Delegierte Verordnung (EU) 2025/2003 der Kommission vom 8. September 2025 zur Änderung der Verordnung (EU) 2021/821 des Europäischen Parlaments und des Rates in Bezug auf die Liste der Güter mit doppeltem Verwendungszweck

Durchsuchbarer Text in vereinfachter Darstellung. Tabellen, Abbildungen und verbindliche Gestaltung bitte anhand der Originaldateien prüfen.

e‘ hierfür mit allen folgenden Eigenschaften: a. Ausgangsspannung größer als 6 V an einer ohmschen Last kleiner als 55 Ohm und b. ‚Impulsanstiegszeit‘ kleiner als 500 ps. Technische Anmerkungen: 1. ‚Impulsanstiegszeit‘ im Sinne der Nummer 3A230 ist das Zeitintervall, in dem die Spannungsamplitude zwischen 10 % und 90 % des Maximalwertes beträgt. 2. ‚Impulsköpfe‘ sind impulsgebende Netzwerke, entwickelt zur Verarbeitung einer Spannungsschrittfunktion und deren Umformung zu einer Reihe von Impulsformen, zu denen rechteckige, dreieckige, Stufen-, Sinus-, Exponential- oder monozyklische Formen gehören können. ‚Impulsköpfe‘ können integraler Bestandteil des Impulsgenerators, Einsteckmodul oder extern angeschlossen sein. 3A231 Neutronengeneratorsysteme einschließlich Neutronengeneratorröhren mit allen folgenden Eigenschaften: a. konstruiert für den Betrieb ohne äußeres Vakuumsystem und b. mit einer der folgenden Vorrichtungen: 1. elektrostatische Beschleunigung zur Auslösung einer Tritium-Deuterium-Kernreaktion oder 2. elektrostatische Beschleunigung zur Auslösung einer Deuterium-Deuterium-Kernreaktion und mit der Fähigkeit zur Freisetzung von größer/gleich 3 × 109 Neutronen/s. 3A232 Mehrfachzündersysteme, soweit nicht erfasst von Nummer 1A007, wie folgt: Ergänzende Anmerkung: SIEHE AUCH LISTE FÜR WAFFEN, MUNITION UND RÜSTUNGSMATERIAL. Ergänzende Anmerkung: Siehe Unternummer 1A007b zur Erfassung von Detonatoren. a. nicht belegt; b. Vorrichtungen mit einzelnen oder mehreren Detonatoren zum annähernd gleichzeitigen Zünden explosiver Oberflächen auf einer Fläche größer als 5 000 mm2, mit nur einem Zündsignal und mit einer maximalen zeitlichen Abweichung vom ursprünglichen Zündsignal über der gesamten zu zündenden Oberfläche kleiner als 2,5 μs. Anmerkung : Nummer 3A232 erfasst keine Detonatoren, die nur Initialsprengstoffe, wie z. B. Bleiazid, verwenden. 3A233 Massenspektrometer, die nicht von Unternummer 0B002g erfasst werden, für die Messung von Ionen einer Atommasse größer/gleich 230 u (oder Da) (atomare Masseneinheit) mit einer Auflösung besser als 2 u bei 230 u oder größer, und Ionenquellen hierfür wie folgt: a. induktiv gekoppelte Plasma-Massenspektrometer (ICP/MS), b. Glühentladungs-Massenspektrometer (GDMS), c. Thermoionisations-Massenspektrometer (TIMS), d. Elektronenstoß-Massenspektrometer mit beiden folgenden Eigenschaften: 1. Molekularstrahl-Einlasssystem, das ein kollimiertes Strahlenbündel der zu analysierenden Moleküle in den Bereich der Ionenquelle injiziert, in der die Moleküle durch einen Elektronenstrahl ionisiert werden, und 2. eine oder mehrere ‚Kühlfallen‘, die auf 193 K (-80 °C) kühlen können, e. nicht belegt; f. Massenspektrometer, ausgestattet mit einer Mikrofluorierungs-Ionenquelle, konstruiert für Actinoide oder Actinoidenfluoride. Technische Anmerkungen: 1. Elektronenstoß-Massenspektrometer (electron bombardment mass spectrometers) der Unternummer 3A233d sind auch als Elektronenstoßionisations-Massenspektrometer bekannt. 2. Eine ‚Kühlfalle‘ der Unternummer 3A233d2 ist eine Vorrichtung, mit der sich Gasmoleküle abscheiden lassen, indem sie auf kalten Oberflächen kondensieren oder gefrieren. Im Sinne der Unternummer 3A233d2 ist eine mit geschlossenem Kreislauf arbeitende Helium-Kryopumpe keine ‚Kühlfalle‘. 3A234 Streifenbandleitungen für den induktionsarmen Weg zu Detonatoren, mit den folgenden Eigenschaften: a. Betriebsspannung größer als 2 kV und b. Induktivität kleiner als 20 nH. 3A501 Elektronische Bauelemente und Baugruppen (items) wie folgt: a. integrierte Schaltungen für allgemeine Anwendungen wie folgt: 15. Integrierte CMOS(Complementary Metal Oxide Semiconductor) Schaltungen, die nicht von der Unternummer 3A001a2 erfasst werden, konstruiert für den Betrieb bei Umgebungstemperaturen kleiner (besser)/gleich 4,5 K (- 268,65 °C). Technische Anmerkung: Im Sinne der Unternummer 3A501a15 werden integrierte CMOS-Schaltungen auch als kryogene CMOS- oder cryoCMOS-integrierte Schaltungen bezeichnet. 16. Integrierte Schaltungen mit einer oder mehreren digitalen Verarbeitungseinheiten mit einer ‚Gesamtverarbeitungsleistung‘ (Total Processing Performance, TPP) größer/gleich 6 000. Ergänzende Anmerkung: Für „Digitalrechner“ und „elektronische Baugruppen“, die von Unternummer 3A501a16 erfasste integrierte Schaltungen enthalten, siehe Nummer 4A507. Technische Anmerkungen: Im Sinne der Unternummer 3A501a16 gilt: 1. Die ‚Gesamtverarbeitungsleistung‘ (Total Processing Performance, TPP) ist 2 x ‚MacTOPS‘ x ‚Bitlänge der Operation‘, aufsummiert über alle Verarbeitungseinheiten auf der integrierten Schaltung. a. ‚MacTOPS‘ ist die theoretische Spitzenzahl von Tera (1012) Operationen pro Sekunde für Multiply-Accumulate-Berechnungen (D=AxB+C). b. Der Faktor 2 in der ‚TPP‘-Formel basiert auf einer Branchenkonvention, wonach eine Multiply-Accumulate-Berechnung, D=AxB+C, als zwei Operationen für die Angabe in Datenblätter gezählt wird. Daher kann der Wert von 2 x MacTOPS den in einem Datenblattangegebenen Werten TOPS oder FLOPS entsprechen. c. ‚Bitlänge der Operation‘ für eine Multiply-Accumulate-Berechnung ist die größte Bitlänge der Eingangswerte für die Multiplikationsoperation. d. Die ‚TPP‘-Werte aller Verarbeitungseinheit auf der integrierten Schaltung sind aufzusummieren: ‚TPP‘ = TPP1 + TPP2 +... + TPPn (wobei n die Zahl der Verarbeitungseinheiten auf der integrierten Schaltung ist). 2. Die Berechnung des ‚MacTOPS‘-Wertes erfolgt mit dem theoretisch möglichen Höchstwert. Als ‚MacTOPS‘-Wert wird der höchste Wert verwendet, den der Hersteller in einem Handbuch oder einer Broschüre für den integrierten Schaltkreis angibt. So kann beispielsweise der ‚TPP‘-Schwellenwert von 6 000 durch 750 Tera-Ganzzahl-Operationen (entspricht 2 x 375 ‚MacTOPS‘) mit 8 Bit oder 300 Tera-FLOPS (entspricht 2 x 150 ‚MacTOPS‘) mit 16 Bit erreicht werden. Ist die integrierte Schaltung für die MAC-Berechnung mit mehreren Bitlängen ausgelegt, mit denen unterschiedliche ‚TPP‘-Werte erreicht werden, sollte der höchste ‚TPP‘-Wert gegen die Parameter in 3A501a16 geprüft werden 3. Für integrierte Schaltungen, die von 3A1901a16 erfasst sind und sowohl dünnbesetzte Matrizen (sparse matrices) als auch dichtbesetzte Matrizen (dense matrices) verarbeiten, gelten die ‚TPP‘-Werte für die Verarbeitung von dichtbesetzten Matrizen (z. B. ohne Sparsität). b Mikro- oder Millimeterwellenbauelemente (items) wie folgt: 13. Parametrische Signalverstärker mit allen folgenden Eigenschaften: a. konstruiert für den Betrieb bei einer Umgebungstemperatur unter 1 K (- 272,15°C); b. konstruiert für den Betrieb bei einer Frequenz von 2 GHz bis einschließlich 15 GHz und c. eine Rauschzahl kleiner (besser) als 0,015 dB bei einer Frequenz von 2 GHz bis einschließlich 15 GHz bei 1 K (- 272,15°C). Anmerkung: Zu den parametrischen Signalverstärkern gehören auch parametrische Wanderwellenverstärker (Travelling Wave Parametric Amplifiers,TWPA). Technische Anmerkung: Im Sinne der Unternummer 3A501b13 können parametrische Signalverstärker auch als quantenlimitierte Verstärker (Quantum-limited amplifierers, QLA) bezeichnet werden. 3A502 „Elektronische Baugruppen“, Module und Ausrüstung für allgemeine Zwecke wie folgt: i. „elektronische Baugruppen“, Module oder Ausrüstung, die ein oder mehrere ‚anwenderkonfigurierbare‘ Logischaltkreise (Field Programmable Logic Devices, FPLD) enthalten und eine ‚Aggregierte Lookup-Tabelle-Eingangs-Anzahl‘ größer/gleich 1 800 000 aufweisen. Ergänzende Anmerkung: Für Güter mit FPLD, die mit einem Analog-Digital-Wandler kombiniert sind, für erweiterte Betriebstemperaturen ausgelegt oder strahlungsfest sind oder kryptografische Funktionen aufweisen, siehe die Unternummern 3A002h, 4A001a bzw. 5A002a. Technische Anmerkungen: Im Sinne der Unternummer 3A502i gilt: 1. ‚Anwenderkonfigurierbar‘ bedeutet, dass ein Nutzer logische Zellen oder die Verknüpfungen zwischen logischen Zellen innerhalb des Logiknetzes (logic fabric) des FPLD konfigurieren oder ändern kann, um die spezifische Funktion festzulegen, die das von der Unternummer 3A502i erfassten Gutes ausführt. 2. Die ‚Aggregierte Lookup-Tabelle-Eingangs-Anzahl‘ ist die Summe der unabhängigen Eingänge, die für jede programmierbare Lookup-Tabelle (LUT) zur Verfügung stehen, aufsummiert über alle physischen LUTs innerhalb eines FPLD oder eines anderen programmierbaren Gutes. Beispiel: Eine Leiterplatte mit 2 FPGA, wobei jede 150 000 programmierbare LUTs mit mit jeweils 6 Eingängen besitzt, hätte eine ‚Aggregierte Lookup-Tabelle-Eingangs-Anzahl‘ von 2 × 150 000 × 6 = 1 800 000. 3A504 Kryogene Kühlsysteme und Komponenten wie folgt: a. Systeme, ausgelegt für eine Kühlleistung größer/gleich 600 μW bei einer Temperatur kleiner als 0,1 K (- 273,05 °C) über einen Zeitraum von mehr als 48 Stunden; b. Zweistufige kryogene Pulsröhrenkühler- (Two-Stage Pulse Tube Cryocooler), ausgelegt für die Aufrechterhaltung einer Temperatur kleiner/gleich 4 K (- 269,15 °C) und für eine Kühlleistung größer/gleich 1,5 W bei einer Temperatur kleiner als 4,2 K (- 268,95 °C). 3B Prüf-, Test- und Herstellungseinrichtungen 3B001 Ausrüstung für die Fertigung von Halbleiterbauelementen oder -materialien wie folgt sowie besonders konstruierte Bestandteile und besonders konstruiertes Zubehör hierfür: Ergänzende Anmerkung: SIEHE AUCH NUMMER 2B226. a. Epitaxieausrüstung wie folgt: 1. Ausrüstung, entwickelt oder modifiziert für die Herstellung einer Schicht aus einem anderen Material als Silizium mit einer gleichmäßigen Schichtdicke mit weniger als ± 2,5 % Abweichung auf einer Strecke von größer/gleich 75 mm, Anmerkung: Unternummer 3B001a1 erfasst auch Ausrüstung für Atomlagen-Epitaxie (Atomic Layer Epitaxy (ALE)). 2. MOCVD-(Metal-Organic-Chemical-Vapour-Deposition-)Reaktoren, konstruiert für Verbindungshalbleiterepitaxie auf einem Material, das zwei oder mehr der folgenden Elemente enthält: Aluminium, Gallium, Indium, Arsen, Phosphor, Antimon, Sauerstoff oder Stickstoff, 3. Molekularstrahlepitaxie-Ausrüstung, die Gas- oder Feststoff-Quellen verwendet; Ergänzende Anmerkung: Für Anlagen zur epitaktischen Abscheidung von Silizium (Si) oder Siliziumgermanium (SiGe), siehe Nummer 3B501a4. b. Ausrüstung, konstruiert für Ionenimplantation und mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. nicht belegt; 2. konstruiert und optimiert, um für die Wasserstoff-, Deuterium- oder Heliumimplantation bei einer Elektronenenergie größer/gleich 20 keV und einem Strahlstrom größer/gleich 10 mA zu arbeiten, 3. mit Direktschreibbetrieb, 4. Elektronenenergie größer/gleich 65 keV und Strahlstrom größer/gleich 45 mA für das Implantieren von Sauerstoff mit hoher Energie in ein erhitztes Halbleiter„substrat“; oder 5. konstruiert und optimiert, um für die Siliziumimplantation in ein auf 600 °C oder mehr erhitztes Halbleiter„substrat“ bei einer Elektronenenergie größer/gleich 20 keV und einem Strahlstrom größer/gleich 10 mA zu arbeiten, c. nicht belegt; d. nicht belegt; e. zentrale Waferhandlingsysteme für das automatische Beladen von Mehrkammersystemen mit allen folgenden Eigenschaften: 1. Schnittstellen für Waferein- und -ausgabe, an die mehr als zwei funktionell unterschiedliche, von Unternummer 3B001a1, 3B001a2, 3B001a3 oder 3B001b erfasste ‚Halbleiterprozessgeräte‘ angeschlossen werden sollen, und 2. entwickelt, um ein integrales System zur ‚sequenziellen, multiplen Waferbearbeitung‘ innerhalb einer geschlossenen Vakuumumgebung aufbauen zu können, Anmerkung: Unternummer 3B001e erfasst nicht automatische Robotersysteme für das Waferhandling, die besonders für die parallele Waferbearbeitung ausgelegt sind. Technische Anmerkungen: 1. ‚Halbleiterprozessgeräte‘ im Sinne der Unternummer 3B001e1 sind modulare Anlagen für funktionell unterschiedliche physikalische Einzelprozesse zur „Herstellung“ von Halbleitern, wie z. B. Beschichten, Implantieren oder thermisches Behandeln. 2. ‚Sequentielle, multiple Waferbearbeitung‘ im Sinne der Unternummer 3B001e2 bedeutet die Eigenschaft, jeden Wafer in verschiedenen ‚Halbleiterprozessgeräten‘ zu bearbeiten, indem der Wafer mithilfe des zentralen Waferhandlingsystems für das automatische Beladen von Mehrkammersystemen von einem Gerät zu einem zweiten Gerät und weiter zu einem dritten Gerät transferiert wird. f. Lithografieanlagen wie folgt: 1. Step-and-repeat (direct step on wafer)- oder step-and-scan (scanner)-Justier- und Belichtungsanlagen für die Waferfertigung, die lichtoptische oder röntgentechnische Verfahren verwenden und eine der folgenden Eigenschaften haben: a. Wellenlänge der Lichtquelle kleiner als 193 nm oder b. geeignet, ‚kleinste auflösbare Strukturbreiten‘ (KAS) von kleiner/gleich 45 nm zu erzeugen, Technische Anmerkung: Im Sinne der Unternummer 3B001f1b wird die ‚kleinste auflösbare Strukturbreite‘ KAS nach folgender Formel berechnet: KAS = wobei K = 0,35 Ergänzende Anmerkung: SIEHE AUCH UNTERNUMMER 3B501f. 2. Anlagen für die Imprintlithografie, geeignet für die Herstellung von Strukturen kleiner/gleich 45 nm; Anmerkung: Unternummer 3B001f2 schließt ein: — Anlagen für den Mikrokontaktdruck (micro contact printing tools), — Anlagen für den Druck mit heißen Stempeln (hot embossing tools), — Anlagen für die Nano-Imprint-Lithografie, — Anlagen für S-FIL (step and flash imprint lithography). 3. Anlagen, besonders konstruiert für die Maskenherstellung mit allen folgenden Eigenschaften: a. abgelenkten, fokussierten Elektronenstrahlen, Ionenstrahlen oder „Laser“-Strahlen und b. mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Fokusgröße (spot size) mit einer Halbwertsbreite (full-width half-maximum (FWHM)) kleiner als 65 nm und einer Justiergenauigkeit (image placement) kleiner als 17 nm (Mittelwert + 3 Sigma) oder 2. nicht belegt; 3. Überdeckungsfehler (overlay error) der zweiten Schicht auf der Maske kleiner als 23 nm (Mittelwert + 3 Sigma), 4. Anlagen für die Halbleiterherstellung, die Direktschreibverfahren verwenden, mit allen folgenden Eigenschaften: a. abgelenkten, fokussierten Elektronenstrahlen und b. mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Mindeststrahlgröße (Minimum beam size) kleiner/gleich 15 nm oder 2. Überdeckungsfehler (overlay error) kleiner als 27 nm (Mittelwert + 3 Sigma), g. Masken oder Reticles, entwickelt für von Nummer 3A001 erfasste integrierte Schaltungen, h. Multilayer-Masken mit einer phasenverschiebenden Schicht, nicht von Unternummer 3B001g erfasst und konstruiert für die Verwendung in Lithografieanlagen mit einer Lichtquelle mit einer Wellenlänge kleiner als 245 nm; Anmerkung: Unternummer 3B001h erfasst nicht Multilayer-Masken mit einer phasenverschiebenden Schicht, entwickelt für die Fertigung von Speicherbauelementen, die nicht von Nummer 3A001 erfasst sind. Ergänzende Anmerkung: Für Masken und Reticles, besonders konstruiert für optische Sensoren, siehe Nummer 6B002. i. Matrizen (templates) für die Imprintlithografie, entwickelt für von Nummer 3A001 erfasste integrierte Schaltungen; j. Masken-„Substratrohlinge“ (mask substrate blanks) mit Mehrschicht-Reflektorstruktur aus Molybdän und Silizium mit allen folgenden Eigenschaften: 1. besonders ausgelegt für ‚Extrem-Ultraviolett‘- (‚EUV‘-)Lithografie und 2. dem SEMI-Standard P37 entsprechend. Technische Anmerkung: Im Sinne der Unternummer 3B001j bezeichnet ‚EUV‘ (‚Extreme ultraviolette Strahlung‘) den Spektralbereich elektromagnetischer Strahlung mit Wellenlängen über 5 nm und weniger als 124 nm. 3B002 Prüfgeräte, besonders konstruiert für das Testen von fertigen oder unfertigen Halbleiterbauelementen wie folgt sowie besonders konstruierte Bestandteile und besonders konstruiertes Zubehör hierfür: a. zum Prüfen der S-Parameter von Unternummer 3A001b3 erfasster Güter, b. nicht belegt; c. zum Prüfen von Gütern, die von Unternummer 3A001b2 erfasst werden. 3B501 Ausrüstung für die Fertigung von Halbleiterbauelementen oder -materialien wie folgt sowie besonders konstruierte Bestandteile und besonders konstruiertes Zubehör hierfür: a. Epitaxieausrüstung wie folgt: 4. Anlagen zur epitaktischen Abscheidung von Silizium (Si) oder Siliziumgermanium (SiGe) mit allen folgenden Eigenschaften: a. mindestens eine Vorreinigungskammer die zur Reinigung der Waferoberfläche konstruiert ist und b. eine Abscheidungskammer für Epitaxie, konstruiert für den Betrieb bei einer Temperatur kleiner als 958 K (685 °C). Anmerkung: Unternummer 3B501a4 schließt Ausrüstung für Atomlagen-Epitaxie (Atomic Layer Epitaxy (ALE)) ein. f. Lithografieanlagen wie folgt: 1. Step-and-repeat (direct step on wafer)- oder step-and-scan (scanner)-Justier- und Belichtungsanlagen für die Waferfertigung, die lichtoptische oder röntgentechnische Verfahren verwenden und eine der folgenden Eigenschaften haben: a. Wellenlänge der Lichtquelle kleiner als 193 nm oder b. mit allen folgenden Eigenschaften: 1. Wellenlänge der Lichtquelle größer/gleich 193 nm; 2. geeignet, ‚kleinste auflösbare Strukturbreiten‘ (KAS) von kleiner/gleich 45 nm zu erzeugen, und 3. Maximaler ‚spezifizierter Chuck-Overlay‘-Wert kleiner oder gleich 1,50 nm. Technische Anmerkungen: Im Sinne der Uternummer 3B501f1b gilt: 1. Die ‚kleinste auflösbare Strukturbreite‘ (KAS) wird nachfolgender Formel berechnet: wobei K = 0,25 Die ‚KAS‘ wird auch als Auflösung bezeichnet. 2. Der ‚Spezifizierte Chuck-Overlay‘ ist die Justiergenauigkeit einer neuen Struktur zu einer bereits auf einem Wafer gedruckten Struktur, wobei beide auf derselben Lithografieanlage gedruckt werden. Der ‚Spezifizierter Chuck-Overlay‘ wird auch als „Single Machine Overlay“ bezeichnet.