecke der Synthese von zusammengesetzten Schichten ist eine übliche Variante dieses Verfahrens. Die Verwendung von Ionen- oder Elektronenstrahlen oder von Plasma zur Einleitung oder Förderung des Abscheidungsvorgangs ist ebenfalls eine übliche Variante dieses Verfahrens. Der Einsatz von Monitoren zur Messung der optischen Eigenschaften und der Schichtdicke während des Beschichtungsvorgangs kann ein Merkmal dieser Verfahren sein. Spezifische TE-PVD-Verfahren sind folgende: 1. Beim PVD-Beschichten mittels Elektronenstrahl wird das Beschichtungsmaterial mittels Elektronenstrahl erhitzt und verdampft. 2. Beim PVD-Beschichten mittels ionenunterstützter Widerstandsheizung werden Heizquellen mit elektrischem Widerstand in Kombination mit auftreffendem(n) Ionenstrahl(en) verwendet, mit dem ein kontrollierter und gleichmäßiger Fluss aus verdampftem Beschichtungsmaterial erzeugt wird. 3. Bei der "Laser"-Verdampfung werden zum Verdampfen des Beschichtungsmaterials Impuls-"Laser" oder Dauerstrich-"Laser" verwendet. 4. Bei der Kathodenzerstäubung durch Bogenentladung (Arc-Verdampfen) wird eine selbstverzehrende Kathode verwendet, die aus dem Beschichtungsmaterial besteht. Dabei wird durch den Momentkontakt einer geerdeten Zündelektrode auf der Kathodenoberfläche eine Lichtbogenentladung ausgelöst. Durch die kontrollierte Bewegung des Lichtbogens wird die Kathodenoberfläche abgetragen, wobei ein hochionisiertes Plasma entsteht. Als Anode kann entweder ein am Rande der Kathode über einem Isolator angebrachter Kegel oder die Kammer selbst verwendet werden. Bei nicht geradliniger Abscheidung wird an das Substrat eine Vorspannung angelegt. Anmerkung : Diese Definition beinhaltet nicht die Kathodenzerstäubungsabscheidung mit unkontrollierter Bogenentladung und Substraten ohne Vorspannung. 5. Ionenplattieren ist eine spezielle Variante eines allgemeinen TE-PVD-Verfahrens, bei dem ein Plasma oder eine Ionenquelle zur Ionisierung des Beschichtungsmaterials verwendet und an das Substrat eine negative Vorspannung angelegt wird, um die Abscheidung des Beschichtungsmaterials aus dem Plasma zu fördern. Die Einbringung von reaktiven Stoffen, die Verdampfung von Feststoffen im Reaktionsbehälter und der Einsatz von Monitoren zur Messung der optischen Eigenschaften und der Schichtdicke während des Beschichtungsvorgangs sind übliche Varianten dieses Verfahrens. c. Pack-Beschichten ist ein Verfahren zur Herstellung von oberflächenverändernden Schichten oder Auflageschichten, bei dem das Substrat in ein Pulvergemisch eingebettet wird, das aus folgenden Stoffen besteht: 1. den Metallpulvern, die abgeschieden werden sollen (normalerweise Aluminium, Chrom, Silizium oder Gemische daraus), 2. einem Aktivator (normalerweise einem Halogenid) und 3. einem inerten Pulver, in der Regel Aluminiumoxid. Das Substrat und das Pulvergemisch befinden sich in einer Retorte, die auf eine Temperatur zwischen 1 030 K (757 °C) und 1 375 K (1 102 °C) erhitzt wird, wobei die Haltezeit ausreichend bemessen sein muss, um die Beschichtung abzuscheiden. d. Plasmaspritzen ist ein Verfahren zur Herstellung von Auflageschichten, wobei mit einer Plasmaspritzpistole, die ein Plasma erzeugt und regelt, Spritzwerkstoffe in Pulver- oder Drahtform aufgenommen, aufgeschmolzen und auf die Oberfläche des Substrats geschleudert werden. Dabei entsteht auf dem Substrat eine homogene, gut haftende Schicht. Plasmaspritzen bezieht sich auf Niederdruckplasmaspritzen oder Hochgeschwindigkeitsplasmaspritzen. Anmerkung 1 : Niederdruck bezeichnet einen Druck unterhalb des normalen Atmosphärendrucks. Anmerkung 2 : Hochgeschwindigkeit bezieht sich auf eine Gasgeschwindigkeit am Düsenaustritt von mehr als 750 m/s bei einer Temperatur von 293 K (20 °C) und einem Druck von 0,1 MPa. e. Schlickerbeschichten (Aufbringen von Schichten durch Aufschlämmen) ist ein Verfahren zur Herstellung von oberflächenverändernden Schichten oder Auflageschichten, bei dem ein Metall- oder Keramikpulver zusammen mit einem organischen Binder in einer Flüssigkeit suspendiert und durch Aufspritzen, Tauchen oder Aufpinseln auf ein Substrat aufgebracht wird. Die gewünschte Schicht wird anschließend durch Luft- oder Ofentrocknung und Wärmebehandlung gebildet. f. Kathodenzerstäubungsbeschichtung (Sputtern/Aufstäuben) ist ein Verfahren zur Herstellung von Auflageschichten, das auf dem Prinzip der Impulsübertragung beruht. Dabei werden positiv geladene Ionen mithilfe eines elektrischen Feldes auf die Oberfläche eines Targets (Beschichtungsmaterial) geschossen. Die Bewegungsenergie der auftreffenden Ionen reicht aus, um Atome aus der Oberfläche des Targets herauszulösen, die sich auf einem entsprechend angebrachten Substrat niederschlagen. Anmerkung 1 : Die Tabelle bezieht sich ausschließlich auf das Abscheiden mittels Trioden- oder Magnetronanlagen oder reaktivem Aufstäuben, wodurch die Haftfestigkeit der Schicht und die Beschichtungsrate erhöht werden, sowie auf das beschleunigte Aufstäuben mittels einer am Target anliegenden HF-Spannung, wodurch nichtmetallische Schichtwerkstoffe zerstäubt werden können. Anmerkung 2 : Ionenstrahlen mit niedriger Energie (weniger als 5 keV) können verwendet werden, um die Abscheidung zu aktivieren. g. Ionenimplantation ist ein oberflächenveränderndes Beschichtungsverfahren, bei dem das zu legierende Element ionisiert, durch ein Spannungsgefälle beschleunigt und in die Oberfläche des Substrats implantiert wird. Dies schließt Verfahren ein, bei denen neben der Ionenimplantation gleichzeitig das PVD-Beschichten mittels Elektronenstrahl und das Sputtern/Aufstäuben zur Anwendung kommen. TEIL V Kategorie 3 KATEGORIE 3 — ALLGEMEINE ELEKTRONIK 3A Systeme, Ausrüstung und Bestandteile Anmerkung 1 : Die Erfassung der in den Nummern 3A001 oder 3A002 — ohne die Unternummern 3A001a3 bis 3A001a10 oder 3A001a12 bis 3A001a14 oder 3A001b12 — beschriebenen Ausrüstung, Baugruppen und Bauelemente, die besonders konstruiert sind oder dieselben Funktionsmerkmale wie andere Waren aufweisen, richtet sich nach deren Erfassungsstatus. Anmerkung 2 : Die Erfassung der in den Unternummern 3A001a3 bis 3A001a9 oder 3A001a12 bis 3A001a14 beschriebenen integrierten Schaltungen, die festprogrammiert sind oder für eine bestimmte Funktion entwickelt wurden, richtet sich nach dem Erfassungsstatus der Waren, in denen sie verwendet werden. Anmerkung : Wenn der Hersteller oder Ausführer den Erfassungsstatus der anderen für die Endbenutzung vorgesehenen Ware nicht festlegen kann, richtet sich die Erfassung der integrierten Schaltungen nach den Unternummern 3A001a3 bis 3A001a9 und 3A001a12 bis 3A001a14. Anmerkung 3 : Die Erfassung von (fertigen oder noch nicht fertigen) Wafern, deren Funktion festliegt, richtet sich nach den Parametern von Unternummer 3A001a, 3A001b, 3A001d, 3A001e4, 3A001g, 3A001h oder 3A001i. 3A001 Elektronische Bauelemente und Baugruppen (items) wie folgt: a. integrierte Schaltungen für allgemeine Anwendungen wie folgt: Anmerkung : Zu den integrierten Schaltungen gehören: — "monolithisch integrierte Schaltungen", — "integrierte Hybrid-Schaltungen", — "integrierte Multichip-Schaltungen", — "integrierte Schichtschaltungen" einschließlich integrierter Schaltungen in SOS-Technologie, — "integrierte optische Schaltungen", — "dreidimensionale integrierte Schaltungen", — "monolithisch integrierte Mikrowellenschaltungen" ("MMICs"). 1. integrierte Schaltungen, entwickelt oder ausgelegt für eine der folgenden Strahlungsfestigkeiten: a. Gesamtdosis größer/gleich 5 × 103 Gy (Silizium), b. Dosisrate größer/gleich 5 × 106 Gy (Silizium)/s oder c. integrierter Teilchenfluss (integrated flux) der Neutronen (1 MeV-Äquivalent) größer/gleich 5 ×1013 n/cm2 bezogen auf Silizium oder der äquivalente Wert für andere Materialien, Anmerkung : Unternummer 3A001a1c erfasst nicht Metall/Isolator/Halbleiter-Strukturen (MIS-Strukturen). 2. "Mikroprozessoren", "Mikrocomputer", Mikrocontroller, aus einem Verbindungshalbleiter hergestellte integrierte Speicherschaltungen, Analog-Digital-Wandler, integrierte Schaltungen, die Analog-Digital-Wandler enthalten und die digitalisierten Daten speichern oder verarbeiten, Digital-Analog-Wandler, elektrooptische oder "integrierte optische Schaltungen" für die "Signaldatenverarbeitung", anwenderprogrammierbare Logikschaltkreise (FPLDs), kundenspezifische integrierte Schaltungen, deren Funktion oder deren Erfassungsstatus in Bezug auf die Endbenutzergeräte unbekannt ist, FFT-Prozessoren (Fast Fourier Transform), statische Schreib-Lese-Speicher (SRAM) oder 'nichtflüchtige Speicher' mit einer der folgenden Eigenschaften: a. ausgelegt für eine Betriebstemperatur über 398 K (125 °C), b. ausgelegt für eine Betriebstemperatur unter 218 K (–55 °C) oder c. ausgelegt für einen Betriebstemperaturbereich von 218 K (–55 °C) bis 398 K (125 °C), Anmerkung : Unternummer 3A001a2 erfasst keine integrierten Schaltungen, die für zivile Kraftfahrzeuge oder Eisenbahnzüge konstruiert sind. Technische Anmerkung: Im Sinne der Unternummer 3A001a2 sind 'nichtflüchtige Speicher' Speicher mit einer Datenspeicherung über einen gewissen Zeitraum nach Abschaltung. 3. "Mikroprozessoren", "Mikrocomputer" und Mikrocontroller, hergestellt aus einem Verbindungshalbleiter und mit einer Taktfrequenz größer als 40 MHz, Anmerkung : Unternummer 3A001a3 schließt digitale Signal-Prozessoren, Vektorprozessoren und Coprozessoren ein. 4. nicht belegt; 5. Integrierte Schaltungen von Analog-Digital-Wandlern (Analogue-to-Digital Converters, ADCs) und Digital-Analog-Wandlern (Digital-to-Analogue Converters, DACs) wie folgt: a. ADCs mit einer der folgenden Eigenschaften: Anmerkung : SIEHE AUCH NUMMER 3A101. 1. Auflösung größer/gleich 8 bit, aber kleiner als 10 bit, mit einer "Abtastrate" größer als 1,3 Gigasamples pro Sekunde (GSPS), 2. Auflösung größer/gleich 10 bit, aber kleiner als 12 bit, mit einer "Abtastrate" größer als 600 Megasamples pro Sekunde (MSPS), 3. Auflösung größer/gleich 12 bit, aber kleiner als 14 bit, mit einer "Abtastrate" größer als 400 MSPS, 4. Auflösung größer/gleich 14 bit, aber kleiner als 16 bit, mit einer "Abtastrate" größer als 250 MSPS, oder 5. Auflösung größer/gleich 16 bit und mit einer "Abtastrate" größer als 65 MSPS Anmerkung : Für integrierte Schaltungen, die Analog-Digital-Wandler enthalten und die digitalisierten Daten speichern oder verarbeiten, siehe Unternummer 3A001a14. Technische Anmerkungen: Im Sinne der Unternummer 3A001a5a gilt: 1. Eine Auflösung von n Bit entspricht einer Quantisierung von 2n Zuständen. 2. Die Auflösung des ADC ist die Anzahl der Bits in der digitalen Ausgabe, die der gemessenen analogen Eingabe entspricht. Die effektive Anzahl von Bits (effective number of bits — ENOB) wird für die Ermittlung der Auflösung des ADC nicht verwendet. 3. Bei "Mehrkanal-ADCs" wird die "Abtastrate" nicht zusammengefasst (aggregated). Die "Abtastrate" ist die maximale Rate jedes einzelnen Kanals. 4. Bei "Interleaved-ADCs" oder bei "Mehrkanal-ADCs", die auch für den Interleaved-Modus spezifiziert sind, werden die "Abtastraten" zusammengefasst (aggregated). Die "Abtastrate" ist die maximale Gesamtrate (maximum combined total rate) aller Interleaved-Kanäle. b. DACs mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Auflösung größer/gleich 10 bit, aber kleiner als 12 bit, mit einer 'angepassten Update-Rate' größer als 3 500 MSPS, oder 2. Auflösung größer/gleich 12 bit und mit einer der folgenden Eigenschaften: a. 'Angepasste Update-Rate' größer als 1 250 MSPS, aber kleiner/gleich 3 500 MSPS und mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. "Einstellzeit" von Vollaussteuerung (full scale) auf 0,024 % oder weniger der Vollaussteuerung kleiner als 9 ns oder 2. 'Störungsfreier Dynamikbereich' größer 68 dBc (Träger) bei der Erzeugung eines vollausgesteuerten (full scale) Analogsignals von 100 MHz oder der höchsten spezifizierten Frequenz kleiner 100 MHz für die Erzeugung des vollausgesteuerten (full scale) Analogsignals oder b. 'angepasste Update-Rate' größer als 3 500 MSPS. Technische Anmerkungen: Im Sinne der Unternummer 3A001a5b gilt: 1. 'Störungsfreier Dynamikbereich' (spurious free dynamic range, SFDR) ist das Verhältnis des Effektivwertes (RMS Value) der Trägerfrequenz (maximale Signalkomponente) am Eingang des DAC zum Effektivwert (RMS Value) der nächst größeren Rausch- oder Oberwellenkomponente an seinem Ausgang. 2. Der SFDR wird direkt durch die Tabelle der technischen Daten oder das Diagramm des SFDR über der Frequenz bestimmt. 3. Ein Signal gilt als vollausgesteuert (full scale), wenn seine Amplitude größer als — 3 dBfs (full scale) ist. 4. 'Angepasste Update-Rate' (adjusted update rate) für DACs: a. Bei konventionellen (nicht interpolierenden) DACs ist die 'angepasste Update-Rate' die Rate, bei welcher das Digitalsignal in ein Analogsignal gewandelt wird und die Analogwerte am Ausgang durch den DAC verändert werden. DACs, bei denen der Interpolationsmodus umgangen werden kann (Interpolationsfaktor gleich Eins), werden als konventionelle (nicht interpolierende) DACs angenommen. b. Bei interpolierenden DACs (Oversampling DACs) ist die 'angepasste Update-Rate' die Update Rate des DAC geteilt durch den kleinsten Interpolationsfaktor. Bei interpolierenden DACs kann die 'angepasste Update-Rate' auch anders genannt sein, einschließlich: — Eingangsdatenrate (input data rate) — Eingangswortrate (input word rate) — Eingangsabtastrate (input sample rate) — maximale Gesamteingangsbusrate (maximum total input bus rate) — maximale DAC-Taktrate für den DAC-Takteingang (maximum DAC clock rate for DAC clock input). 6. elektrooptische oder "integrierte optische Schaltungen", entwickelt für die "Signaldatenverarbeitung" und mit allen folgenden Eigenschaften: a. mit einer oder mehreren internen "Laser"-Diode(n), b. mit einem oder mehreren internen lichtempfindlichen Element(en) und c. mit optischen Strahlführungselementen. 7. Anwenderprogrammierbare Logikschaltkreise (FPLDs) mit einer der folgenden Eigenschaften: a. maximale Anzahl digitaler single-ended Ein-/Ausgaben größer als 700 oder b. 'aggregierte serielle Spitzendatenrate des Transceivers bei Einwegübertragung' größer/gleich 500 Gb/s; Anmerkung : Unternummer 3A001a7 schließt ein: — CPLDs (Complex Programmable Logic Devices), — FPGAs (Field Programmable Gate Arrays), — FPLAs (Field Programmable Logic Arrays), — FPICs (Field Programmable Interconnects). Anmer