Delegierte Verordnung (EU) 2022/1 der Kommission vom 20. Oktober 2021 zur Änderung der Verordnung (EU) 2021/821 des Europäischen Parlaments und des Rates in Bezug auf die Liste der Güter mit doppeltem Verwendungszweck

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des Magnetfeldes im Bereich der innenliegenden 50 % des inneren Volumens besser als 1 %; Anmerkung: Unternummer 3A201b erfasst nicht Magnete, die besonders konstruiert sind für medizinische NMR-Bildsysteme (nuclear magnetic resonance imaging systems) und als Teile davon exportiert werden. Dabei ist es nicht notwendig, dass alle Teile in einer Lieferung zusammengefasst sind. Jedoch muss aus den Ausfuhr-Dokumenten jeder Einzellieferung eindeutig hervorgehen, dass es sich um Teile der Gesamtlieferung handelt. c. Röntgenblitzgeneratoren oder gepulste Elektronenbeschleuniger mit einer der folgenden Kombinationen von Eigenschaften: 1. a. Spitzenelektronenenergie des Beschleunigers größer/gleich 500 keV und kleiner als 25 MeV und b. ‚Gütefaktor‘ K größer/gleich 0,25 oder 2. a. Spitzenelektronenenergie des Beschleunigers größer/gleich 25 MeV und b. ‚Spitzenleistung‘ größer als 50 MW. Anmerkung: Unternummer 3A201c erfasst nicht Beschleuniger als Bestandteile von Geräten, die für die Anwendungsgebiete außerhalb der Elektronen- oder Röntgenbestrahlung (z. B. Elektronenmikroskopie) oder für medizinische Zwecke entwickelt wurden. Technische Anmerkungen: 1. Der ‚Gütefaktor‘ K ist definiert als: K = 1,7 × 103V2,65Q V = Spitzenelektronenenergie in MeV Bei einer Dauer des Strahlpulses kleiner/gleich 1 μs ist Q die gesamte beschleunigte Ladung in Coulomb. Falls die Dauer größer ist als 1 μs, ist Q die maximale beschleunigte Ladung in 1 μs. Q = Integral des Strahlstromes i in Ampere über der Dauer t in Sekunden bis zum kleineren Wert von 1 μs oder der Dauer des Strahlpulses (Q = ∫ idt). 2. ‚Spitzenleistung‘ = Produkt aus Spitzenpotenzial in Volt und Spitzenstrahlstrom in Ampere. 3. Bei Beschleunigern, die auf Hohlraumresonatoren basieren (microwave accelerating cavities), ist die Dauer des Strahlpulses der kleinere Wert von 1 μs oder der Dauer des Strahlbündels, das durch einen Modulatorimpuls erzeugt wird. 4. Bei Beschleunigern, die auf Hohlraumresonatoren basieren, ist der Spitzenstrahlstrom der Durchschnittsstrom während der Dauer eines Strahlbündels. 3A225 Frequenzumwandler oder Generatoren, die nicht von Unternummer 0B001b13 erfasst werden, verwendbar zur Motorsteuerung mit variabler oder fester Frequenz, mit allen folgenden Eigenschaften: Anmerkung 1: „Software“, besonders entwickelt zur Leistungssteigerung oder Aufhebung der Beschränkungen der Frequenzumwandler oder Generatoren, um den Eigenschaften der Nummer 3A225 zu entsprechen, wird von Nummer 3D225 erfasst. Anmerkung 2: „Technologie“ in Form von Lizenzschlüsseln oder Produkt-Keys zur Leistungssteigerung oder Aufhebung der Beschränkungen der Frequenzumwandler oder Generatoren, um den Eigenschaften der Nummer 3A225 zu entsprechen, wird von Nummer 3E225 erfasst. a. Mehrphasenausgang mit einer Leistung größer/gleich 40 VA, b. Betriebsfrequenz größer/gleich 600 Hz und c. Frequenzstabilisierung kleiner (besser) als 0,2 %. Anmerkung: Nummer 3A225 erfasst nicht Frequenzumwandler oder Generatoren, wenn sie Hardware-, „Software“- oder „Technologie“-Beschränkungen aufweisen, welche die Leistung auf eine geringere als die oben angegebene Leistung begrenzen, sofern sie eine der folgenden Bedingungen erfüllen: 1. Sie müssen zum Originalhersteller zurückgeschickt werden, um die Leistungssteigerung vorzunehmen oder die Beschränkung aufzuheben, 2. sie benötigen für die Leistungssteigerung oder die Aufhebung der Beschränkung die von Nummer 3D225 erfasste „Software“, um den Eigenschaften der Nummer 3A225 zu entsprechen, oder 3. sie benötigen für die Leistungssteigerung oder die Aufhebung der Beschränkungen die von Nummer 3E225 erfasste „Technologie“ in Form von Lizenzschlüsseln oder Produkt-Keys, um den Eigenschaften der Nummer 3A225 zu entsprechen. Technische Anmerkungen: 1. Frequenzumwandler im Sinne von Nummer 3A225 werden auch als Konverter oder Inverter bezeichnet. 2. Frequenzumwandler im Sinne der Nummer 3A225 können als Generatoren, elektronische Testausrüstung, Wechselstromversorgungsgeräte, Regelantriebe (VSDs, ASDs) oder Verstellantriebe (VFDs, AFDs) bzw. Motoren mit regelbarer Drehzahl in Verkehr gebracht werden. 3A226 Hochenergie-Gleichstromversorgungsgeräte, die nicht von Unternummer 0B001j6 erfasst werden, mit allen folgenden Eigenschaften: a. Erzeugung von 100 V oder mehr im Dauerbetrieb über einen Zeitraum von 8 h mit einem Ausgangsstrom größer/gleich 500 A und b. Strom- oder Spannungsregelung kleiner (besser) als 0,1 % über einen Zeitraum von 8 h. 3A227 Hochspannungs-Gleichstromversorgungsgeräte, die nicht von Unternummer 0B001j5 erfasst werden, mit allen folgenden Eigenschaften: a. Erzeugung von 20 kV oder mehr im Dauerbetrieb über einen Zeitraum von 8 h mit einem Ausgangsstrom größer/gleich 1 A und b. Strom- oder Spannungsregelung kleiner (besser) als 0,1 % über einen Zeitraum von 8 h. 3A228 Schaltelemente wie folgt: a. Kaltkathodenröhren mit oder ohne Gasfüllung, die wie Schaltfunkenstrecken funktionieren, mit allen folgenden Eigenschaften: 1. mit drei oder mehr Elektroden, 2. spezifizierte Anodenspitzenspannung größer/gleich 2,5 kV, 3. spezifizierter Anodenspitzenstrom größer/gleich 100 A und 4. Zündverzögerungszeit kleiner/gleich 10 μs; Anmerkung: Unternummer 3A228a schließt gasgefüllte Krytrons und Vakuum-Sprytrons ein. b. getriggerte Schaltfunkenstrecken mit allen folgenden Eigenschaften: 1. Zündverzögerungszeit kleiner/gleich 15 μs und 2. spezifiziert für Spitzenströme größer/gleich 500 A. c. Module oder Baugruppen zum schnellen Schalten, die nicht von Unternummer 3A001g oder 3A001h erfasst werden, mit allen folgenden Eigenschaften: 1. spezifizierte Anodenspitzenspannung größer als 2 kV, 2. spezifizierter Anodenspitzenstrom größer/gleich 500 A und 3. Einschaltzeit kleiner/gleich 1 μs. 3A229 Hochstrom-Impulsgeneratoren wie folgt: Anmerkung: SIEHE AUCH LISTE FÜR WAFFEN, MUNITION UND RÜSTUNGSMATERIAL. a. Zündvorrichtungen für Detonatoren (Aktivierungssysteme und Zünder), einschließlich elektronisch-aufgeladenen, explosionsgetriebenen und optisch-getriebenen Zündvorrichtungen, soweit nicht von Unternummer 1A007a erfasst, entwickelt um mehrere von Unternummer 1A007b erfasste Detonatoren kontrolliert zu zünden; b. modulare elektrische Impulsgeneratoren (Impulsgeber), mit allen folgenden Eigenschaften: 1. konstruiert für den mobilen oder robusten Einsatz, 2. Energieabgabe in weniger als 15 μs bei Lasten kleiner als 40 Ohm, 3. Ausgangsstrom größer als 100 A, 4. keine Abmessung größer als 30 cm, 5. Gewicht kleiner als 30 kg und 6. spezifiziert für einen erweiterten Temperaturbereich zwischen 223 K (-50 °C) und 373 K (100 °C) oder luftfahrttauglich, Anmerkung: Unternummer 3A229b schließt Xenon-Blitzlampentreiber ein. c. Mikrozünder mit allen folgenden Eigenschaften: 1. keine Abmessung größer als 35 mm, 2. Spannung größer/gleich 1 kV und 3. elektrische Kapazität größer/gleich 100 nF. 3A230 Hochgeschwindigkeits-Impulsgeneratoren und ‚Impulsköpfe‘ hierfür mit allen folgenden Eigenschaften: a. Ausgangsspannung größer als 6 V an einer ohmschen Last kleiner als 55 Ohm und b. ‚Impulsanstiegszeit‘ kleiner als 500 ps. Technische Anmerkungen: 1. ‚Impulsanstiegszeit‘ im Sinne der Nummer 3A230 ist das Zeitintervall, in dem die Spannungsamplitude zwischen 10 % und 90 % des Maximalwertes beträgt. 2. ‚Impulsköpfe‘ sind impulsgebende Netzwerke, entwickelt zur Verarbeitung einer Spannungsschrittfunktion und deren Umformung zu einer Reihe von Impulsformen, zu denen rechteckige, dreieckige, Stufen-, Sinus-, Exponential- oder monozyklische Formen gehören können. ‚Impulsköpfe‘ können integraler Bestandteil des Impulsgenerators, Einsteckmodul oder extern angeschlossen sein. 3A231 Neutronengeneratorsysteme einschließlich Neutronengeneratorröhren mit allen folgenden Eigenschaften: a. konstruiert für den Betrieb ohne äußeres Vakuumsystem und b. mit einer der folgenden Vorrichtungen: 1. elektrostatische Beschleunigung zur Auslösung einer Tritium-Deuterium-Kernreaktion oder 2. elektrostatische Beschleunigung zur Auslösung einer Deuterium-Deuterium-Kernreaktion und mit der Fähigkeit zur Freisetzung von größer/gleich 3 × 109 Neutronen/s. 3A232 Mehrfachzündersysteme, soweit nicht erfasst von Nummer 1A007, wie folgt: Anmerkung: SIEHE AUCH LISTE FÜR WAFFEN, MUNITION UND RÜSTUNGSMATERIAL. Anmerkung: Siehe Unternummer 1A007b zur Erfassung von Detonatoren. a. nicht belegt, b. Vorrichtungen mit einzelnen oder mehreren Detonatoren zum annähernd gleichzeitigen Zünden explosiver Oberflächen auf einer Fläche größer als 5 000 mm2, mit nur einem Zündsignal und mit einer maximalen zeitlichen Abweichung vom ursprünglichen Zündsignal über der gesamten zu zündenden Oberfläche kleiner als 2,5 μs. Anmerkung: Nummer 3A232 erfasst keine Detonatoren, die nur Initialsprengstoffe, wie z. B. Bleiazid, verwenden. 3A233 Massenspektrometer, die nicht von Unternummer 0B002g erfasst werden, für die Messung von Ionen einer Atommasse größer/gleich 230 u (oder Da) (atomare Masseneinheit) mit einer Auflösung besser als 2 u bei 230 u oder größer, und Ionenquellen hierfür wie folgt: a. induktiv gekoppelte Plasma-Massenspektrometer (ICP/MS), b. Glühentladungs-Massenspektrometer (GDMS), c. Thermoionisations-Massenspektrometer (TIMS), d. Elektronenstoß-Massenspektrometer mit beiden folgenden Eigenschaften: 1. Molekularstrahl-Einlasssystem, das ein kollimiertes Strahlenbündel der zu analysierenden Moleküle in den Bereich der Ionenquelle injiziert, in der die Moleküle durch einen Elektronenstrahl ionisiert werden, und 2. eine oder mehrere ‚Kühlfallen‘, die auf 193 K (-80 °C) kühlen können, e. nicht belegt, f. Massenspektrometer, ausgestattet mit einer Mikrofluorierungs-Ionenquelle, konstruiert für Actinoide oder Actinoidenfluoride. Technische Anmerkungen: 1. Elektronenstoß-Massenspektrometer (electron bombardment mass spectrometers) der Unternummer 3A233d sind auch als Elektronenstoßionisations-Massenspektrometer bekannt. 2. Eine ‚Kühlfalle‘ der Unternummer 3A233d2 ist eine Vorrichtung, mit der sich Gasmoleküle abscheiden lassen, indem sie auf kalten Oberflächen kondensieren oder gefrieren. Im Sinne der Unternummer 3A233d2 ist eine mit geschlossenem Kreislauf arbeitende Helium-Kryopumpe keine ‚Kühlfalle‘. 3A234 Streifenbandleitungen für den induktionsarmen Weg zu Detonatoren, mit den folgenden Eigenschaften: a. Betriebsspannung größer als 2 kV, und b) Induktivität kleiner als 20 nH. 3B Prüf-, Test- und Herstellungseinrichtungen 3B001 Ausrüstung für die Fertigung von Halbleiterbauelementen oder -materialien wie folgt sowie besonders konstruierte Bestandteile und besonders konstruiertes Zubehör hierfür: Anmerkung: SIEHE AUCH NUMMER 2B226. a. Epitaxieausrüstung wie folgt: 1. Ausrüstung, entwickelt oder modifiziert für die Herstellung einer Schicht aus einem anderen Material als Silizium mit einer gleichmäßigen Schichtdicke mit weniger als ± 2,5 % Abweichung auf einer Strecke von größer/gleich 75 mm, Anmerkung: Unternummer 3B001a1 erfasst auch Ausrüstung für Atomlagen-Epitaxie (Atomic Layer Epitaxy (ALE)). 2. MOCVD-(Metal-Organic-Chemical-Vapour-Deposition-)Reaktoren, konstruiert für Verbindungshalbleiterepitaxie auf einem Material, das zwei oder mehr der folgenden Elemente enthält: Aluminium, Gallium, Indium, Arsen, Phosphor, Antimon oder Stickstoff, 3. Molekularstrahlepitaxie-Ausrüstung, die Gas- oder Feststoff-Quellen verwendet; b. Ausrüstung, konstruiert für Ionenimplantation und mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. nicht belegt; 2. konstruiert und optimiert, um für die Wasserstoff-, Deuterium- oder Heliumimplantation bei einer Elektronenenergie größer/gleich 20 keV und einem Strahlstrom größer/gleich 10 mA zu arbeiten, 3. mit Direktschreibbetrieb, 4. Elektronenenergie größer/gleich 65 keV und Strahlstrom größer/gleich 45 mA für das Implantieren von Sauerstoff mit hoher Energie in ein erhitztes Halbleiter„substrat“; oder 5. konstruiert und optimiert, um für die Siliziumimplantation in ein auf 600 °C oder mehr erhitztes Halbleiter„substrat“ bei einer Elektronenenergie größer/gleich 20 keV und einem Strahlstrom größer/gleich 10 mA zu arbeiten, c. nicht belegt, d. nicht belegt, e. zentrale Waferhandlingsysteme für das automatische Beladen von Mehrkammersystemen mit allen folgenden Eigenschaften: 1. Schnittstellen für Waferein- und -ausgabe, an die mehr als zwei funktionell unterschiedliche, von Unternummer 3B001a1, 3B001a2, 3B001a3 oder 3B001b erfasste ‚Halbleiterprozessgeräte‘ angeschlossen werden sollen, und 2. entwickelt, um ein integrales System zur ‚sequenziellen, multiplen Waferbearbeitung‘ innerhalb einer geschlossenen Vakuumumgebung aufbauen zu können, Anmerkung: Unternummer 3B001e erfasst nicht automatische Robotersysteme für das Waferhandling, die besonders für die parallele Waferbearbeitung ausgelegt sind. Technische Anmerkungen: 1. ‚Halbleiterprozessgeräte‘ im Sinne der Unternummer 3B001e sind modulare Anlagen für funktionell unterschiedliche physikalische Einzelprozesse zur Herstellung von Halbleitern, wie z. B. Beschichten, Implantieren oder thermisches Behandeln. 2. ‚Sequentielle, multiple Waferbearbeitung‘ im Sinne der Unternummer 3B001e bedeutet die Eigenschaft, jeden Wafer in verschiedenen ‚Halbleiterprozessgeräten‘ zu bearbeiten, indem der Wafer mithilfe des zentralen Waferhandlingsystems für das automatische Beladen von Mehrkammersystemen von einem Gerät zu einem zweiten Gerät und weiter zu einem dritten Gerät transferiert wird. f. Lithografieanlagen wie folgt: 1. Step-and-repeat (direct step on wafer)- oder step-and-scan (scanner)-Justier- und Belichtungsanlagen für die Waferfertigung, die lichtoptische oder röntgentechnische Verfahren verwenden und eine der folgenden Eigenschaften haben: a. Wellenlänge der Lichtquelle kleiner als 193 nm oder b. geeignet, ‚kleinste auflösbare Strukturbreiten‘ (KAS) von kleiner/gleich 45 nm zu erzeugen, Technische Anmerkung: Die ‚kleinste auflösbare Strukturbreite‘ KAS wird berechnet nach der Formel: wobei K = 0,35 2. Anlagen für die Imprintlithografie, geeignet für die Herstellung von Strukturen kleiner/gleich 45 nm; Anmerkung: Unternummer 3B001f2 schließt ein: — Anlagen für den Mikrokontaktdruck (micro contact printing tools), — Anlagen für den Druck mit heißen Stempeln (hot embossing tools), — Anlagen für die Nano-Imprint-Lithografie, — Anlagen für S-FIL (step and flash imprint lithography). 3. Anlagen, besonders konstruiert für die Maskenherstellung mit allen folgenden Eigenschaften: a. abgelenkten, fokussierten Elektronenstrahlen, Ionenstrahlen oder „Laser“-Strahlen und b. mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Fokusgröße (spot size) mit einer Halbwertsbreite (full-width half-maximum (FWHM)) kleiner als 65 nm und einer Justiergenauigkeit (image placement) kleiner als 17 nm (Mittelwert + 3 Sigma) oder 2. nicht belegt; 3. Überdeckungsfehler (overlay error) der zweiten Schicht auf der Maske kleiner als 23 nm (Mittelwert + 3 Sigma), 4. Anlagen für die Halbleiterherstellung, die Direktschreibverfahren verwenden, mit allen folgenden Eigenschaften: a. abgelenkten, fokussierten Elektronenstrahlen und b. mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Mindeststrahlgröße (Minimum beam size) kleiner/gleich 15 nm oder 2. Überdeckungsfehler (overlay error) kleiner als 27 nm (Mittelwert + 3 Sigma), g. Masken oder Reticles, entwickelt für von Nummer 3A001 erfasste integrierte Schaltungen, h. Multilayer-Masken mit einer phasenverschiebenden Schicht, nicht von Unternummer 3B001g erfasst und konstruiert für die Verwendung in Lithografieanlagen mit einer Lichtquelle mit einer Wellenlänge kleiner als 245 nm; Anmerkung: Unternummer 3B001h erfasst nicht Multilayer-Masken mit einer phasenverschiebenden Schicht, entwickelt für die Fertigung von Speicherbauelementen, die nicht von Nummer 3A001 erfasst sind. Anmerkung: Für Masken und Reticles, besonders konstruiert für optische Sensoren, siehe Nummer 6B002. i. Matrizen (templates) für die Imprintlithografie, entwickelt für von Nummer 3A001 erfasste integrierte Schaltungen. j. Masken-„Substratrohlinge“ (mask substrate blanks) mit Mehrschicht-Reflektorstruktur aus Molybdän und Silizium mit allen folgenden Eigenschaften: 1. besonders ausgelegt für ‚Extrem-Ultraviolett‘- (‚EUV‘-)Lithografie und 2. dem SEMI-Standard P37 entsprechend. Technische Anmerkung: ‚EUV‘ (‚Extreme ultraviolette Strahlung‘) bezeichnet den Spektralbereich elektromagnetischer Strahlung mit Wellenlängen über 5 nm und weniger als 124 nm. 3B002 Prüfgeräte, besonders konstruiert für das Testen von fertigen oder unfertigen Halbleiterbauelementen wie folgt sowie besonders konstruierte Bestandteile und besonders konstruiertes Zubehör hierfür: a. zum Prüfen der S-Parameter von Unternummer 3A001b3 erfasster Güter, b. nicht belegt, c. zum Prüfen von Gütern, die von Unternummer 3A001b2 erfasst werden. 3C Werkstoffe und Materialien 3C001 Hetero-epitaxiale Werkstoffe oder Materialien aus einem „Substrat“, das mehrere Epitaxieschichten aus einem der folgenden Materialien enthält: a. Silizium (Si), b. Germanium (Ge), c. Siliziumcarbid (SiC) oder d. „III/V-Verbindungen“ von Gallium oder Indium. Anmerkung: Unternummer 3C001d erfasst nicht ein „Substrat“ mit einer oder mehreren p-Typ-Epitaxieschichten aus GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP oder InGaAlP, unabhängig von der Folge der Elemente, außer wenn die p-Typ-Epitaxieschicht zwischen n-Typ-Schichten liegt. 3C002 Fotoresists wie folgt und „Substrate“, die mit folgenden Fotoresists beschichtet sind: a. Fotoresists, entwickelt für die Halbleiter-Lithografie, wie folgt: 1. Positiv-Fotoresists, eingestellt (optimiert) für den Einsatz bei Wellenlängen kleiner als 193 nm und größer/gleich 15 nm, 2. Fotoresists, eingestellt (optimiert) für den Einsatz bei Wellenlängen kleiner als 15 nm und größer als 1 nm, b. alle Fotoresists, entwickelt zur Verwendung mit Elektronen- oder Ionenstrahlen mit einer Empfindlichkeit von besser/gleich 0,01 μcoulomb/mm2, c. nicht belegt, d. alle Fotoresists, optimiert für Oberflächen-Belichtungstechnologien, e. alle Fotoresists, entwickelt oder optimiert für die Verwendung in von Unternummer 3B001f2 erfassten Anlagen für die Imprintlithografie, die entweder thermische oder lichtaushärtende Prozesse verwenden. 3C003 Organisch-anorganische Verbindungen wie folgt: a. Metallorganische Verbindungen aus Aluminium, Gallium oder Indium mit einer Reinheit (bezogen auf das Metall) größer als 99,999 %; b. Organische Arsen-, Antimon- oder Phosphorverbindungen mit einer Reinheit (bezogen auf das anorganische Element) größer als 99,999 %. Anmerkung: Nummer 3C003 erfasst nur Verbindungen, deren metallisches, halbmetallisches oder nichtmetallisches Element direkt an das Kohlenstoffatom im organischen Teil des Moleküls gebunden ist. 3C004 Phosphor-, Arsen- oder Antimonhydride mit einer Reinheit größer als 99,999 %, auch verdünnt in Inertgasen oder Wasserstoff. Anmerkung: Nummer 3C004 erfasst nicht Hydride, die 20 Molprozent oder mehr Inertgase oder Wasserstoff enthalten. 3C005 Hochwiderstandswerkstoffe und -materialien wie folgt: a. Siliziumcarbid (SiC)-, Galliumnitrid (GaN)-, Aluminiumnitrid (AlN)- oder Aluminiumgalliumnitrid (AlGaN)-Halbleiter-„Substrate“ oder -Stäbe (ingots, boules) oder andere Vorformen dieser Materialien mit einem spezifischen Widerstand größer als 10 000 Ohm cm bei einer Temperatur von 20 °C. b. Pol