Delegierte Verordnung (EU) 2023/2616 der Kommission vom 15. September 2023 zur Änderung der Verordnung (EU) 2021/821 des Europäischen Parlaments und des Rates in Bezug auf die Liste der Güter mit doppeltem Verwendungszweck

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rfür mit allen folgenden Eigenschaften: a. Ausgangsspannung größer als 6 V an einer ohmschen Last kleiner als 55 Ohm und b. 'Impulsanstiegszeit' kleiner als 500 ps. Technische Anmerkungen: 1. 'Impulsanstiegszeit' im Sinne der Nummer 3A230 ist das Zeitintervall, in dem die Spannungsamplitude zwischen 10 % und 90 % des Maximalwertes beträgt. 2. 'Impulsköpfe' sind impulsgebende Netzwerke, entwickelt zur Verarbeitung einer Spannungsschrittfunktion und deren Umformung zu einer Reihe von Impulsformen, zu denen rechteckige, dreieckige, Stufen-, Sinus-, Exponential- oder monozyklische Formen gehören können. 'Impulsköpfe' können integraler Bestandteil des Impulsgenerators, Einsteckmodul oder extern angeschlossen sein. 3A231 Neutronengeneratorsysteme einschließlich Neutronengeneratorröhren mit allen folgenden Eigenschaften: a. konstruiert für den Betrieb ohne äußeres Vakuumsystem und b. mit einer der folgenden Vorrichtungen: 1. elektrostatische Beschleunigung zur Auslösung einer Tritium-Deuterium-Kernreaktion oder 2. elektrostatische Beschleunigung zur Auslösung einer Deuterium-Deuterium-Kernreaktion und mit der Fähigkeit zur Freisetzung von größer/gleich 3 × 109 Neutronen/s. 3A232 Mehrfachzündersysteme, soweit nicht erfasst von Nummer 1A007, wie folgt: Anmerkung : SIEHE AUCH LISTE FÜR WAFFEN, MUNITION UND RÜSTUNGSMATERIAL. Anmerkung : Siehe Unternummer 1A007b zur Erfassung von Detonatoren. a. nicht belegt; b. Vorrichtungen mit einzelnen oder mehreren Detonatoren zum annähernd gleichzeitigen Zünden explosiver Oberflächen auf einer Fläche größer als 5 000 mm2, mit nur einem Zündsignal und mit einer maximalen zeitlichen Abweichung vom ursprünglichen Zündsignal über der gesamten zu zündenden Oberfläche kleiner als 2,5 μs. Anmerkung : Nummer 3A232 erfasst keine Detonatoren, die nur Initialsprengstoffe, wie z. B. Bleiazid, verwenden. 3A233 Massenspektrometer, die nicht von Unternummer 0B002g erfasst werden, für die Messung von Ionen einer Atommasse größer/gleich 230 u (oder Da) (atomare Masseneinheit) mit einer Auflösung besser als 2 u bei 230 u oder größer, und Ionenquellen hierfür wie folgt: a. induktiv gekoppelte Plasma-Massenspektrometer (ICP/MS), b. Glühentladungs-Massenspektrometer (GDMS), c. Thermoionisations-Massenspektrometer (TIMS), d. Elektronenstoß-Massenspektrometer mit beiden folgenden Eigenschaften: 1. Molekularstrahl-Einlasssystem, das ein kollimiertes Strahlenbündel der zu analysierenden Moleküle in den Bereich der Ionenquelle injiziert, in der die Moleküle durch einen Elektronenstrahl ionisiert werden, und 2. eine oder mehrere 'Kühlfallen', die auf 193 K (–80 °C) kühlen können, e. nicht belegt; f. Massenspektrometer, ausgestattet mit einer Mikrofluorierungs-Ionenquelle, konstruiert für Actinoide oder Actinoidenfluoride. Technische Anmerkungen: 1. Elektronenstoß-Massenspektrometer (electron bombardment mass spectrometers) der Unternummer 3A233d sind auch als Elektronenstoßionisations-Massenspektrometer bekannt. 2. Eine 'Kühlfalle' der Unternummer 3A233d2 ist eine Vorrichtung, mit der sich Gasmoleküle abscheiden lassen, indem sie auf kalten Oberflächen kondensieren oder gefrieren. Im Sinne der Unternummer 3A233d2 ist eine mit geschlossenem Kreislauf arbeitende Helium-Kryopumpe keine 'Kühlfalle'. 3A234 Streifenbandleitungen für den induktionsarmen Weg zu Detonatoren, mit den folgenden Eigenschaften: a. Betriebsspannung größer als 2 kV und b. Induktivität kleiner als 20 nH. 3B Prüf-, Test- und Herstellungseinrichtungen 3B001 Ausrüstung für die Fertigung von Halbleiterbauelementen oder -materialien wie folgt sowie besonders konstruierte Bestandteile und besonders konstruiertes Zubehör hierfür: Anmerkung : SIEHE AUCH NUMMER 2B226. a. Epitaxieausrüstung wie folgt: 1. Ausrüstung, entwickelt oder modifiziert für die Herstellung einer Schicht aus einem anderen Material als Silizium mit einer gleichmäßigen Schichtdicke mit weniger als ± 2,5 % Abweichung auf einer Strecke von größer/gleich 75 mm, Anmerkung : Unternummer 3B001a1 erfasst auch Ausrüstung für Atomlagen-Epitaxie (Atomic Layer Epitaxy (ALE)). 2. MOCVD-(Metal-Organic-Chemical-Vapour-Deposition-)Reaktoren, konstruiert für Verbindungshalbleiterepitaxie auf einem Material, das zwei oder mehr der folgenden Elemente enthält: Aluminium, Gallium, Indium, Arsen, Phosphor, Antimon oder Stickstoff, 3. Molekularstrahlepitaxie-Ausrüstung, die Gas- oder Feststoff-Quellen verwendet; b. Ausrüstung, konstruiert für Ionenimplantation und mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. nicht belegt; 2. konstruiert und optimiert, um für die Wasserstoff-, Deuterium- oder Heliumimplantation bei einer Elektronenenergie größer/gleich 20 keV und einem Strahlstrom größer/gleich 10 mA zu arbeiten, 3. mit Direktschreibbetrieb, 4. Elektronenenergie größer/gleich 65 keV und Strahlstrom größer/gleich 45 mA für das Implantieren von Sauerstoff mit hoher Energie in ein erhitztes Halbleiter"substrat"; oder 5. konstruiert und optimiert, um für die Siliziumimplantation in ein auf 600 °C oder mehr erhitztes Halbleiter"substrat" bei einer Elektronenenergie größer/gleich 20 keV und einem Strahlstrom größer/gleich 10 mA zu arbeiten, c. nicht belegt; d. nicht belegt; e. zentrale Waferhandlingsysteme für das automatische Beladen von Mehrkammersystemen mit allen folgenden Eigenschaften: 1. Schnittstellen für Waferein- und -ausgabe, an die mehr als zwei funktionell unterschiedliche, von Unternummer 3B001a1, 3B001a2, 3B001a3 oder 3B001b erfasste 'Halbleiterprozessgeräte' angeschlossen werden sollen, und 2. entwickelt, um ein integrales System zur 'sequenziellen, multiplen Waferbearbeitung' innerhalb einer geschlossenen Vakuumumgebung aufbauen zu können, Anmerkung : Unternummer 3B001e erfasst nicht automatische Robotersysteme für das Waferhandling, die besonders für die parallele Waferbearbeitung ausgelegt sind. Technische Anmerkungen: 1. 'Halbleiterprozessgeräte' im Sinne der Unternummer 3B001e1 sind modulare Anlagen für funktionell unterschiedliche physikalische Einzelprozesse zur Herstellung von Halbleitern, wie z. B. Beschichten, Implantieren oder thermisches Behandeln. 2. 'Sequentielle, multiple Waferbearbeitung' im Sinne der Unternummer 3B001e2 bedeutet die Eigenschaft, jeden Wafer in verschiedenen 'Halbleiterprozessgeräten' zu bearbeiten, indem der Wafer mithilfe des zentralen Waferhandlingsystems für das automatische Beladen von Mehrkammersystemen von einem Gerät zu einem zweiten Gerät und weiter zu einem dritten Gerät transferiert wird. f. Lithografieanlagen wie folgt: 1. Step-and-repeat (direct step on wafer)- oder step-and-scan (scanner)-Justier- und Belichtungsanlagen für die Waferfertigung, die lichtoptische oder röntgentechnische Verfahren verwenden und eine der folgenden Eigenschaften haben: a. Wellenlänge der Lichtquelle kleiner als 193 nm oder b. geeignet, 'kleinste auflösbare Strukturbreiten' (KAS) von kleiner/gleich 45 nm zu erzeugen, Technische Anmerkung: Im Sinne der Unternummer 3B001f1b wird die 'kleinste auflösbare Strukturbreite' KAS nach folgender Formel berechnet: wobei K = 0,35 2. Anlagen für die Imprintlithografie, geeignet für die Herstellung von Strukturen kleiner/gleich 45 nm; Anmerkung : Unternummer 3B001f2 schließt ein: — Anlagen für den Mikrokontaktdruck (micro contact printing tools), — Anlagen für den Druck mit heißen Stempeln (hot embossing tools), — Anlagen für die Nano-Imprint-Lithografie, — Anlagen für S-FIL (step and flash imprint lithography). 3. Anlagen, besonders konstruiert für die Maskenherstellung mit allen folgenden Eigenschaften: a. abgelenkten, fokussierten Elektronenstrahlen, Ionenstrahlen oder "Laser"-Strahlen und b. mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Fokusgröße (spot size) mit einer Halbwertsbreite (full-width half-maximum (FWHM)) kleiner als 65 nm und einer Justiergenauigkeit (image placement) kleiner als 17 nm (Mittelwert + 3 Sigma) oder 2. nicht belegt; 3. Überdeckungsfehler (overlay error) der zweiten Schicht auf der Maske kleiner als 23 nm (Mittelwert + 3 Sigma), 4. Anlagen für die Halbleiterherstellung, die Direktschreibverfahren verwenden, mit allen folgenden Eigenschaften: a. abgelenkten, fokussierten Elektronenstrahlen und b. mit einer der folgenden Eigenschaften: 1. Mindeststrahlgröße (Minimum beam size) kleiner/gleich 15 nm oder 2. Überdeckungsfehler (overlay error) kleiner als 27 nm (Mittelwert + 3 Sigma), g. Masken oder Reticles, entwickelt für von Nummer 3A001 erfasste integrierte Schaltungen, h. Multilayer-Masken mit einer phasenverschiebenden Schicht, nicht von Unternummer 3B001g erfasst und konstruiert für die Verwendung in Lithografieanlagen mit einer Lichtquelle mit einer Wellenlänge kleiner als 245 nm; Anmerkung : Unternummer 3B001h erfasst nicht Multilayer-Masken mit einer phasenverschiebenden Schicht, entwickelt für die Fertigung von Speicherbauelementen, die nicht von Nummer 3A001 erfasst sind. Anmerkung : Für Masken und Reticles, besonders konstruiert für optische Sensoren, siehe Nummer 6B002. i. Matrizen (templates) für die Imprintlithografie, entwickelt für von Nummer 3A001 erfasste integrierte Schaltungen. j. Masken-"Substratrohlinge" (mask substrate blanks) mit Mehrschicht-Reflektorstruktur aus Molybdän und Silizium mit allen folgenden Eigenschaften: 1. besonders ausgelegt für 'Extrem-Ultraviolett'- ('EUV'-)Lithografie und 2. dem SEMI-Standard P37 entsprechend. Technische Anmerkung: Im Sinne der Unternummer 3B001j bezeichnet 'EUV' ('Extreme ultraviolette Strahlung') den Spektralbereich elektromagnetischer Strahlung mit Wellenlängen über 5 nm und weniger als 124 nm. 3B002 Prüfgeräte, besonders konstruiert für das Testen von fertigen oder unfertigen Halbleiterbauelementen wie folgt sowie besonders konstruierte Bestandteile und besonders konstruiertes Zubehör hierfür: a. zum Prüfen der S-Parameter von Unternummer 3A001b3 erfasster Güter, b. nicht belegt; c. zum Prüfen von Gütern, die von Unternummer 3A001b2 erfasst werden. 3C Werkstoffe und Materialien 3C001 Hetero-epitaxiale Werkstoffe oder Materialien aus einem "Substrat", das mehrere Epitaxieschichten aus einem der folgenden Materialien enthält: a. Silizium (Si), b. Germanium (Ge), c. Siliziumcarbid (SiC), d. "III/V-Verbindungen" von Gallium oder Indium, e. Galliumoxid (Ga2O3), oder f. Diamant. Anmerkung : Unternummer 3C001d erfasst nicht ein "Substrat" mit einer oder mehreren p-Typ-Epitaxieschichten aus GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP oder InGaAlP, unabhängig von der Folge der Elemente, außer wenn die p-Typ-Epitaxieschicht zwischen n-Typ-Schichten liegt. 3C002 Fotoresists wie folgt und "Substrate", die mit folgenden Fotoresists beschichtet sind: a. Fotoresists, entwickelt für die Halbleiter-Lithografie, wie folgt: 1. Positiv-Fotoresists, eingestellt (optimiert) für den Einsatz bei Wellenlängen kleiner als 193 nm und größer/gleich 15 nm, 2. Fotoresists, eingestellt (optimiert) für den Einsatz bei Wellenlängen kleiner als 15 nm und größer als 1 nm, b. alle Fotoresists, entwickelt zur Verwendung mit Elektronen- oder Ionenstrahlen mit einer Empfindlichkeit von besser/gleich 0,01 μcoulomb/mm2, c. nicht belegt; d. alle Fotoresists, optimiert für Oberflächen-Belichtungstechnologien, e. alle Fotoresists, entwickelt oder optimiert für die Verwendung in von Unternummer 3B001f2 erfassten Anlagen für die Imprintlithografie, die entweder thermische oder lichtaushärtende Prozesse verwenden. 3C003 Organisch-anorganische Verbindungen wie folgt: a. Metallorganische Verbindungen aus Aluminium, Gallium oder Indium mit einer Reinheit (bezogen auf das Metall) größer als 99,999 %; b. Organische Arsen-, Antimon- oder Phosphorverbindungen mit einer Reinheit (bezogen auf das anorganische Element) größer als 99,999 %. Anmerkung : Nummer 3C003 erfasst nur Verbindungen, deren metallisches, halbmetallisches oder nichtmetallisches Element direkt an das Kohlenstoffatom im organischen Teil des Moleküls gebunden ist. 3C004 Phosphor-, Arsen- oder Antimonhydride mit einer Reinheit größer als 99,999 %, auch verdünnt in Inertgasen oder Wasserstoff. Anmerkung : Nummer 3C004 erfasst nicht Hydride, die 20 Molprozent oder mehr Inertgase oder Wasserstoff enthalten. 3C005 Hochwiderstandswerkstoffe und -materialien wie folgt: a. Siliziumcarbid (SiC)-, Galliumnitrid (GaN)-, Aluminiumnitrid (AlN)-, Aluminiumgalliumnitrid (AlGaN)-, Galliumoxid (Ga2O3)- oder Diamant-Halbleiter-"Substrate" oder -Stäbe (ingots, boules) oder andere Vorformen dieser Materialien mit einem spezifischen Widerstand größer als 10 000 Ohm cm bei einer Temperatur von 20 °C. b. Polykristalline "Substrate" oder polykristalline keramische "Substrate" mit einem spezifischen Widerstand größer als 10 000 Ohm cm bei einer Temperatur von 20 °C und wenigstens einer nicht-epitaxialen Einzelkristallschicht aus Silizium (Si), Siliziumcarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN), Aluminiumnitrid (AlN), Aluminiumgalliumnitrid (AlGaN), Galliumoxid (Ga2O3) oder Diamant auf der Oberfläche des "Substrats". 3C006 Nicht von Nummer 3C001 erfasste Werkstoffe und Materialien, bestehend aus einem "Substrat", erfasst von Nummer 3C005, mit mindestens einer Epitaxieschicht aus Siliziumcarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN), Aluminiumnitrid (AlN), Aluminiumgalliumnitrid (AlGaN), Galliumoxid (Ga2O3) oder Diamant. 3D Datenverarbeitungsprogramme (Software) 3D001 "Software", besonders entwickelt für die "Entwicklung" oder "Herstellung" von Ausrüstung, die von den Unternummern 3A001b bis 3A002h oder Nummer 3B erfasst wird. 3D002 "Software", besonders entwickelt für die "Verwendung" von Ausrüstung, die von den Unternummern 3B001a bis f, Nummer 3B002 oder Nummer 3A225 erfasst wird. 3D003 "Software" für 'computergestützte Lithografie', besonders entwickelt für die "Entwicklung" von Strukturen auf EUV-Lithografiemasken oder --reticles. Technische Anmerkung: Im Sinne der Nummer 3D003 bezeichnet 'computergestützte Lithografie' den Einsatz von Computermodellierung zur Vorhersage, Korrektur, Optimierung und Prüfung der Bildgebungsleistung (imaging performance) des Lithografieverfahrens im Bereich von Strukturen, Verfahren und Systemzuständen. 3D004 "Software", besonders entwickelt für die "Entwicklung" der von Nummer 3A003 erfassten Ausrüstung. 3D005 "Software" besonders entwickelt zur Wiederherstellung des Normalbetriebs eines Mikrocomputers, "Mikroprozessors" oder "Mikrocomputers" innerhalb von 1 ms nach einer Störung durch elektromagnetischen Impuls (EMP) oder elektrostatische Entladung (ESD) ohne Unterbrechung des laufenden Betriebs. 3D006 'Electronic Computer-Aided Design'"Software" ('ECAD'), besonders entwickelt für die "Entwicklung" integrierter Schaltungen mit einer "Gate-All-Around-Feldeffekttransistor"-Struktur ("GAAFET") und mit einer der folgenden Eigenschaften: a. besonders entwickelt zur Implementierung von 'Register Transfer Level' ('RTL') nach 'Geometrical Database Standard II' ('GDSII') oder einem gleichwertigen Standard, oder b. besonders konstruiert für die Optimierung von Leistungs- oder Zeitsteuerungsregeln. Technische Anmerkungen: Im Sinne der Nummer 3D006 gilt: 1. 'Electronic Computer-Aided Design' ('ECAD') ist eine Kategorie von "Software"-Werkzeugen, die für den Entwurf, die Analyse, die Optimierung und die Validierung der Leistung von integrierten Schaltungen oder Leiterplatten verwendet werden. 2. Die 'Register Transfer Level' ('RTL') ist eine Entwurfsabstraktion, die eine synchrone digitale Schaltung in Bezug auf den Fluss digitaler Signale zwischen Hardware-Registern und die mit diesen Signalen durchgeführten logischen Operationen modelliert. 3. 'Geometrical Database Standard II' ('GDSII') ist ein Datenbankdateiformat für den Datenaustausch von integrierten Schaltkreisen oder Layout-Designs für integrierte Schaltkreise. 3D101 "Software", besonders entwickelt oder geändert für die "Verwendung" der von Unternummer 3A101b erfassten Ausrüstung. 3D225 "Software" besonders entwickelt zur Leistungssteigerung oder Aufhebung der Beschränkungen der Frequenzumwandler oder Generatoren, um den Eigenschaften von Nummer 3A225 zu entsprechen. 3E Technologie 3E001 "Technologie" entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die "Entwicklung" oder "Herstellung" von Ausrüstung, Werkstoffen oder Materialien, die von Nummer 3A, 3B oder 3C erfasst werden. Anmerkung 1 : Nummer 3E001 erfasst nicht "Technologie" für Ausrüstung oder Bestandteile, die in Nummer 3A003 erfasst werden. Anmerkung 2 : Nummer 3E001 erfasst nicht "Technologie" für integrierte Schaltungen, die von den Unternummern 3A001a3 bis 3A001a12 erfasst werden, mit allen folgenden Eigenschaften: a. Verwendung einer "Technologie" mit minimalen Strukturbreiten größer/gleich 0,130 μm und b. Multilayer-Strukturen mit drei oder weniger Metallisierungsebenen. Anmerkung 3 : Nummer 3E001 erfasst nicht 'Process Design Kits' ('PDKs'), außer sie enthalten Bibliotheken, welche Funktionen oder Technologien für von Nummer 3A001 erfasste Güter implementieren. Technische Anmerkung: Im Sinne der Nummer 3E001 Anmerkung 3 ist ein 'Process Design Kit' ('PDK') ein Software-Tool, bereitgestellt von einem Halbleiterhersteller, um die Einhaltung der Entwurfsverfahren und -regeln sicherzustellen, die für die erfolgreiche Herstellung eines spezifischen Entwurfs einer integrierten Schaltung in einem spezifischen Halbleiterprozess unter technologischen und herstellungsbezogenen Bedingungen erforderlich ist (jeder Halbleiterherstellungsprozess hat sein eigenes 'PDK'). 3E002 "Technologie" entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung, die nicht von Nummer 3E001 erfasst wird, für die "Entwicklung" oder "Herstellung" eines Mikroprozessor-, Mikrocomputer- oder Mikrocontroller-Kerns (core), der eine Arithmetisch-Logische Einheit (ALU) mit einer Zugriffsbreite größer/gleich 32 Bit enthält und mit einer der folgenden Eigenschaften oder Charakteristiken: a. eine 'Vektoreinheit', entwickelt, um mehr als zwei Berechnungen auf 'Gleitkomma'-Vektoren (eindimensionale Felder von Zahlen mit einer Darstellung von 32 Bit oder mehr) gleichzeitig auszuführen, Technische Anmerkung: Im Sinne der Unternummer 3E002a ist eine 'Vektoreinheit' ein Prozessorelement mit eingebauten Befehlen, das Mehrfachrechnungen auf 'Gleitkomma'-Vektoren (eindimensionale Felder aus Zahlen von 32 Bit oder länger) gleichzeitig ausführen kann und mindestens eine Vektor-ALU (Arithmetisch-Logische-Einheit) und Vektorregister von mindestens je 32 Elementen enthält. b. entwickelt, um mehr als vier 'Gleitkomma'-Ergebnisse mit einer Wortlänge von 64 Bit oder größer pro Taktzyklus zu erzielen, oder c. entwickelt, um mehr als acht 'Festkomma'-Multiplikations-Additions-(multiply-accumulate) Ergebnisse mit einer Wortlänge von 16 Bit pro Taktzyklus zu erzielen (d. h. digitale Verarbeitung von analogen Eingangsdaten, die in digitale Darstellung gebracht wurden, auch bekannt unter dem Begriff: digitale "Signalverarbeitung"). Technische Anmerkungen: