Delegierte Verordnung (EU) 2025/2003 der Kommission vom 8. September 2025 zur Änderung der Verordnung (EU) 2021/821 des Europäischen Parlaments und des Rates in Bezug auf die Liste der Güter mit doppeltem Verwendungszweck

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Ergänzende Anmerkung: SIEHE AUCH UNTERNUMMER 3B001f1. k. Ausrüstung, konstruiert für das Trockenätzen (Dry-Etching), mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Ausrüstung, konstruiert oder geändert zum isotropen Trockenätzen mit einer maximalen ‚Siliziumgermanium zu Silizium Ätzselektivität (SiGe:Si)‘ größer/gleich 100:1 oder 2. Ausrüstung, konstruiert oder geändert zum anisotropen Trockenätzen mit allen folgenden Eigenschaften: a. Radiofrequenzstromquelle(n) mit mindestens einem gepulsten Radiofrequenzausgang, b. ein oder mehrere schnellschaltende Gasventile mit Schaltzeiten kleiner als 300 Millisekunden und c. Elektrostatischer Aufnahmevorrichtung (electristatic chuck) mit 20 oder mehr einzeln regelbaren Temperaturelementen. Anmerkung 1: Unternummer 3B501k schließt das Ätzen durch ‚Radikale‘, Ionen sowie durch sequenzielle oder nichtsequenzielle Reaktionen ein. Anmerkung 2: Nummer 3B501.k.2 schließt das Ätzen unter Verwendung von hochfrequent pulsangeregtem Plasma (RF pulse excited plasma), von pulsangeretem Plasma mit Austastlücke (pulsed duty cycle excited plasma), von pulsangeretem Plasma, das durch Spannungsanlegen an die Elektroden modifiziert wird (pulsed voltage on electrodes modified plasma), von Plasmaätzverfahren mit zyklischem Einleiten und Ausspülen von Gasen (cyclic injection and purging of gases combined with a plasma), Atomic-Layer-Plasmaätzen (plasma atomic layer etching) oder Quasi-Atomic-Layer-Plasmaätzen (plasma quasi-atomic layer etching) ein. Technische Anmerkungen: Im Sinne der Unternummer 3B501k gilt: 1. Die ‚Siliziumgermanium zu Silizium Ätzselektivität (SiGe:Si)‘wird für eine Germaniumkonzentration größer/gleich 30 % (Si0,70 Ge0,30) gemessen. 2. Ein ‚Radikal‘ wird als ein Atom, Molekül oder Ion mit einem ungepaarten Elektron in offener Elektronenschalenkonfiguration definiert. l. ‚Extrem-Ultraviolett‘- (‚EUV‘) Masken und Reticles, konstruiert für integrierte Schaltungen, nicht von Unternummer 3B001g erfasstund bestehend aus einem von Unternummer 3B001j erfassten Masken-„Substratrohling“ ; Technische Anmerkungen: 1. Im Sinne der Unternummer 3B501l gelten Masken oder Reticles mit aufgebrachtem ‚Pellikel‘ als Masken und Reticles. 2. Im Sinne der Unternummer 3B501l bezeichnet ‚EUV‘ (‚Extrem-Ultraviolett‘) den Spektralbereich elektromagnetischer Strahlung mit Wellenlängen über 5 nm und weniger als 124 nm. m. ‚ Pellikel ‘ besonders konstruiert für die ‚EUV‘-Lithografie. Technische Anmerkungen: 1. Im Sinne der Unternummer 3B501m ist ein ‚Pellikel‘ eine in einen Rahmen gespannte Membran, konstruiert, um eine Maske oder ein Reticle vor Partikelkontamination zu schützen. 2. Im Sinne der Unternummer 3B501m bezeichnet ‚Extrem-Ultraviolett‘ (‚EUV‘) den Spektralbereich elektromagnetischer Strahlung mit Wellenlängen über 5 nm und weniger als 124 nm. n. Beschichtungsausrüstung für die Halbleiterherstellung wie folgt: 1. Ausrüstung für die Atomlagenabscheidung (Atomic Layer Deposition, ALD) wie folgt: a. Ausrüstung, konstruiert für die Abscheidung von Wolfram, um eine vollständige Verbindung (interconnect) oder einen Kanal kleiner als 40 nm zu füllen; b. Ausrüstung, konstruiert für die ‚bereichsselektive Abscheidung‘ (area selective depostion) einer Metall- oder Metallnitrid-Seitenwandbarriere (sidewall barrier) unter Verwendung eines metallorganischen Prekursors; Technische Anmerkung: Im Sinne der Unternummer 3B501n1b bezieht sich ‚bereichsselektive Abscheidung‘ (area selective deposition) auf die Abscheidung von Material auf der Seitenwand, nicht aber auf den Boden einer Struktur. c. Ausrüstung, konstruiert für die Abscheidung einer ‚Work Function Metal‘-Schicht aus Titan-Aluminium-Carbid (TiAlC) mit einer Austrittsarbeit (work function) größer als 4,0 eV und allen folgenden Eigenschaften: 1. mehr als eine Metallquelle, von denen eine als Aluminium-Prekursor fungiert, und 2. einem Prekursorbehälter, konstruiert für den Betrieb bei einer Temperatur größer/gleich 303,15 K (30 °C); Technische Anmerkung: Im Sinne der Unternummer 3B501n1c ist ein ‚Work Function Metal‘ ein Werkstoff, der die Schwellenspannung eines Transistors steuert. 2. Ausrüstung, konstruiert für Kobalt-Galvanisierung (cobalt plating) oder stromlose Kobalt-Abscheidungsprozesse (cobalt electroless-plating); 3. Ausrüstung, konstruiert für die chemische Gasphasenabscheidung (CVD) von Kobaltfüllmetall (cobalt fill metal); 4. Ausrüstung, konstruiert für die ‚selektive Bottom-Up‘-CVD (Chemische Gasphasenabscheidung) von Wolframfüllmetall (tungsten fill metal); Technische Anmerkung: Im Sinne der Unternummer 3B501n4 bezieht sich ‚selektives Bottom-Up‘-CVD auf die bevorzugte Abscheidung von Material auf dem Boden im Vergleich zur Seitenwand. 5. Ausrüstung, konstruiert für die fehlstellenfreie plasmaunterstützte Abscheidung einer Schicht mit einer Dielektrizitätskonstanten kleiner als 3,3 in ‚Spalten‘ mit einem ‚Seitenverhältnis‘ von 1:1 oder größer und einer Breite von weniger als 25 nm; Technische Anmerkungen: Im Sinne der Unternummer 3B501n5 gilt: 1. Ein ‚Spalt‘ ist der Raum zwischen Metallbahnen. 2. Das ‚Seitenverhältnis‘ (Tiefe : Breite) wird definiert als dasVerhältnis der Tiefe zur Breite des Spaltes zwischen den Metallbahnen. 6. Ausrüstung, konstruiert für die Abscheidung einer Rutheniumschicht unter Verwendung eines metallorganischen Prekursors, wobei das Wafersubstrat auf eine Temperatur größer als 293,15 K (20 °C) und kleiner als 773,15 K (500 °C) gehalten wird; 7. Ausrüstung, konstruiert für die mehrstufige Bearbeitung in mehreren Kammern und die Aufrechterhaltung eines Hochvakuums oder einer inerten Athmosphäre während des Transfers zwischen den Prozessschritten wie folgt: a. Ausrüstung, konstruiert für die Herstellung eines Metallkontakts durch Ausführung aller folgender Prozesse: 1. Oberflächenbehandlungs-Plasmaverfahren unter Verwendung von Wasserstoff, Wasserstoff-/Stickstoff-Gemisch oder Amoniak ((NH3), wobei das Wafersubstrat auf einer Temperatur größer als 373,15 K (100 °C) und kleiner als 773,15 K (500 °C) gehalten wird; 2. Oberflächenbehandlungs-Plasmaverfahren unter Verwendung von Sauerstoff oder Ozon, wobei das Wafersubstrat auf einer Temperatur größer als 313,15 K (40 °C) und kleiner als 773,15 K (500 °C) gehalten wird, und 3. Abscheidung einer Wolframschicht, wobei das Wafersubstrat auf einer Temperatur größer 373,15 K (100 °C) und kleiner 773,15 K (500 °C) gehalten wird; b. Ausrüstung, konstruiert für die Herstellung eines Metallkontakts durch Ausführung aller folgender Prozesse: 1. Oberflächenbehandlungs-Plasmaverfahren unter Verwendung eines externen Plasmagenerators und eines Ionenfilters und 2. selektive Abscheidung einer Kobaltschicht auf Kupfer unter Verwendung eines metallorganischen Prekursors c. Ausrüstung, konstruiert für die Herstellung eines Metallkontakts durch Ausführung aller folgender Prozesse: 1. Abscheidung einer Titannitrid- (TiN) oder Wolframcarbid-(WC)Schicht unter Verwendung eines metallorganischen Prekursors, wobei das Wafersubstrat auf einer Temperatur größer 293,15 K (20 °C) und kleiner als 773,15 K (500 °C) gehalten wird; 2. Abscheidung einer Kobaltschicht unter Verwendung eines physikalischen Sputter-Abscheidungsverfahrens mit einem Prozessdruck größer als 1,33 x 10-1 Pa (1 mTorr) und kleiner als 1,33 x 101 Pa (100 mTorr), wobei das Wafersubstrat auf einer Temperatur kleiner als 773,15 K (500 °C) gehalten wird; und 3. Abscheidung einer Kobaltschicht unter Verwendung eines metallorganischen Prekursors bei einem Prozessdruck größer als 1,33 x 102 Pa (1 Torr) und kleiner als 1,33 x 104 Pa (100 Torr), wobei das Wafersubstrat auf einer Temperatur größer als 293,15 K (20 °C) und kleiner als 773,15 K (500 °C) gehalten wird; d. Ausrüstung, konstruiert für die Herstellung von Kupferverbindungen (interconnects) durch Ausführung aller folgender Prozesse: 1. Abscheidung einer Kobalt- oder Rutheniumschicht unter Verwendung eines metallorganischen Prekursors bei einem Prozessdruck größer als 1,33 x 102 Pa (1 Torr) und kleiner als 1,33 x 104 Pa (100 Torr), wobei das Wafersubstrat auf einer Temperatur größer als 293,15 K (20 °C) und kleiner als 773,15 K (500 °C) gehalten wird, und 2. Abscheidung einer Kupferschicht unter Verwendung eines physikalischen Verdampfung-Abscheidungsverfahrens (PVD) mit einem Prozessdruck größer als 1,33 x 10-1 Pa (1 mTorr) und kleiner als1,33 x 101 Pa (100 mTorr), wobei das Wafersubstrat auf einer Temperatur kleiner als 733,15 K (500 °C) gehalten wird; 8. Ausrüstung, konstruiert für die Herstellung eines Metallkontakts in einem mehrstufigen Verfahren innerhalb einer einzigen Kammer durch Ausführung aller folgender Prozesse: a. Abscheidung einer Wolframschicht unter Verwendung eines metallorganischen Prekursors, wobei das Wafersubstrat auf einer Temperatur größer als 373,15 K (100 °C) und kleiner als 773,15 K (500 °C) gehalten wird, und b. Oberflächenbehandlungs-Plasmaverfahrenunter Verwendung von Wasserstoff, Wasserstoff-/Stickstoff-Gemisch oder Ammoniak (NH3). 3B503 Rasterelektronenmikroskop- (REM) Ausrüstung, konstruiert zur Untersuchung von Halbleiterbauelementen oder integrierten Schaltungen mit allen folgenden Eigenschaften: a. Positioniergenauigkeit kleiner (besser) als 30°nm; b. Messung der Positionierung mittels Laserinterferometrie; c. Positionskalibrierung innerhalb eines Sichtfelds (field-of-view, FOV) auf der Grundlage einer laserinterferometrischen Längenmessung; d. Aufnahme und Speicherung von Bildern mit mehr als 2 x 108 Pixel; e. FOV-Überlappung von weniger als 5 % in vertikaler und horizontaler Richtung; f. Stitching-Übergangszone (stitching overlap) des FOV kleiner als 50 nm und g. Beschleunigungsspannung größer als 21 kV. Anmerkung 1: Nummer 3B503 schließt REM-Ausrüstung ein, die für die Wiederherstellung des Chip-Designs (chip design recovery) konstruiert ist. Anmerkung 2: Nummer 3B503 erfasst nicht REM-Ausrüstung, die für die Aufnahme eines SEMI-(Semiconductor Equipment and Materials International) Standard-Waferträgers konstruiert ist, wie z. B. FOUP (Front Opening Unified Pod) mit einer Größe von 200 mm oder mehr. 3B504 Kryogene Waferprüfausrüstung mit allen folgenden Eigenschaften: a. konstruiert zum Testen von Bauelementen bei einer Temperatur kleiner/gleich 4,5 K (- 268,65 °C) und b. Konstruiert für Waferdurchmesser größer/gleich 100 mm. 3C Werkstoffe und Materialien 3C001 Hetero-epitaxiale Werkstoffe oder Materialien, nicht von Nummer 3C507 erfasst, aus einem „Substrat“, das mehrere Epitaxieschichten aus einem der folgenden Materialien enthält: a. Silizium (Si), b. Germanium (Ge), c. Siliziumcarbid (SiC), d. „III/V-Verbindungen“ von Gallium oder Indium, e. Galliumoxid (Ga2O3), oder f. Diamant. Anmerkung: Unternummer 3C001d erfasst nicht ein „Substrat“ mit einer oder mehreren p-Typ-Epitaxieschichten aus GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP oder InGaAlP, unabhängig von der Folge der Elemente, außer wenn die p-Typ-Epitaxieschicht zwischen n-Typ-Schichten liegt. 3C002 Fotoresists wie folgt und „Substrate“, die mit folgenden Fotoresists beschichtet sind: a. Fotoresists, entwickelt für die Halbleiter-Lithografie, wie folgt: 1. Positiv-Fotoresists, eingestellt (optimiert) für den Einsatz bei Wellenlängen kleiner als 193 nm und größer/gleich 15 nm, 2. Fotoresists, eingestellt (optimiert) für den Einsatz bei Wellenlängen kleiner als 15 nm und größer als 1 nm, b. alle Fotoresists, entwickelt zur Verwendung mit Elektronen- oder Ionenstrahlen mit einer Empfindlichkeit von besser/gleich 0,01 μcoulomb/mm2, c. nicht belegt; d. alle Fotoresists, optimiert für Oberflächen-Belichtungstechnologien, e. alle Fotoresists, entwickelt oder optimiert für die Verwendung in von Unternummer 3B001f2 erfassten Anlagen für die Imprintlithografie, die entweder thermische oder lichtaushärtende Prozesse verwenden. 3C003 Organisch-anorganische Verbindungen wie folgt: a. Metallorganische Verbindungen aus Aluminium, Gallium oder Indium mit einer Reinheit (Metallbasis) größer (besser) als 99,999 %; b. Organische Arsen-, Antimon- oder Phosphorverbindungen mit einer Reinheit (anorganische Elementbasis) größer (besser) als 99,999 %. Anmerkung: Nummer 3C003 erfasst nur Verbindungen, deren metallisches, halbmetallisches oder nichtmetallisches Element direkt an das Kohlenstoffatom im organischen Teil des Moleküls gebunden ist. 3C004 Phosphor-, Arsen- oder Antimonhydride mit einer Reinheit größer (besser) als 99,999 %, auch verdünnt in Inertgasen oder Wasserstoff. Anmerkung: Nummer 3C004 erfasst nicht Hydride, die 20 Molprozent oder mehr Inertgase oder Wasserstoff enthalten. 3C005 Hochwiderstandswerkstoffe und -materialien wie folgt: a. Siliziumcarbid (SiC)-, Galliumnitrid (GaN)-, Aluminiumnitrid (AlN)-, Aluminiumgalliumnitrid (AlGaN)-, Galliumoxid (Ga2O3)- oder Diamant-Halbleiter-„Substrate“ oder -Stäbe (ingots, boules) oder andere Vorformen dieser Materialien mit einem spezifischen Widerstand größer als 10 000 Ohm cm bei einer Temperatur von 20 °C. b. Polykristalline „Substrate“ oder polykristalline keramische „Substrate“ mit einem spezifischen Widerstand größer als 10 000 Ohm cm bei einer Temperatur von 20 °C und wenigstens einer nicht-epitaxialen Einzelkristallschicht aus Silizium (Si), Siliziumcarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN), Aluminiumnitrid (AlN), Aluminiumgalliumnitrid (AlGaN), Galliumoxid (Ga2O3) oder Diamant auf der Oberfläche des „Substrats“. Ergänzende Anmerkung: Für Materialien, die aus einem von der Nummer 3C005 erfassten „Substrat“ mit mindestens einer Epitaxieschicht bestehen, siehe Nummer 3C001 oder Nummer 3C006. 3C006 Nicht von Nummer 3C001 erfasste Werkstoffe und Materialien, bestehend aus einem „Substrat“, erfasst von Nummer 3C005, mit mindestens einer Epitaxieschicht aus Siliziumcarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN), Aluminiumnitrid (AlN), Aluminiumgalliumnitrid (AlGaN), Galliumoxid (Ga2O3) oder Diamant. 3C507 Epitaxiale Werkstoffe oder Materialien aus einem „Substrat“, das mindestens eine Epitaxieschicht aus einem der folgenden Materialien enthält: a. Silizium mit einer isotopischen Verunreinigung durch andere Siliziumisotope als Silizium-28 oder Silizium-30 kleiner als 0,08 % oder b. Germanium mit einer isotopischen Verunreinigung durch andere Germaniumisotope als Germanium-70, Germanium-72, Germanium-74 oder Germanium-76 kleiner als 0,08 %. 3C508 Fluoride, Hydride oder Chloride des Siliciums oder Germaniums wie folgt: a. Silizium mit einer isotopischen Verunreinigung durch andere Siliziumisotope als Silizium-28 oder Silizium-30 kleiner als 0,08 % oder b. Germanium mit einer isotopischen Verunreinigung durch andere Germaniumisotope als Germanium-70, Germanium-72, Germanium-74 oder Germanium-76 kleiner als 0,08 %. 3C509 Silizium, Siliziumoxide, Germanium oder Germaniumoxide wie folgt: a. Silizium mit einer isotopischen Verunreinigung durch andere Siliziumisotope als Silizium-28 oder Silizium-30 kleiner als 0,08 % oder b. Germanium mit einer isotopischen Verunreinigung durch andere Germaniumisotope als Germanium-70, Germanium-72, Germanium-74 oder Germanium-76 kleiner als 0,08 %. Anmerkung: Nummer 3C509 schließt „Substrate“, Klumpen, Barren, Einkristalle und andere Vorformen ein. 3D Datenverarbeitungsprogramme (Software) 3D001 „Software“, besonders entwickelt für die „Entwicklung“ oder „Herstellung“ von Ausrüstung, erfasst von den Unternummern 3A001b bis 3A002h und 3A501b13 oder Nummer 3B. 3D002 „Software“, besonders entwickelt für die „Verwendung“ von Ausrüstung, erfasst von den Unternummern 3B001a bis 3B001f, 3B002, 3A225, 3B501a4, 3B501f1, 3B501k oder 3B501n. 3D003 „Software“ für ‚computergestützte Lithografie‘, besonders entwickelt für die „Entwicklung“ von Strukturen auf EUV-Lithografiemasken oder --reticles. Technische Anmerkung: Im Sinne der Nummer 3D003 bezeichnet ‚computergestützte Lithografie‘ den Einsatz von Computermodellierung zur Vorhersage, Korrektur, Optimierung und Prüfung der Bildgebungsleistung (imaging performance) des Lithografieverfahrens im Bereich von Strukturen, Verfahren und Systemzuständen. 3D004 „Software“, besonders entwickelt für die „Entwicklung“ der von Nummer 3A003 erfassten Ausrüstung. 3D005 „Software“ besonders entwickelt zur Wiederherstellung des Normalbetriebs eines Mikrocomputers, „Mikroprozessors“ oder „Mikrocomputers“ innerhalb von 1 ms nach einer Störung durch elektromagnetischen Impuls (EMP) oder elektrostatische Entladung (ESD) ohne Unterbrechung des laufenden Betriebs. 3D006 ‚Electronic Computer-Aided Design‘„Software“ (‚ECAD‘), besonders entwickelt für die „Entwicklung“ integrierter Schaltungen mit einer „Gate-All-Around-Feldeffekttransistor“-Struktur („GAAFET“) und mit einer der folgenden Eigenschaften: a. besonders entwickelt zur Implementierung von ‚Register Transfer Level‘ (‚RTL‘) nach ‚Geometrical Database Standard II‘ (‚GDSII‘) oder einem gleichwertigen Standard, oder b. besonders konstruiert für die Optimierung von Leistungs- oder Zeitsteuerungsregeln. Technische Anmerkungen: Im Sinne der Nummer 3D006 gilt: 1. ‚Electronic Computer-Aided Design‘ (‚ECAD‘) ist eine Kategorie von „Software“-Werkzeugen, die für den Entwurf, die Analyse, die Optimierung und die Validierung der Leistung von integrierten Schaltungen oder Leiterplatten verwendet werden. 2. Die ‚Register Transfer Level‘ (‚RTL') ist eine Entwurfsabstraktion, die eine synchrone digitale Schaltung in Bezug auf den Fluss digitaler Signale zwischen Hardware-Registern und die mit diesen Signalen durchgeführten logischen Operationen modelliert. 3. ‚Geometrical Database Standard II‘ (‚GDSII‘) ist ein Datenbankdateiformat für den Datenaustausch von integrierten Schaltkreisen oder Layout-Designs für integrierte Schaltkreise. 3D101 „Software“, besonders entwickelt oder geändert für die „Verwendung“ der von Unternummer 3A101b erfassten Ausrüstung. 3D225 „Software“ besonders entwickelt zur Leistungssteigerung oder Aufhebung der Beschränkungen der Frequenzumwandler oder Generatoren, um den Eigenschaften von Nummer 3A225 zu entsprechen. 3D507 „Software“, entwickelt zur Extraktion von ‚GDSII‘- oder gleichwertigen Standard-Layout-Daten und zur Durchführung der Schichtenausrichtung aufgrund von Rasterelektronenmikroskopaufnahmen sowie zur Erzeugung einer Netzliste aus mehrschichtigen ‚GDSII‘-Daten oder der Netzliste des Schaltkreises (circuit netlist). Technische Anmerkung: Im Sinne der Nummer 3D507 ist ‚GDSII‘ (‚Graphic Design System II‘) ein Datenbanken-Dateiformat für den Datenaustausch von Designs oder Layout-Designs integrierter Schaltkreise. 3E Technologie 3E001 „Technologie“ entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die „Entwicklung“ oder „Herstellung“ von Ausrüstung, Werkstoffen oder Materialien, die von Nummer 3A, 3B oder 3C erfasst werden. Anmerkung 1: Nummer 3E001 erfasst nicht „Technologie“ für Ausrüstung oder Bestandteile, die in Nummer 3A003 erfasst werden. Anmerkung 2: Nummer 3E001 erfasst nicht „Technologie“ für integrierte Schaltungen, die von den Unternummern 3A001a3 bis 3A001a12 erfasst werden, mit allen folgenden Eigenschaften: a. Verwendung einer „Technologie“ mit minimalen Strukturbreiten größer/gleich 0,130 μm