Delegierte Verordnung (EU) 2022/1 der Kommission vom 20. Oktober 2021 zur Änderung der Verordnung (EU) 2021/821 des Europäischen Parlaments und des Rates in Bezug auf die Liste der Güter mit doppeltem Verwendungszweck

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en, die entlang drei verschiedenen Achsen angeordnet sind, 2. mit einer Gesamt-‚Beschleunigungsempfindlichkeit‘ besser als 48 dB (bezogen auf 1 000 mV rms je 1 g), 3. konstruiert für den Betrieb in Wassertiefen größer als 35 m und 4. Betriebsfrequenz unter 20 kHz. Anmerkung: Unternummer 6A001a2g erfasst nicht Partikelgeschwindigkeitssensoren oder Geofone. Technische Anmerkungen: 1. Beschleunigungsbasierte hydroakustische Sensoren werden auch als Vektorsensoren bezeichnet. 2. Die ‚Beschleunigungsempfindlichkeit‘ wird definiert als 20 × log10 des Effektivwerts (rms) der Ausgangsspannung, bezogen auf 1 V, wenn sich der hydroakustische Sensor ohne einen Vorverstärker in einem ebenen Schallwellenfeld mit einer effektiven Beschleunigung von 1 g (d. h. 9,81 m/s2) befindet. b. Sonarausrüstung zur Messung der Korrelations- oder Dopplergeschwindigkeit, konstruiert zur Messung der horizontalen Geschwindigkeit des Geräteträgers in Bezug zum Meeresboden, wie folgt: 1. Sonarausrüstung zur Messung der Korrelationsgeschwindigkeit mit einer der folgenden Eigenschaften: a. konstruiert für den Betrieb bei Entfernungen zwischen Träger und Meeresboden größer als 500 m oder b. mit einer Mess„genauigkeit“ der Geschwindigkeit besser als 1 %, 2. Sonarausrüstung zur Messung der Dopplergeschwindigkeit, mit einer Mess„genauigkeit“ der Geschwindigkeit besser als 1 %, Anmerkung 1: Unternummer 6A001b erfasst nicht akustische Tiefenmesser, beschränkt auf folgende Anwendungen: a. Messung der Wassertiefe, b. Messung der Entfernung von unter der Wasseroberfläche oder im Boden befindlichen Objekten oder c. Fischortung. Anmerkung 2: Unternummer 6A001b erfasst nicht Ausrüstung, besonders konstruiert für den Einbau in Überwasserschiffe. c. nicht belegt. 6A002 Optische Sensoren oder Ausrüstung und Bestandteile hierfür wie folgt: Anmerkung: SIEHE AUCH NUMMER 6A102. a. optische Detektoren wie folgt: 1. „weltraumgeeignete“ Halbleiterdetektoren wie folgt: Anmerkung: Für die Zwecke der Unternummer 6A002a1 umfassen Halbleiterdetektoren auch „Focal-plane-arrays“. a. „weltraumgeeignete“ Halbleiterdetektoren mit allen folgenden Eigenschaften: 1. Spitzenempfindlichkeit innerhalb des Wellenlängenbereichs größer als 10 nm und kleiner/gleich 300 nm und 2. Empfindlichkeit kleiner als 0,1 % bezogen auf die Spitzenempfindlichkeit bei einer Wellenlänge größer als 400 nm, b. „weltraumgeeignete“ Halbleiterdetektoren mit allen folgenden Eigenschaften: 1. Spitzenempfindlichkeit innerhalb des Wellenlängenbereichs größer als 900 nm und kleiner/gleich 1 200 nm, und 2. Ansprech„zeitkonstante“ kleiner/gleich 95 ns, c. „weltraumgeeignete“ Halbleiterdetektoren mit einer Spitzenempfindlichkeit innerhalb des Wellenlängenbereichs von größer als 1 200 nm und kleiner/gleich 30 000 nm, d. „weltraumgeeignete“ „Focal-plane-arrays“ mit mehr als 2 048 Elementen pro Array und einer Spitzenempfindlichkeit im Wellenlängenbereich größer als 300 nm und kleiner/gleich 900 nm; 2. Bildverstärkerröhren und besonders konstruierte Bestandteile hierfür wie folgt: Anmerkung: Unternummer 6A002a2 erfasst keine nicht-bildgebenden Fotomultiplierröhren mit einem elektronensensitiven Element innerhalb des Vakuums und beschränkt auf eines der Folgenden: a. eine einzelne Metallanode oder b. Metallanoden mit einem Zentrum-Zentrum-Abstand größer als 500 μm. Technische Anmerkung: ‚Ladungsverstärkung‘ (charge multiplication) ist eine Form der elektronischen Bildverstärkung und wird definiert als die Ladungsträgererzeugung aufgrund von Stoßionisationsprozessen (impact ionization gain process). Sensoren, die diesen Effekt verwenden, können in Form von Bildverstärkerröhren, Halbleiterdetektoren oder „Focal-Plane-Arrays“ vorliegen. a. Bildverstärkerröhren mit allen folgenden Eigenschaften: 1. Spitzenempfindlichkeit innerhalb des Wellenlängenbereichs größer als 400 nm und kleiner/gleich 1 050 nm, 2. elektronische Bildverstärkung mit einer der folgenden Eigenschaften: a. Mikrokanalplatte mit einem Lochabstand (Lochmitte zu Lochmitte) kleiner/gleich 12 μm oder b. elektronensensitives Element mit einem Abstand der ungebinnten Bildpunkte (non-binned pixel pitch) kleiner/gleich 500 μm, besonders konstruiert oder geändert für die ‚Ladungsverstärkung‘ (charge multiplication) auf andere Weise als mithilfe einer Mikrokanalplatte, und 3. eine der folgenden Fotokathoden: a. multialkalische Fotokathode (z. B. S-20 und S-25) mit einer Lichtempfindlichkeit (luminous sensitivity) von mehr als 350 μA/lm, b. GaAs- oder GaInAs-Fotokathode oder c. andere „III/V-Verbindungs“halbleiter-Fotokathoden mit einer maximalen „Strahlungsempfindlichkeit“ (radiant sensitivity) größer als 10 mA/W; b. Bildverstärkerröhren mit allen folgenden Eigenschaften: 1. Spitzenempfindlichkeit innerhalb des Wellenlängenbereichs größer als 1 050 nm und kleiner/gleich 1 800 nm, 2. elektronische Bildverstärkung mit einer der folgenden Eigenschaften: a. Mikrokanalplatte mit einem Lochabstand (Lochmitte zu Lochmitte) kleiner/gleich 12 μm oder b. elektronensensitives Element mit einem Abstand der ungebinnten Bildpunkte (non-binned pixel pitch) kleiner/gleich 500 μm, besonders konstruiert oder geändert für die ‚Ladungsverstärkung‘ (charge multiplication) auf andere Weise als mithilfe einer Mikrokanalplatte, und 3. Fotokathoden aus einem „III/V-Verbindungs“halbleiter (z. B. GaAs oder GaInAs) und Fotokathoden mit Transferelektronen (transferred electron photocathodes) mit einer maximalen „Strahlungsempfindlichkeit“ (radiant sensitivity) größer als 15 mA/W, c. besonders konstruierte Bestandteile wie folgt: 1. Mikrokanalplatten mit einem Lochabstand (Lochmitte zu Lochmitte) kleiner/gleich 12 μm, 2. elektronensensitives Element mit einem Abstand der ungebinnten Bildpunkte (non-binned pixel pitch) kleiner/gleich 500 μm, besonders konstruiert oder geändert für die ‚Ladungsverstärkung‘ (charge multiplication) auf andere Weise als mithilfe einer Mikrokanalplatte, 3. Fotokathoden aus einem „III/V-Verbindungs“halbleiter (z. B. GaAs oder GaInAs) und Fotokathoden mit Transferelektronen (transferred electron photocathodes), Anmerkung: Unternummer 6A002a2c3 erfasst nicht Verbindungshalbleiter-Fotokathoden, entwickelt um einen der folgenden Werte der maximalen „Strahlungsempfindlichkeit“ (radiant sensitivity) zu erreichen: a. kleiner/gleich 10 mA/W bei einer Spitzenempfindlichkeit innerhalb des Wellenlängenbereichs größer als 400 nm und kleiner/gleich 1 050 nm oder b. kleiner/gleich 15 mA/W bei einer Spitzenempfindlichkeit innerhalb des Wellenlängenbereichs größer als 1 050 nm und kleiner/gleich 1 800 nm. 3. nicht „weltraumgeeignete“„Focal-plane-arrays“ wie folgt: Anmerkung: Nicht „weltraumgeeignete“ „Focal-plane-arrays“ in ‚Mikrobolometer‘-Bauart sind ausschließlich in Unternummer 6A002a3f aufgeführt. Technische Anmerkung: Detektorarrays mit mehreren Elementen in Zeilenanordnung oder zweidimensionaler Anordnung gelten als „Focal-plane-arrays“. Anmerkung 1: Unternummer 6A002a3 schließt fotoleitende und fotovoltaische Anordnungen (arrays) ein. Anmerkung 2: Unternummer 6A002a3 erfasst nicht: a. gekapselte fotoleitende Multielementzellen mit maximal 16 Elementen aus Bleisulfid oder Bleiselenid, b. pyroelektrische Detektoren aus einem der folgenden Materialien: 1. Triglycinsulfat (TGS) und Derivate, 2. Blei-Lanthan-Zirkonium-Titanat (PLZT) und Derivate, 3. Lithiumtantalat, 4. Polyvinylidenfluorid (PVDF) und Derivate oder 5. Strontium-Barium-Niobat (SBN) und Derivate, c. „Focal-Plane-Arrays“, besonders konstruiert oder geändert für die ‚Ladungsverstärkung‘ (charge multiplication) und mit einer durch die Konstruktion begrenzten maximalen „Strahlungsempfindlichkeit“ (radiant sensitivity) von kleiner/gleich 10 mA/W bei Wellenlängen größer als 760 nm, mit allen folgenden Eigenschaften: 1. mit einer die Empfindlichkeit (response) begrenzenden Vorrichtung, deren Ausbau oder Umbau nicht vorgesehen ist, und 2. mit einer der folgenden Eigenschaften: a. die begrenzende Vorrichtung ist integriert in das Detektorelement oder verbunden mit dem Detektorelement. oder b. das „Focal-Plane-Array“ ist nur funktionsfähig, wenn die begrenzende Vorrichtung eingesetzt ist, Technische Anmerkung: Eine in das Detektorelement integrierte, begrenzende Vorrichtung ist so konstruiert, dass sie nicht entfernt oder umgebaut werden kann, ohne den Detektor funktionsunfähig zu machen. d. Anordnungen von Thermosäulen (thermopile arrays) mit weniger als 5 130 Elementen. Technische Anmerkung: ‚Ladungsverstärkung‘ (charge multiplication) ist eine Form der elektronischen Bildverstärkung und wird definiert als die Ladungsträgererzeugung aufgrund von Stoßionisationsprozessen (impact ionization gain process). Sensoren, die diesen Effekt verwenden, können in Form von Bildverstärkerröhren, Halbleiterdetektoren oder „Focal-Plane-Arrays“ vorliegen. a. nicht „weltraumgeeignete“„Focal-Plane-Arrays“ mit allen folgenden Eigenschaften: 1. bestehend aus Einzelelementen mit einer Spitzenempfindlichkeit innerhalb des Wellenlängenbereichs größer als 900 nm und kleiner/gleich 1 050 nm und 2. mit einer der folgenden Eigenschaften: a. Ansprech„zeitkonstante“ kleiner als 0,5 ns oder b. besonders konstruiert oder geändert für die ‚Ladungsverstärkung‘ (charge multiplication) und mit einer maximalen „Strahlungsempfindlichkeit“ (radiant sensitivity) größer als 10 mA/W, b. nicht „weltraumgeeignete“„Focal-Plane-Arrays“ mit allen folgenden Eigenschaften: 1. bestehend aus Einzelelementen mit einer Spitzenempfindlichkeit innerhalb des Wellenlängenbereichs größer als 1 050 nm und kleiner/gleich 1 200 nm und 2. mit einer der folgenden Eigenschaften: a. Ansprech„zeitkonstante“ kleiner/gleich 95 ns, oder b. besonders konstruiert oder geändert für die ‚Ladungsverstärkung‘ (charge multiplication) und mit einer maximalen „Strahlungsempfindlichkeit“ (radiant sensitivity) größer als 10 mA/W, c. nicht „weltraumgeeignete“ nichtlineare (zweidimensionale) „Focal-plane-arrays“, bestehend aus Einzelelementen mit einer Spitzenempfindlichkeit innerhalb des Wellenlängenbereichs größer als 1 200 nm und kleiner/gleich 30 000 nm, Anmerkung: Nicht „weltraumgeeignete“ „Focal-plane-arrays“ in ‚Mikrobolometer‘-Bauart aus Silizium oder anderen Materialien sind ausschließlich in Unternummer 6A002a3f aufgeführt. d. nicht „weltraumgeeignete“ lineare (eindimensionale) „Focal-plane-arrays“ mit allen folgenden Eigenschaften: 1. bestehend aus Einzelelementen mit einer Spitzenempfindlichkeit innerhalb des Wellenlängenbereichs größer als 1 200 nm und kleiner/gleich 3 000 nm und 2. mit einer der folgenden Eigenschaften: a. Verhältnis der Detektorelementabmessung in der ‚Abtastrichtung‘ zur Detektorelementabmessung in der ‚Querabtastrichtung‘ kleiner als 3,8 oder b. Signalverarbeitung in den Detektorelementen, Anmerkung: Unternummer 6A002a3d erfasst nicht „Focal-Plane-Arrays“ mit maximal 32 Detektorelementen, die nur aus Germanium hergestellt sind. Technische Anmerkung: Im Sinne von Unternummer 6A002a3d wird die ‚Querabtastrichtung‘ als die Achse parallel zur linearen Anordnung der Detektorelemente und die ‚Abtastrichtung‘ als die Achse senkrecht zur linearen Anordnung der Detektorelemente definiert. e. nicht „weltraumgeeignete“ lineare (eindimensionale) „Focal-plane-arrays“, bestehend aus Einzelelementen mit einer Spitzenempfindlichkeit innerhalb des Wellenlängenbereichs größer als 3 000 nm und kleiner/gleich 30 000 nm, f. nicht „weltraumgeeignete“ nichtlineare (zweidimensionale) Infrarot-„Focal-plane-arrays“ aus ‚Mikrobolometer‘-Materialien, bestehend aus Einzelelementen, mit einer Empfindlichkeit ohne Filter (unfiltered response) innerhalb des Wellenlängenbereiches von größer/gleich 8 000 nm und kleiner/gleich 14 000 nm, Technische Anmerkung: Im Sinne von Unternummer 6A002a3f wird ‚Mikrobolometer‘ als ein Wärmebilddetektor definiert, der dazu verwendet wird, bei einer Veränderung der Temperatur im Detektionsmaterial aufgrund von absorbierter Infrarotstrahlung ein beliebiges, verwertbares Ausgangssignal zu erzeugen. g. nicht „weltraumgeeignete“„Focal-Plane-Arrays“ mit allen folgenden Eigenschaften: 1. bestehend aus Einzelelementen mit einer Spitzenempfindlichkeit innerhalb des Wellenlängenbereichs größer als 400 nm und kleiner/gleich 900 nm, 2. besonders konstruiert oder geändert für die ‚Ladungsverstärkung‘ (charge multiplication) und mit einer maximalen „Strahlungsempfindlichkeit“ (radiant sensitivity) größer als 10 mA/W bei Wellenlängen größer als 760 nm und 3. mehr als 32 Elemente, b. „monospektrale Bildsensoren“ und „multispektrale Bildsensoren“, entwickelt für die Fernerkennung, mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. momentaner Bildfeldwinkel (IFOV, Instantaneous Field Of View) kleiner als 200 μrad (Mikroradiant) oder 2. spezifiziert für Betrieb im Wellenlängenbereich größer als 400 nm und kleiner/gleich 30 000 nm und mit allen folgenden Eigenschaften: a. Ausgabe von Bilddaten in Digitalformat und b. mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. „weltraumgeeignet“, oder 2. entwickelt für Luftfahrtbetrieb, unter Verwendung anderer als Silizium-Detektoren und mit einem momentanen Bildfeldwinkel (IFOV) kleiner als 2,5 mrad (Milliradiant), Anmerkung: Unternummer 6A002b1 erfasst nicht „monospektrale Bildsensoren“ mit einer Spitzenempfindlichkeit innerhalb des Wellenlängenbereichs größer als 300 nm und kleiner/gleich 900 nm, die lediglich nicht „weltraumgeeignete“ Detektoren oder nicht „weltraumgeeignete“ „Focal-plane-arrays“ wie folgt enthalten: 1. ladungsgekoppelte Geräte (Charge Coupled Devices (CCD)), nicht konstruiert oder geändert zur Erzielung einer ,Ladungsverstärkung‘ (charge multiplication), oder 2. Geräte mit komplementären Metall-Oxid-Halbleitern (CMOS), nicht konstruiert oder geändert zur Erzielung einer ‚Ladungsverstärkung‘ (charge multiplication). c. Ausrüstung zur ‚direkten Bildwandlung‘ mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Bildverstärkerröhren, erfasst von Unternummer 6A002a2a oder 6A002a2b, 2. „Focal-plane-arrays“, erfasst von Unternummer 6A002a3, oder 3. Halbleiterdetektoren, erfasst von Unternummer 6A002a1, Technische Anmerkung: ‚Direkte Bildwandlung‘ bezieht sich auf Bildausrüstung, die einem Beobachter ein sichtbares Bild ohne Umwandlung in ein elektronisches Signal für TV-Bildschirme liefert. Dabei kann das Bild nicht fotografisch, elektronisch oder durch andere Mittel aufgezeichnet oder gespeichert werden. Anmerkung: Unternummer 6A002c erfasst nicht folgende Ausrüstung, wenn sie andere als GaAs- oder GaInAs-Fotokathoden enthält: a. industrielle oder zivile Einbruch-Alarmanlagen, Bewegungsmelder und Zählsysteme für den Verkehr oder für industrielle Anwendungen, b. medizinische Geräte, c. industrielle Ausrüstung zum Prüfen, Sortieren oder Analysieren von Werkstoffeigenschaften, d. Flammenwächter für industrielle Öfen, e. Geräte, besonders entwickelt zum Einsatz in Laboratorien. d. Teile für optische Sensoren wie folgt: 1. „weltraumgeeignete“ kryogenische Kühler, 2. nicht „weltraumgeeignete“ kryogenische Kühler mit einer Kühlerausgangstemperatur unter 218 K (-55 °C) wie folgt: a. geschlossener Kühlmittelkreislauf mit einer spezifizierten mittleren Zeit bis zum Ausfall (MTTF, Mean Time To Failure) oder mit einer mittleren Zeit zwischen zwei Ausfällen (MTBF, Mean Time Between Failures) größer als 2 500 Stunden, b. selbstregelnde Joule-Thomson-Miniaturkühler für Bohrungsdurchmesser kleiner als 8 mm, 3. optische Fasern für Sensorzwecke, besonders gefertigt, entweder durch die Zusammensetzung oder die Struktur, oder durch Beschichtung so verändert, dass sie akustisch, thermisch, trägheitsmäßig, elektromagnetisch oder für ionisierende Strahlung empfindlich sind; Anmerkung: