Europäische Union

Delegierte Verordnung (EU) 2024/2547 der Kommission vom 5. September 2024 zur Änderung der Verordnung (EU) 2021/821 des Europäischen Parlaments und des Rates in Bezug auf die Liste der Güter mit doppeltem Verwendungszweck

Amtliche Ursprungsfassung

Quellenkennung: 32024R2547. Spätere Änderungen sind nicht automatisch in dieser Fassung enthalten.

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m (Ge), c. Siliziumcarbid (SiC), d. „III/V-Verbindungen“ von Gallium oder Indium, e. Galliumoxid (Ga2O3), oder f. Diamant. Anmerkung: Unternummer 3C001d erfasst nicht ein „Substrat“ mit einer oder mehreren p-Typ-Epitaxieschichten aus GaN, InGaN, AlGaN, InAlN, InAlGaN, GaP, GaAs, AlGaAs, InP, InGaP, AlInP oder InGaAlP, unabhängig von der Folge der Elemente, außer wenn die p-Typ-Epitaxieschicht zwischen n-Typ-Schichten liegt. 3C002 Fotoresists wie folgt und „Substrate“, die mit folgenden Fotoresists beschichtet sind: a. Fotoresists, entwickelt für die Halbleiter-Lithografie, wie folgt: 1. Positiv-Fotoresists, eingestellt (optimiert) für den Einsatz bei Wellenlängen kleiner als 193 nm und größer/gleich 15 nm, 2. Fotoresists, eingestellt (optimiert) für den Einsatz bei Wellenlängen kleiner als 15 nm und größer als 1 nm, b. alle Fotoresists, entwickelt zur Verwendung mit Elektronen- oder Ionenstrahlen mit einer Empfindlichkeit von besser/gleich 0,01 μcoulomb/mm2, c. nicht belegt; d. alle Fotoresists, optimiert für Oberflächen-Belichtungstechnologien, e. alle Fotoresists, entwickelt oder optimiert für die Verwendung in von Unternummer 3B001f2 erfassten Anlagen für die Imprintlithografie, die entweder thermische oder lichtaushärtende Prozesse verwenden. 3C003 Organisch-anorganische Verbindungen wie folgt: a. Metallorganische Verbindungen aus Aluminium, Gallium oder Indium mit einer Reinheit (Metallbasis) größer (besser) als 99,999 %; b. Organische Arsen-, Antimon- oder Phosphorverbindungen mit einer Reinheit (anorganische Elementbasis) größer (besser) als 99,999 %. Anmerkung: Nummer 3C003 erfasst nur Verbindungen, deren metallisches, halbmetallisches oder nichtmetallisches Element direkt an das Kohlenstoffatom im organischen Teil des Moleküls gebunden ist. 3C004 Phosphor-, Arsen- oder Antimonhydride mit einer Reinheit größer (besser) als 99,999 %, auch verdünnt in Inertgasen oder Wasserstoff. Anmerkung: Nummer 3C004 erfasst nicht Hydride, die 20 Molprozent oder mehr Inertgase oder Wasserstoff enthalten. 3C005 Hochwiderstandswerkstoffe und -materialien wie folgt: a. Siliziumcarbid (SiC)-, Galliumnitrid (GaN)-, Aluminiumnitrid (AlN)-, Aluminiumgalliumnitrid (AlGaN)-, Galliumoxid (Ga2O3)- oder Diamant-Halbleiter-„Substrate“ oder -Stäbe (ingots, boules) oder andere Vorformen dieser Materialien mit einem spezifischen Widerstand größer als 10 000 Ohm cm bei einer Temperatur von 20 °C. b. Polykristalline „Substrate“ oder polykristalline keramische „Substrate“ mit einem spezifischen Widerstand größer als 10 000 Ohm cm bei einer Temperatur von 20 °C und wenigstens einer nicht-epitaxialen Einzelkristallschicht aus Silizium (Si), Siliziumcarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN), Aluminiumnitrid (AlN), Aluminiumgalliumnitrid (AlGaN), Galliumoxid (Ga2O3) oder Diamant auf der Oberfläche des „Substrats“. 3C006 Nicht von Nummer 3C001 erfasste Werkstoffe und Materialien, bestehend aus einem „Substrat“, erfasst von Nummer 3C005, mit mindestens einer Epitaxieschicht aus Siliziumcarbid (SiC), Galliumnitrid (GaN), Aluminiumnitrid (AlN), Aluminiumgalliumnitrid (AlGaN), Galliumoxid (Ga2O3) oder Diamant. 3D   Datenverarbeitungsprogramme (Software) 3D001 „Software“, besonders entwickelt für die „Entwicklung“ oder „Herstellung“ von Ausrüstung, die von den Unternummern 3A001b bis 3A002h oder Nummer 3B erfasst wird. 3D002 „Software“, besonders entwickelt für die „Verwendung“ von Ausrüstung, die von den Unternummern 3B001a bis f, Nummer 3B002 oder Nummer 3A225 erfasst wird. 3D003 „Software“ für ‚computergestützte Lithografie‘, besonders entwickelt für die „Entwicklung“ von Strukturen auf EUV-Lithografiemasken oder --reticles. Technische Anmerkung: Im Sinne der Nummer 3D003 bezeichnet ‚computergestützte Lithografie‘ den Einsatz von Computermodellierung zur Vorhersage, Korrektur, Optimierung und Prüfung der Bildgebungsleistung (imaging performance) des Lithografieverfahrens im Bereich von Strukturen, Verfahren und Systemzuständen. 3D004 „Software“, besonders entwickelt für die „Entwicklung“ der von Nummer 3A003 erfassten Ausrüstung. 3D005 „Software“ besonders entwickelt zur Wiederherstellung des Normalbetriebs eines Mikrocomputers, „Mikroprozessors“ oder „Mikrocomputers“ innerhalb von 1 ms nach einer Störung durch elektromagnetischen Impuls (EMP) oder elektrostatische Entladung (ESD) ohne Unterbrechung des laufenden Betriebs. 3D006 ‚Electronic Computer-Aided Design‘„Software“ (‚ECAD‘), besonders entwickelt für die „Entwicklung“ integrierter Schaltungen mit einer „Gate-All-Around-Feldeffekttransistor“-Struktur („GAAFET“) und mit einer der folgenden Eigenschaften: a. besonders entwickelt zur Implementierung von ‚Register Transfer Level‘ (‚RTL‘) nach ‚Geometrical Database Standard II‘ (‚GDSII‘) oder einem gleichwertigen Standard, oder b. besonders konstruiert für die Optimierung von Leistungs- oder Zeitsteuerungsregeln. Technische Anmerkungen: Im Sinne der Nummer 3D006 gilt: 1. ‚Electronic Computer-Aided Design‘ (‚ECAD‘) ist eine Kategorie von „Software“-Werkzeugen, die für den Entwurf, die Analyse, die Optimierung und die Validierung der Leistung von integrierten Schaltungen oder Leiterplatten verwendet werden. 2. Die ‚Register Transfer Level‘ (‚RTL') ist eine Entwurfsabstraktion, die eine synchrone digitale Schaltung in Bezug auf den Fluss digitaler Signale zwischen Hardware-Registern und die mit diesen Signalen durchgeführten logischen Operationen modelliert. 3. ‚Geometrical Database Standard II‘ (‚GDSII‘) ist ein Datenbankdateiformat für den Datenaustausch von integrierten Schaltkreisen oder Layout-Designs für integrierte Schaltkreise. 3D101 „Software“, besonders entwickelt oder geändert für die „Verwendung“ der von Unternummer 3A101b erfassten Ausrüstung. 3D225 „Software“ besonders entwickelt zur Leistungssteigerung oder Aufhebung der Beschränkungen der Frequenzumwandler oder Generatoren, um den Eigenschaften von Nummer 3A225 zu entsprechen. 3E   Technologie 3E001 „Technologie“ entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die „Entwicklung“ oder „Herstellung“ von Ausrüstung, Werkstoffen oder Materialien, die von Nummer 3A, 3B oder 3C erfasst werden. Anmerkung 1: Nummer 3E001 erfasst nicht „Technologie“ für Ausrüstung oder Bestandteile, die in Nummer 3A003 erfasst werden. Anmerkung 2: Nummer 3E001 erfasst nicht „Technologie“ für integrierte Schaltungen, die von den Unternummern 3A001a3 bis 3A001a12 erfasst werden, mit allen folgenden Eigenschaften: a. Verwendung einer „Technologie“ mit minimalen Strukturbreiten größer/gleich 0,130 μm und b. Multilayer-Strukturen mit drei oder weniger Metallisierungsebenen. Anmerkung 3: Nummer 3E001 erfasst nicht ‚Process Design Kits‘ (‚PDKs‘), außer sie enthalten Bibliotheken, welche Funktionen oder Technologien für von Nummer 3A001 erfasste Güter implementieren. Technische Anmerkung: Im Sinne der Nummer 3E001 Anmerkung 3 ist ein ‚Process Design Kit‘ (‚PDK‘) ein Software-Tool, bereitgestellt von einem Halbleiterhersteller, um die Einhaltung der Entwurfsverfahren und -regeln sicherzustellen, die für die erfolgreiche Herstellung eines spezifischen Entwurfs einer integrierten Schaltung in einem spezifischen Halbleiterprozess unter technologischen und herstellungsbezogenen Bedingungen erforderlich ist (jeder Halbleiterherstellungsprozess hat sein eigenes ‚PDK‘). 3E002 „Technologie“ entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung, die nicht von Nummer 3E001 erfasst wird, für die „Entwicklung“ oder „Herstellung“ eines Mikroprozessor-, Mikrocomputer- oder Mikrocontroller-Kerns (core), der eine Arithmetisch-Logische Einheit (ALU) mit einer Zugriffsbreite größer/gleich 32 Bit enthält und mit einer der folgenden Eigenschaften oder Charakteristiken: a. eine ‚Vektoreinheit‘, entwickelt, um mehr als zwei Berechnungen auf ‚Gleitkomma‘-Vektoren (eindimensionale Felder von Zahlen mit einer Darstellung von 32 Bit oder mehr) gleichzeitig auszuführen, Technische Anmerkung: Im Sinne der Unternummer 3E002a ist eine ‚Vektoreinheit‘ ein Prozessorelement mit eingebauten Befehlen, das Mehrfachrechnungen auf ‚Gleitkomma‘-Vektoren (eindimensionale Felder aus Zahlen von 32 Bit oder länger) gleichzeitig ausführen kann und mindestens eine Vektor-ALU (Arithmetisch-Logische-Einheit) und Vektorregister von mindestens je 32 Elementen enthält. b. entwickelt, um mehr als vier ‚Gleitkomma‘-Ergebnisse mit einer Wortlänge von 64 Bit oder größer pro Taktzyklus zu erzielen, oder c. entwickelt, um mehr als acht ‚Festkomma‘-Multiplikations-Additions-(multiply-accumulate) Ergebnisse mit einer Wortlänge von 16 Bit pro Taktzyklus zu erzielen (d. h. digitale Verarbeitung von analogen Eingangsdaten, die in digitale Darstellung gebracht wurden, auch bekannt unter dem Begriff: digitale „Signalverarbeitung“). Technische Anmerkungen: 1. ‚Gleitkomma‘ im Sinne der Unternummern 3E002a und 3E002b ist in der Norm IEEE-754 definiert. 2. Im Sinne der Unternummer 3E002c bezieht sich ‚Festkomma‘ auf eine reelle Zahl mit einer festen Anzahl von Ziffern, die aus einem Vorkomma- und einem Nachkommateil besteht, und umfasst keine reinen Ganzzahlformate. Anmerkung 1: Nummer 3E002 erfasst nicht „Technologie“ für Multimedia-Erweiterungen. Anmerkung 2: Nummer 3E002 erfasst nicht „Technologie“ für Mikroprozessorkerne mit allen folgenden Eigenschaften: a. Verwendung einer „Technologie“ mit minimalen Strukturbreiten größer/gleich 0,130 μm und b. Multilayer-Strukturen mit fünf oder weniger Metallisierungsschichten. Anmerkung 3: Nummer 3E002 schließt „Technologie“ für die „Entwicklung“ oder „Herstellung“ digitaler Signalprozessoren und digitaler Array-Prozessoren ein. 3E003 „Technologie“ wie folgt für die „Entwicklung“ oder „Herstellung“ folgender Güter: a. mikroelektronische Vakuumbauelemente, b. elektronische Halbleiterbauelemente mit heterogener Struktur, z. B. HEMT (high electron mobility transistors), HBT (hetero-bipolar transistors), quantum well devices oder super lattice devices; Anmerkung: Unternummer 3E003b erfasst nicht „Technologie“ für HEMT (high electron mobility transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz sowie HBT (hetero-bipolar transistors) mit Betriebsfrequenzen kleiner als 31,8 GHz. c. „supraleitende“ elektronische Bauelemente, d. Substrate aus Diamant für elektronische Bauelemente; e. Substrate aus silicon-on-insulator (SOI) für integrierte Schaltungen, wobei der Isolator aus Siliziumdioxid besteht; f. Substrate aus Siliziumcarbid für elektronische Bauelemente; g. „elektronische Vakuumbauelemente“ mit Betriebsfrequenzen größer/gleich 31,8 GHz, h. Substrate aus Galliumoxid für elektronische Bauelemente. 3E004 „Technologie“, die „unverzichtbar“ ist für das Schneiden, Schleifen und Polieren von 300-mm-Siliziumwafern, um ein ‚SFQR‘ (Site Front least sQuares Range) von kleiner/gleich 20 nm an jeder Stelle mit einer Fläche von 26 mm × 8 mm auf der Vorderseite eines Wafers und einer Randauslassung von kleiner/gleich 2 mm zu erzielen. Technische Anmerkung: Im Sinne von Nummer 3E004 ist ‚SFQR‘ die Spanne der maximalen und minimalen Abweichung von der Frontbezugsebene, berechnet nach der Methode der kleinsten Quadrate mit allen Frontoberflächendaten einer Stelle einschließlich ihrer Begrenzung. 3E101 „Technologie“ entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die „Verwendung“ von Ausrüstung oder „Software“, erfasst von Unternummer 3A001a1 oder 3A001a2, Nummer 3A101, 3A102 oder 3D101. 3E102 „Technologie“ entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die „Entwicklung“ von „Software“, erfasst von Nummer 3D101. 3E201 „Technologie“ entsprechend der Allgemeinen Technologie-Anmerkung für die „Verwendung“ von Ausrüstung erfasst von den Unternummern 3A001e2, 3A001e3 und 3A001g sowie den Nummern 3A201 und 3A225 bis 3A234. 3E225 „Technologie“ in Form von Lizenzschlüsseln oder Produkt-Keys zur Leistungssteigerung oder Aufhebung der Beschränkungen der Frequenzumwandler oder Generatoren, um den Eigenschaften der Nummer 3A225 zu entsprechen. TEIL VI Kategorie 4 KATEGORIE 4 - RECHNER Anmerkung 1: Rechner, verwandte Geräte und „Software“ für Telekommunikations- oder „Local Area Network“-Funktionen sind auch nach den Leistungsmerkmalen der Kategorie 5, Teil 1 (Telekommunikation) zu bewerten. Anmerkung 2: Steuereinheiten, die Bussysteme oder Kanäle von Zentraleinheiten, ‚Hauptspeicher‘ oder Plattensteuerungen direkt verbinden, gelten nicht als Telekommunikationsgeräte im Sinne der Kategorie 5, Teil 1 (Telekommunikation). Anmerkung: Die Erfassung von „Software“, besonders entwickelt für die Paketvermittlung, richtet sich nach Nummer 5D001. Technische Anmerkung: Im Sinne von Anmerkung 2 ist ein ‚Hauptspeicher‘ ein Primärspeicher für Daten oder Befehle zum schnellen Zugriff durch eine Zentraleinheit. Er besteht aus dem internen Speicher eines „Digitalrechners“ und jeder Art von hierarchischer Erweiterung wie Pufferspeicher (cache) oder zusätzliche Speicher mit nichtsequenziellem Direktzugriff. 4 A   Systeme, Ausrüstung und Bestandteile 4A001 Elektronische Rechner und verwandte Geräte mit einer der folgenden Eigenschaften sowie „elektronische Baugruppen“ und besonders konstruierte Bestandteile hierfür: Anmerkung: SIEHE AUCH NUMMER 4A101. a. besonders konstruiert für eine der folgenden Eigenschaften: 1. ausgelegt für den Betrieb bei Umgebungstemperaturen unterhalb 228 K (-45 °C) oder oberhalb 358 K (85 °C) oder Anmerkung: Unternummer 4A001a1 gilt nicht für Rechner, besonders konstruiert zur Verwendung in zivilen Kraftfahrzeugen, Eisenbahnzügen oder „zivilen Luftfahrzeugen“. 2. unempfindlich gegen Strahlungsbelastungen (radiation-hardened), die höher sind als einer der folgenden Grenzwerte: a. Gesamtstrahlungsdosis 5 × 103 Gy (Silizium); b. kritische Strahlungsdosisleistung 5 × 106 Gy (Silizium)/s oder c. Einzelereignis-Grenzwerte (SEU) 1 × 10-8 Fehler/bit/Tag; Anmerkung: Unternummer 4A001a2 gilt nicht für Rechner, besonders konstruiert zur Verwendung in „zivilen Luftfahrzeugen“. b. nicht belegt, 4A003 „Digitalrechner“, „elektronische Baugruppen“ und verwandte Geräte wie folgt sowie besonders konstruierte Bestandteile hierfür: Anmerkung 1: Nummer 4A003 schließt Folgendes ein: — ‚Vektorrechner‘, — Array-Rechner, — digitale Signaldatenverarbeitungsrechner, — Logikrechner, — Geräte, entwickelt für „Bildverarbeitung“. Anmerkung 2: Die Erfassung von in Nummer 4A003 beschriebenen „Digitalrechnern“ und verwandten Geräten richtet sich nach dem Erfassungsstatus anderer Geräte oder Systeme, sofern a. die „Digitalrechner“ oder die verwandten Geräte wesentlich sind für die Funktion der anderen Geräte oder Systeme, b. die „Digitalrechner“ oder verwandten Geräte nicht einen „Hauptbestandteil“ der anderen Geräte oder Systeme darstellen und Anmerkung 1: Die Erfassung von Geräten zur „Signaldatenverarbeitung“ oder „Bildverarbeitung“, besonders konstruiert für andere Einrichtungen unter Einhaltung der Funktionsgrenzwerte dieser anderen Einrichtungen, wird durch den Erfassungsstatus der anderen Einrichtungen auch dann bestimmt, wenn das Kriterium des „Hauptbestandteils“ nicht mehr erfüllt ist. Anmerkung 2: Die Erfassung von „Digitalrechnern“ oder verwandten Geräten für Telekommunikationseinrichtungen richtet sich nach Kategorie 5, Teil 1 (Telekommunikation). c. die „Technologie“ für die „Digitalrechner“ oder verwandten Geräte von Nummer 4E geregelt wird. a. nicht belegt; b. „Digitalrechner“ mit einer „angepassten Spitzenleistung“ („APP“) größer als 70 gewichtete TeraFLOPS (WT); c. „elektronische Baugruppen“, besonders konstruiert oder geändert zur Steigerung der Rechenleistung durch Zusammenschalten von Prozessoren, sodass die „angepasste Spitzenleistung“ („APP“) den Grenzwert von Unternummer 4A003b überschreiten kann; Anmerkung 1: Unternummer 4A003c gilt nur für „elektronische Baugruppen“ und programmierbare Zusammenschaltungen, die die Grenzwerte der Unternummer 4A003b nicht überschreiten, soweit sie als einzelne „elektronische Baugruppen“ geliefert werden. Anmerkung 2: Unternummer 4A003c erfasst keine „elektronischen Baugruppen“, besonders konstruiert für Produkte oder Produktfamilien, deren Maximalkonfiguration den Grenzwert der Unternummer 4A003b nicht überschreitet. d. nicht belegt; e. nicht belegt; f. nicht belegt; g. Geräte, besonders konstruiert für die Zusammenführung der Leistung von „Digitalrechnern“ durch externe Vernetzungen, die eine Kommunikation mit unidirektionalen Datenraten über 2,0 Gbyte/s pro Link erlauben. Anmerkung: Unternummer 4A003g erfasst keine Geräte zur internen Vernetzung (z. B. Rückwandplatinen, Bussysteme), passives Netzwerkzubehör, „Netzzugangssteuerungen“ oder „Kommunikationskanalsteuerungen“. 4A004 Rechner wie folgt und besonders konstruierte, verwandte Geräte, „elektronische Baugruppen“ und Bauteile hierfür: a. ‚systolische Array-Rechner‘, b. ‚neuronale Rechner‘, c. ‚optische Rechner‘. Technische Anmerkungen: 1. Im Sinne von Unternummer 4A004a sind ‚systolische Array-Rechner‘ Rechner, bei denen Datenfluss und -modifikation durch den Benutzer auf der Ebene der Schaltkreistechnik dynamisch gesteuert werden können. 2. Im Sinne von Unternummer 4A004b sind ‚neuronale Rechner‘ Rechengeräte, konstruiert oder geändert zur Nachahmung des Verhaltens eines oder mehrerer Neuronen, d. h. Rechengeräte, die durch ihre Hardwareeigenschaften geeignet sind, die Gewichtungen und Anzahl von Verbindungen einer Vielzahl von Recheneinheiten in Abhängigkeit von verarbeiteten Daten zu regulieren. 3. Im Sinne von Unternummer 4A004c sind ‚optische Rechner‘ Rechner

Quellenbestand vom 5. Oktober 2026. Die Sammlung wird schrittweise erweitert. Dokumentfassungen sind nicht mit der Zahl eigenständiger Gesetze gleichzusetzen.