2002/867/EG: Entscheidung der Kommission vom 9. April 2002 über die staatliche Beihilfe C 86/2001 (ex N 334/2001) Deutschlands zugunsten von Infineon Technologies SC 300 GmbH & Co. KG, Deutschland (Text von Bedeutung für den EWR) (Bekannt gegeben unter Aktenzeichen K(2002) 1346)

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Avis juridique important | 32002D0867 2002/867/EG: Entscheidung der Kommission vom 9. April 2002 über die staatliche Beihilfe C 86/2001 (ex N 334/2001) Deutschlands zugunsten von Infineon Technologies SC 300 GmbH & Co. KG, Deutschland (Text von Bedeutung für den EWR) (Bekannt gegeben unter Aktenzeichen K(2002) 1346) Amtsblatt Nr. L 307 vom 08/11/2002 S. 0037 - 0048 Entscheidung der Kommission vom 9. April 2002 über die staatliche Beihilfe C 86/2001 (ex N 334/2001) Deutschlands zugunsten von Infineon Technologies SC 300 GmbH & Co. KG, Deutschland (Bekannt gegeben unter Aktenzeichen K(2002) 1346) (Nur der deutsche Text ist verbindlich) (Text von Bedeutung für den EWR) (2002/867/EG) DIE KOMMISSION DER EUROPÄISCHEN GEMEINSCHAFTEN - gestützt auf den Vertrag zur Gründung der Europäischen Gemeinschaft, insbesondere auf Artikel 88 Absatz 2 Unterabsatz 1, gestützt auf das Abkommen über den Europäischen Wirtschaftsraum, insbesondere auf Artikel 62 Absatz 1 Buchstabe a), nach Aufforderung der Beteiligten zur Stellungnahme gemäß den genannten Artikeln(1), in Erwägung nachstehender Gründe: I. VERFAHREN (1) Deutschland teilte der Kommission mit Schreiben vom 22. Mai 2001, Eingangsvermerk vom 28. Mai 2001, seine Absicht mit, der Infineon Technologies SC 300 GmbH & Co. KG eine Investitionsbeihilfe gemäß dem multisektoralen Regionalbeihilferahmen für große Investitionsvorhaben(2) (im Folgenden: multisektoraler Regionalbeihilferahmen) zu gewähren. Das Beihilfevorhaben wurde unter der Nummer N 334/01 eingetragen. (2) Die Kommission bestätigte mit Schreiben vom 13. Juni 2001 den Erhalt des Schreibens, teilte Deutschland mit, dass die Anmeldung als unvollständig erachtet wird, und stellte ergänzende Fragen. Mit Schreiben vom 18. Juni 2001 wurde um weitere Auskünfte ersucht. Deutschland übermittelte Informationen mit Schreiben vom 3. Juli 2001, Eingangsvermerk vom 5. Juli 2001, und vom 16. Juli 2001, Eingangsvermerk vom 17. Juli 2001. Am 17. August 2001 fand eine Besprechung mit Vertretern der deutschen Behörden statt. Mit Schreiben vom 30. August 2001 forderte die Kommission Deutschland auf, die Bestimmungen über die nachträgliche Kontrolle in der Anmeldung zu ergänzen. Mit Schreiben vom 19. September 2001 wurde Deutschland daran erinnert, dass es ergänzende Angaben vorlegen sollte. Deutschland übermittelte mit Schreiben vom 24. September 2001, Eingangsvermerk vom 25. September 2001, unvollständige Informationen. Mit Schreiben vom 1. Oktober 2001 bestätigte die Kommission den Erhalt und wies Deutschland darauf hin, dass die Anmeldung noch immer als unvollständig erachtet wurde. Deutschland übermittelte mit Schreiben vom 22. Oktober 2001, Eingangsvermerk vom 23. Oktober 2001, ergänzende Angaben. Mit Schreiben vom 26. Oktober 2001 teilte die Kommission Deutschland mit, dass die Anmeldung als vollständig erachtet werde und innerhalb von zwei Monaten ab dem Tag der Eintragung des Briefes mit den vollständigen Angaben eine abschließende Entscheidung getroffen werde. (3) Am 21. November 2001 übermittelte Deutschland ein letztes Schreiben, Eingangsvermerk vom 22. November 2001, in dem die Meinung vertreten wird, dass die Beihilfe gemäß Artikel 87 Absatz 3 Buchstabe b) EG-Vertrag für mit dem Gemeinsamen Markt vereinbar erklärt werden sollte. (4) Die Kommission setzte Deutschland mit Schreiben vom 30. November 2001 von ihrem Beschluss in Kenntnis, wegen dieser Beihilfe das Verfahren nach Artikel 88 Absatz 2 EG-Vertrag einzuleiten. (5) Der Beschluss der Kommission über die Einleitung des Verfahrens wurde im Amtsblatt der Europäischen Gemeinschaften(3) veröffentlicht. Die Kommission hat die Beteiligten zur Äußerung zu der betreffenden Beihilfe aufgefordert. (6) Mit Schreiben vom 10. Januar 2002, Eingangsvermerk vom 14. Januar 2002, und vom 28. Januar 2002, Eingangsvermerk vom 29. Januar 2002, antwortete Deutschland auf die Einleitung des Verfahrens. Mit Schreiben vom 15. Februar 2002 wurde um weitere Auskünfte ersucht. Darauf wurde mit Schreiben vom 27. Februar 2002, Eingangsvermerk vom 28. Februar 2002, geantwortet. Weitere Fragen wurde mit Schreiben vom 21. März 2002 übermittelt, auf die Deutschland mit Schreiben vom 25. März 2002, Eingangsvermerk vom 25. März 2002, antwortete. (7) Bei der Kommission gingen Reaktionen von drei Beteiligten ein, die Deutschland zur Stellungnahme übermittelt wurden, welche mit Schreiben vom 18. Februar 2002, Eingangsvermerk vom 19. Februar 2002, eintraf. (8) Das betroffene Unternehmen übermittelte mit Schreiben vom 7. März 2002, Eingangsvermerk vom 7. März 2002, ergänzende Angaben. II. BESCHREIBUNG 2.1. Beihilfeempfänger (9) Der Beihilfeempfänger, die Infineon Technologies SC 300 GmbH & Co. KG (im Folgenden SC 300), wurde im Februar 1998 gegründet und ist eine 87 %ige Tochtergesellschaft der Infineon Technologies AG (im Folgenden Infineon) in München. Infineon selbst, die im März 2000 an die Börse ging, ist ein ausgegliedertes Unternehmen der Siemens AG und umfasst deren Halbleitergeschäft. Das restliche Stammkapital an der SC 300 befindet sich im Eigentum einer anderen privaten Gesellschaft mit beschränkter Haftung (4 % - die über die SC 300 Beteiligungs GmbH in Stuttgart von der M+W Zander Facility Engineering GmbH kontrolliert werden) und einer Gesellschaft mit beschränkter Haftung, die vom Freistaat Sachsen und der Stadt Leipzig kontrolliert wird (9 % - Leipziger Messe GmbH). Das Kerngeschäft von Infineon sind Halbleiter. Deutschland betont, dass Infineon das einzige europäische Unternehmen auf diesem Markt ist. (10) Deutschland übermittelte die folgenden Daten über den Umsatz und den Personalstand der Infineon in den Jahren 1999 bis 2001: >PLATZ FÜR EINE TABELLE> (11) Nach Verlusten von 775 Mio. EUR im Geschäftsjahr 1997/98 verzeichnete Infineon 1998/1999 und 1999/2000 Gewinne von 61 Mio. EUR bzw. 1126 Mio. EUR. 2.2. Das Vorhaben (12) Standort des Investitionsvorhabens ist Dresden im Freistaat Sachsen, einem Fördergebiet im Sinne von Artikel 87 Absatz 3 Buchstabe a) EG-Vertrag. (13) Das Vorhaben betrifft die Errichtung von Anlagen für die Herstellung von dynamischen Halbleiterspeichern (Dynamic Random Access Memory - DRAM) mit Strukturbreiten von höchstens 0,14 µm auf 300-mm-Siliziumscheiben, die auch als "Wafer" bezeichnet werden. Dies wird die weltweit erste Fertigungslinie für (Speicher-)Chips auf 300-mm-Wafern sein. Neben der Fertigungslinie wird SC 300 mit den in ihrem Werk bereits vorhandenen Anlagen auch eine Pilot- und Entwicklungslinie betreiben. (14) Das Projekt lief im April 2000 an und soll bis Ende 2003 abgeschlossen sein. Den Angaben zufolge wird die volle Kapazität letztlich 5000 Wafer pro Woche erreichen. Für das Projekt sind zwei Ausbaustufen vorgesehen. Ende 2001 wurde die Hochvolumenfertigung aufgenommen, die noch deutlich unter der Endausbaukapazität liegt. In einer zweiten Ausbaustufe, die bis ungefähr Anfang 2003 dauert, wird die Produktionskapazität auf das maximale Niveau angehoben. Dieser stufenweise Ausbau ist den Angaben zufolge die wirtschaftlich tragfähigste Lösung, da sich insbesondere die künftige Massenfertigung dieser neuen Technologie noch in Entwicklung befindet. (15) Erzeugt werden DRAM mit einer Speicherkapazität von mindestens 512 Megabit. Diese DRAM werden nach und nach die Speicherbausteine mit einer Kapazität von 256 Megabit und weniger ersetzen. Infineon stellt die DRAM mit niedrigerer Kapazität derzeit in Dresden, in den USA und in Taiwan her. (16) Der Schritt von der Verwendung von 200-mm-Wafern zu 300-mm-Wafern für die Erzeugung von Chips bedeutet, dass die Anzahl der Chips je Wafer (d. h. die Produktivität) ungefähr um das 2,5-fache ansteigen wird. Dadurch rechnet man wiederum mit einem Sinken der Herstellungskosten je Chip um 30 %-40 %. Die niedrigere Strukturbreite verringert die Herstellungskosten noch weiter. Darüber hinaus erlaubt sie eine geringere Mindestgröße für die einzelnen Elemente, was kleinere und billigere Computerkomponenten ermöglicht. (17) Die Projektkosten können folgendermaßen aufgeschlüsselt werden: >PLATZ FÜR EINE TABELLE> (18) Durch das neue Projekt wird der weltweite Marktanteil von Infineon bei DRAM von 8 % im Jahr 1999 auf 10 % im Jahr 2003 ansteigen und im Bereich der Halbleiter von 3,5 % im Jahr 1999 auf 3,7 % im Jahr 2003 zunehmen. (19) Laut der Anmeldung werden durch die Investitionen 1300 Dauerarbeitsplätze geschaffen und 400 Dauerarbeitsplätze erhalten. Es wird erwartet, dass das Projekt indirekt zur Schaffung von 1030 Arbeitsplätzen im eigentlichen und in einem angrenzenden Fördergebiet führt. 2.3. Beihilfemaßnahmen (20) Das Beihilfevorhaben umfasst eine Investitionsbeihilfe in Form eines nichtrückzahlbaren Zuschusses in Höhe von 88,073 Mio. EUR, der gemäß der Gemeinschaftsaufgabe "Verbesserung der regionalen Wirtschaftsstruktur" in der Fassung des von der Kommission genehmigten 29. Rahmenplans gewährt werden soll. Eine Investitionszulage in Höhe von 128,846 Mio. EUR soll auf der Grundlage des von der Kommission genehmigten Investitionszulagengesetzes 1999(4) gewährt werden. Ferner wird eine 80 %ige Bürgschaft für einen Kredit in Höhe von 450 Mio. EUR, die also 360 Mio. EUR abdeckt, im Rahmen einer genehmigten Beihilferegelung(5) übernommen. Aufgrund der von Deutschland gemachten Angaben geht die Kommission von einem Beihilfeelement der Bürgschaft in Höhe von 1,8 Mio. EUR aus. Die gesamte Beihilfe für den Begünstigten beläuft sich auf 218,718 Mio. EUR, was 19,8 % der beihilfefähigen Investitionskosten entspricht. Der nichtrückzahlbare Zuschuss wird nur für die erste Ausbaustufe des Projekts gewährt. 2.4. Gründe für die Einleitung des förmlichen Prüfverfahrens (21) Am 30. November 2001 unterrichtete die Kommission Deutschland über ihren Beschluss, das förmliche Prüfverfahren nach Artikel 88 Absatz 2 EG-Vertrag in Bezug auf das Beihilfevorhaben für das vorliegende Projekt einzuleiten. Die Kommission bezweifelte, dass die beabsichtigte Beihilfeintensität von 19,8 % mit der zulässigen Beihilfehöchstintensität vereinbar ist, die gemäß dem multisektoralen Regionalbeihilferahmen errechnet wird. Insbesondere verfügte die Kommission über keine zuverlässigen Angaben zur abschließenden Beurteilung der Merkmale des Marktes und konnte nicht ausschließen, dass es sich bei dem betreffenden Sektor um einen absolut schrumpfenden Markt handelt. Ferner bezweifelte sie, dass alle Arbeitsplätze im Bereich der Forschungs- und Entwicklungsarbeiten berücksichtigt werden könnten, da sie möglicherweise mit dem Projekt nicht direkt zusammenhängen. Außerdem stellte die Kommission in Frage, dass die gesamte Anzahl der indirekt geschaffenen Arbeitsplätze, die von Deutschland angeführt wurde, zur Bewertung der regionalen Auswirkungen des Projekts herangezogen werden könnte. (22) Ferner bezweifelte die Kommission, dass das Projekt als Vorhaben von gemeinsamem europäischem Interesse betrachtet und die Beihilfe somit nach Artikel 87 Absatz 3 Buchstabe b) EG-Vertrag genehmigt werden könnte. III. STELLUNGNAHMEN VON BETEILIGTEN (23) Die Kommission erhielt Stellungnahmen von zwei Verbänden nachgelagerter Sektoren, in denen DRAM eingesetzt werden, und von einer unabhängigen Vereinigung europäischer Unternehmen und Forschungsinstitute im Bereich der europäischen Leiterplattenindustrie. Diese Stellungnahmen sind Deutschland mit Schreiben vom 22. Januar 2001 und 24. Januar 2001 zugeleitet worden. Deutschland hat mit Schreiben vom 18. Februar 2002 hierzu seine Bemerkungen abgegeben. (24) Alle drei Beteiligten sprachen sich für das Beihilfevorhaben aus. Sie betonten die Bedeutung einer europäischen Halbleiterindustrie und die entscheidende Rolle des Projekts bei der Stärkung der Wettbewerbsfähigkeit dieses Wirtschaftszweigs und verwandter Sektoren. (25) In einem am 7. März 2002 übermittelten Schreiben wies SC 300 darauf hin, dass sich die Preise für DRAM erholen und dass mit einem weiteren Anstieg gerechnet wird. Laut einem Wirtschaftsnachrichtendienst wird der Markt für DRAM im Jahr 2002 um 55 % wachsen. IV. BEMERKUNGEN DEUTSCHLANDS (26) In der Stellungnahme zur Einleitung des Verfahrens betonte Deutschland die Bedeutung des vorliegenden Projekts. Infineon ist der einzige europäische DRAM-Hersteller und wird durch die Anwendung der neuen 300-mm-Technologie einen Kostenvorteil gegenüber seinen Wettbewerbern erhalten. Das Unternehmen rechnet damit, dass die Nachfrage nach Speicherchips (gemessen in Bit) von 2001 auf 2002 um 50 % ansteigt. (27) In Bezug auf den Markt für DRAM erklärte Deutschland, dass er von ausgeprägten konjunkturellen Schwankungen und großen Unterschieden zwischen Absatzwert und -volumen geprägt ist. Deutschland zufolge sollte der Wettbewerbsfaktor auf 1 angesetzt werden, da keine Überkapazitäten bestehen und der Markt nicht schrumpft. (28) Deutschland argumentierte, dass es auf der aggregierten Stufe der NACE-Klasse 32.10 keine Überkapazitäten gibt und legte die relevanten Daten vor. Sollte die Kommission davon ausgehen, dass die Kapazitätslage auf dieser aggregierten Stufe die Situation des DRAM-Sektors unzureichend widerspiegelt, verwies Deutschland darauf, dass der relevante Teilsektor auch auf einer niedrigeren Stufe festgelegt werden kann. Die Daten über die Kapazitätsauslastung zur Bewertung des Wettbewerbsfaktors müssten nicht unbedingt auf der niedrigsten Stufe der NACE-Klassifizierung beruhen. Deutschland legte sodann Daten vor, um zu zeigen, dass keine Überkapazitäten vorhanden sind, gleichgültig wie eng der relevante Teilsektor definiert wird. Laut Deutschland waren die Kapazitäten zur Herstellung von DRAM von 1994 bis 1999 beinahe zur Gänze ausgelastet (95 %-100 %). (29) Für den Fall, dass die Kommission einer Bewertung des Wettbewerbsfaktors anhand von Angaben über die Kapazitätsauslastung nicht zustimmt, trägt Deutschland vor, dass der DRAM-Markt nicht schrumpft. Deutschland zufolge ist im multisektoralen Regionalbeihilferahmen ein Zeitraum von fünf Jahren für die Berechnung der mittleren Jahreszuwachsrate zur Beurteilung der Marktentwicklung vorgesehen. Somit erstreckt sich der für das Projekt relevante Zeitraum auf die Jahre 1996 bis 2000, für die die mittlere Jahreszuwachsrate positiv war. Ferner erklärt Deutschland, dass 1995 ein außergewöhnlich großes Marktvolumen (in Bezug auf den Wert) erreicht wurde. Daher sei dieses Jahr nicht repräsentativ und sollte bei der Bewertung der Marktentwicklung außer Acht gelassen werden. (30) Deutschland betont, dass sich die Kommission in ihrem Beschluss über die Einleitung des förmlichen Prüfverfahrens bei der Bewertung des Marktes ausschließlich auf die Entwicklung des wertmäßigen sichtbaren Verbrauchs stützt. Betrachte man allerdings das Volumen des sichtbaren Verbrauchs, gemessen in Bit, so erkenne man von 1996 bis 2000 einen starken Anstieg mit einer mittleren Jahreszuwachsrate von 83,3 %. Laut Deutschland spiegeln die Volumenangaben die Marktlage besser wider, da insbesondere auf Märkten mit ausgeprägten Preisschwankungen wie dem DRAM-Markt Wertangaben kein gutes Bild der Kapazitätslage des Markts vermitteln. Während der Verbrauch in Bezug auf den Wert großen Veränderungen unterlag, nahm er, in Bit ausgedrückt, in der Vergangenheit kontinuierlich zu. Deutschland weist darauf hin, dass die Kommission in früheren Entscheidungen nach dem multisektoralen Regionalbeihilferahmen auch das Volumen des Verbrauchs berücksichtigt hat. Ferner führt Deutschland an, dass Wertangaben für den Verbrauch nicht aussagekräftig sind, da sie durch Subventionen der koreanischen Regierung verfälscht werden. (31) Deutschland übermittelte die neuesten Prognosen für den DRAM-Markt, die für die Jahre 2001 bis 2004 eine mittlere Jahreszuwachsrate von 17,7 % vorhersagen. (32) In Bezug auf die direkten Arbeitsplätze erklärte Deutschland, dass alle Stellen im Zusammenhang mit Forschungs- und Entwicklungsaktivitäten berücksichtigt werden sollten. Die Halbleiterindustrie ist ein forschungsintensiver Sektor, und im vorliegenden Projekt wird eine neue Herstellungstechnologie umgesetzt. Die Durchführung eines äußerst innovativen Vorhabens wie der 300-mm-Technologie bedingt folglich besonders hohe Aufwendungen im Bereich der Forschung und Entwicklung und zwar nicht nur vor der Umsetzung, sondern auch während des Produktionszeitraums, um die Anwendung der neuen Technologie zu optimieren. (33) Hinsichtlich der indirekt geschaffenen Arbeitsplätze argumentierte Deutschland, dass eine mittlere Zunahme an Arbeitsplätzen je vom Beihilfeempfänger geschaffenen Arbeitsplatz vorliegt. Deutschland erklärte, dass es schwierig ist, genaue Daten über die von Lieferanten und Abnehmern geschaffenen Arbeitsplätze anzuführen. Deutschland legte Absichtserklärungen von Abnehmern und Lieferanten der SC 300 vor, aus denen hervorgeht, dass durch das Projekt von SC 300 bereits 729 Arbeitsplätze indirekt entstanden sind und noch 666 Arbeitsplätze geschaffen werden. (34) Deutschland vertritt daher die Auffassung, dass die Bewertung der Beihilfe nach den Bestimmungen des multisektoralen Regionalbeihilferahmens nicht zu einer Herabsetzung der geplanten Beihilfeintensität führen sollte. Falls die Kommission diese Ansicht nicht teilt, beantragt Deutschland, dass die Beihilfe nach Artikel 87 Absatz 3 Buchstabe b) EG-Vertrag genehmigt wird. Deutschland meint, dass die vier Voraussetzungen für die Anwendbarkeit dieses Artikels erfuellt sind. (35) Deutschland erklärt, dass SC 300 das Investitionsvorhaben ohne die beabsichtigten Beihilfemaßnahmen nicht durchführen könnte. Die Halbleiterindustrie ist sehr kapitalintensiv und von großen technologischen Risiken geprägt. Angesichts der finanziellen und technologischen Dimensionen des Projekts könnte nicht erwartet werden, dass SC 300 das Vorhaben ohne staatliche Unterstützung durchführen würde. (36) Deutschland behauptet, dass das Projekt sowohl in quantitativer als auch in qualitativer Hinsicht wichtig ist. Infineon ist der einzige europäische Hersteller von DRAM auf einem Markt, der von außereuropäischen Produzenten beherrscht wird. Das Unternehmen kann seine Position auf dem Markt nur halten, wenn es ihm gelingt, die 300-mm-Technologie anzuwenden, bei der es seinen Wettbewerbern einen Schritt voraus ist und die ihm einen erheblichen Kostenvorteil gegenüber der Konkurrenz gibt. Die Halbleiterindustrie und ihre Lieferanten erhalten dadurch, dass erstmals ein europäischer Hersteller bei der Innovation an der Spitze steht, die Möglichkeit, die führenden Volkswirtschaften einzuholen. (37) In Bezug auf das Kriterium des gemeinsamen europäischen Interesses führt Deutschland an, dass es durch die Anwendung der neuen 300-mm-Technologie zu einer Verbesserung grundlegender Prozesse zur Herstellung von Halbleitern kommen wird. Somit wird die Wettbewerbsfähigkeit und Effizienz der europäischen Industrie durch das Projekt gesteigert. Für die Gerätehersteller ist es von großer Bedeutung, dass es einen europäischen DRAM-Erzeuger gibt. Aufgrund der engen Verbindungen zu verwandten Wirtschaftszweigen begünstigt die Existenz eines europäischen DRAM-Herstellers die Entwicklung dieser Sektoren und der gesamten Halbleiterindustrie. (38) Deutschland zufolge ist es nicht notwendig, dass mehr als ein Mitgliedstaat an einem Projekt beteiligt ist, damit es als ein Vorhaben von gemeinsamem europäischem Interesse betrachtet werden kann. Die Stärkung der Wirtschaftsstruktur in einem Mitgliedstaat kann im Interesse der Gemeinschaft liegen, wenn dadurch die internationale Wettbewerbsfähigkeit der europäischen Industrie verbessert wird. Die Beteiligung mehrerer Mitgliedstaaten ist nicht zwingend erforderlich. (39) Deutschland argumentiert, dass die DRAM-Industrie ein strategischer Sektor ist, und erinnert daran, dass die Kommission bereits in der Vergangenheit staatliche Beihilfen für Forschungs- und Entwicklungsarbeiten genehmigt hat. Es wäre ein Widerspruch, die staatliche Beihilfe nun einzuschränken, da diese neue Technologie zur Anwendung kommen soll. (40) Deutschland vertritt daher die Meinung, dass die beabsichtigte staatliche Beihilfe nach Artikel 87 Absatz 3 Buchstabe b) EG-Vertrag genehmigt werden kann. (41) In seinen Bemerkungen zu den Stellungnahmen der Beteiligten weist Deutschland darauf hin, dass sie das Interesse der europäischen Industrie an dem Vorhaben von SC 300 aufgrund der erwarteten Synergieeffekte belegen, die zu einem verstärkten Wachstum der europäischen Industrie führen können. Die Stellungnahmen der Beteiligten zeigen auch, dass die Industrie die beabsichtigte staatliche Beihilfe unterstützt. V. WÜRDIGUNG 5.1. Würdigung nach Artikel 87 Absatz 3 Buchstabe a) EG-Vertrag (42) Die Beihilfe wurde für eine Neuinvestition in einem Fördergebiet im Sinne von Artikel 87 Absatz 3 Buchstabe a) EG-Vertrag gewährt und ist als Regionalbeihilfe zu bewerten. (43) Die beabsichtigte Beihilfe beträgt 218,718 Mio. EUR. Da sie somit über dem Schwellenwert von 50 Mio. EUR liegt, ist das Vorhaben gemäß dem multisektoralen Regionalbeihilferahmen anmeldepflichtig und muss entsprechend gewürdigt werden. (44) Vor der Würdigung des Beihilfevorhabens ist im multisektoralen Regionalbeihilferahmen die Ermittlung des relevanten Marktes vorgesehen. 5.1.1. Relevanter Markt (45) Der für die Ermittlung des Marktanteils relevante Produktmarkt umfasst das Produkt des Investitionsvorhabens und gegebenenfalls die Erzeugnisse, die vom Verbraucher oder Hersteller als Ersatzprodukte angesehen werden. (46) Im vorliegenden Fall betrifft die Investition die Erzeugung von DRAM. Diese fallen unter die Klasse 32.10 der NACE-Nomenklatur, die die Herstellung von elektronischen Bauelementen umfasst. Bei den DRAM handelt es sich um Halbleiter zur Speicherung binärer Daten, die wiederum zu den elektronischen Bauelementen gehören. DRAM sind der gebräuchlichste Typ von Halbleiterspeichern. Die größte Verwendung erfolgt in PC und die kostengünstig hergestellten Produkten. (47) DRAM können nach ihrer Speicherkapazität (d. h. der Datenmenge, die auf den Chips gespeichert werden kann) eingeteilt werden. Diese Kapazität hängt von der Chipgeneration ab. Das Produkt unterliegt einem raschen technologischen Wandel, so dass alle drei bis vier Jahre eine neue Generation auf den Markt kommt. DRAM können auch nach ihrem Anwendungszweck unterschieden werden (FPM-DRAM, EDO-DRAM, SDRAM oder RDRAM) oder der Art des Enderzeugnisses, in das sie eingebaut werden. (48) Es gibt auch andere Typen von Speicherchips, wie zum Beispiel SRAM (Static Random Access Memories), EPROM (Electrically Programmable Read Only Memories) und Flash-Speicher. Im Allgemeinen erfuellen diese Funktionen, die sich von denen der DRAM unterscheiden, und können nicht als Ersatzprodukte betrachtet werden. (49) DRAM sind Handelsware mit standardisierten Spezifikationen. Aus der Sicht der Nachfrageseite stehen den Kunden daher gleichartige DRAM von verschiedenen Herstellern auf der ganzen Welt zur Verfügung. Neue DRAM-Generationen stehen im Wettbewerb mit älteren. Die Entscheidung eines Kunden für einen spezifischen Typ hängt vom Verhältnis der Kosten zur Leistung und der Funktion des DRAM im Endprodukt ab. (50) Aus der Sicht der Angebotsseite können Hersteller DRAM mit unterschiedlicher Kapazität erzeugen, da die verwendeten Technologien ähnlich sind. Die Umstellung zwischen verschiedenen Generation von DRAM ist jedoch innerhalb einer bestimmten Anlage im Allgemeinen nicht leicht. (51) Aus diesen Gründen wird der Markt für DRAM als der relevante Produktmarkt(6) betrachtet. Für diesen Markt gibt es keine eigene in der NACE Klasse. (52) Hinsichtlich des relevanten geografischen Marktes kann festgehalten werden, dass DRAM weltweit nach gleichen Spezifikationen und Marketingkonzepten gehandelt werden. Die Transportkosten sind niedrig, und es bestehen keine strukturellen Hindernisse für den Marktzugang. Deshalb wird der Weltmarkt als der relevante geografische Markt betrachtet. 5.1.2. Multisektoraler Regionalbeihilferahmen (53) Gemäß dem multisektoralen Regionalbeihilfe